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活动公告新闻华强芯城- 精选掌握行业趋势、供应各厂最新及最热产品CC3120MOD data sheetPAC1921 High-Side current sensor with configurable analog output, I2C, 32V, power calculation, adjustable for microcontroller voltagesDRV832x 60V 三相智能栅极驱动器5.5 GHz 到 8.6 GHz,GaAs,MMIC,I/Q 升频器带模拟输出的低噪声、低漂移、低功耗3轴MEMS加速度计成交记录
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封装/规格:SOP-8
库存:132500
起订量:30000贴片电容 100NF (104)
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厂牌:Samsung
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DDR3 SDRAM 的硬件及PCB设计与要点分析(有图)
17:42:07  
虽然DDR3的资料很多,ddr4和 eMMC也出现了,但是这里还是把DDR3的设计心得搬出来说一说:
1,上图,搞一张图纸大家都看得见
ddr3 block.gif (41.38 KB, 下载次数: 4)
17:40 上传
ddr3 sdam.JPG (169.33 KB, 下载次数: 3)
17:40 上传
如图,DDR3 sdram芯片原理上简单得很,就几个注意点:
a.DATA bus--一般都多片拼接,数据线从0往后数,这里位宽32bits【DQ0~DQ31】,实际更据您需要的容量而定;
b.Addr bus--A0~A13,位宽14bits;
c.CLK:差分的
cke:时钟使能
ck_P,ck_N差分时钟
d.复位:ResetN
e.bank地址选择:BA0~BA2
f.端接:ODT
g.数据掩码、控制命令 如:/cs,/WE
h.电源i,剩下就是电源引脚上的退耦电容/供电
引脚说明详细:&&管脚符号&&类型描述A0-A9,A10/AP,A11,A12/BC#,A13Input地址输入。为ACTIVATE命令提供行地址,和为READ/WRITE命令的列地址和自动预充电位(A10),以便从某个bank的内存阵列里选出一个位置。A10在PRECHARGE命令期间被采样,以确定PRECHARGE是否应有于某个bank:A10为低,这个bank由BA[2:0]来选择,或者A10为高,对所有bank。在LOAD&&MODE命令期间,地址输入提供了一个操作码。地址输入的参考是VREFCA。A12/BC#:在模式寄存器(MR)使能的时候,A12在READ和WRITE命令期间被采样,以决定burst chop(on-the-fly)是否会被执行(HIGH=BL8执行burst chop),或者LOW-BC4不进行burst chop。BA0,BA1,BA2InputBank地址输入。定义ACTIVATE、READ、WRITE或PRECHARGE命令是对那一个bank操作的。BA[2:0]定义在LOAD&&MODE命令期间哪个模式(MR0、MR1、MR2)被装载,BA[2:0] 的参考是VREFCACK,CK#Input时钟。差分时钟输入,所有控制和地址输入信号在CK上升沿和CK#的下降沿交叉处被采样,输出数据选通(DQS、DQS#)参考与CK和CK#的交叉点。CKEInput时钟使能。使能(高)和禁止(低)内部电路和DRAM上的时钟。由DDR3&&SDRAM配置和操作模式决定特定电路被使能和禁止。CKE为低,提供PRECHARGE POWER-DOWN和SELF REFRESH操作(所有Bank都处于空闲),或者有效掉电(在任何bank里的行有效)。CKE与掉电状态的进入退出以及自刷新的进入同步。CKE与自刷新的退出异步,输入Buffer(除了CK、CK#、RESET#和ODT)在POWER-DOWN期间被禁止。输入Buffer(除了CKE和RESET#)在SELF REFRESH期间被禁止。CKE的参考是VREFCA。CS#Input片选。使能(低)和禁止(高)命令译码,当CS#为高的时候,所有的命令被屏蔽,CS#提供了多RANK系统的RANK选择功能,CS#是命令代码的一部分,CS#的参考是VREFCA。DMInput数据输入屏蔽。DM是写数据的输入屏蔽信号,在写期间,当伴随输入数据的DM信号被采样为高的时候,输入数据被屏蔽。虽然DM仅作为输入脚,但是,DM负载被设计成与DQ和DQS脚负载相匹配。DM的参考是VREFCA。DM可选作为TDQSODTInput片上终端使能。ODT使能(高)和禁止(低)片内终端电阻。在正常操作使能的时候,ODT仅对下面的管脚有效:DQ[7:0],DQS,DQS#和DM。如果通过LOAD MODE命令禁止,ODT输入被忽略。ODT的参考是VREFCARAS#,CAS#,WE#Input命令输入,这三个信号,连同CS#,定义一个命令,其参考是VREFCARESET#Input复位,低有效,参考是VSS,复位的断言是异步的。DQ0-DQ7I/O数据输入/输出。双向数据,DQ[7:0]参考VREFDQDQS,DQS#I/O数据选通。读时是输出,边缘与读出的数据对齐。写时是输入,中心与写数据对齐。TDQS,TDQS#Output终端数据选通。当TDQS使能时,DM禁止,TDQS和TDDS提供终端电阻。VDDSupply电源电压,1.5V+/-0.075VVDDQSupplyDQ电源,1.5V+/-0.075V。为了降低噪声,在芯片上进行了隔离VREFCASupply控制、命令、地址的参考电压。VREFCA在所有时刻(包括自刷新)都必须保持规定的电压VREFDQSupply数据的参考电压。VREFDQ在所有时刻(除了自刷新)都必须保持规定的电压VSSSupply地VSSQSupplyDQ地,为了降低噪声,在芯片上进行了隔离。ZQReference输出驱动校准的外部参考。这个脚应该连接240ohm电阻到VSSQ
&&2.pcb设计,也上说明:关键要点:<font color="#.布局合理,2片ddr芯片与cpu芯片保持同等距离,且需要预留绕线空间,便于走线等长处理,图中
ddr3 sdam_layout_cuizhi.JPG (35.32 KB, 下载次数: 3)
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<font color="#.数据线 走靠近GND的内部走线层,如图3、10层
ddr3 sdam_layout.JPG (111.69 KB, 下载次数: 5)
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<font color="#.地址线 走靠近GND的内部走线层,如图4,9层
ddr3 sdam_layout_h.JPG (86.58 KB, 下载次数: 6)
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<font color="#.相邻走线层走线尽力垂直交叉<font color="#.差分时钟从源端(cpu)引出到两片ddr芯片,拓扑结构保持&Y&结构,切保证在分支点到两片ddr芯片的距离一致+/-5mil<font color="#.关于走线间距,需要满足&=3W原则,图示差分时钟线宽间距为3.2mil/10.5mil,具体最好做一下仿真,叠层和板材不一样,相应的阻抗也不一样<font color="#.关于电源:两组VREF/VDD,都需要走足够宽,根据经验需要走电源平面分割
ddr3 sdam_vref.JPG (54.42 KB, 下载次数: 5)
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ddr3 sdam_1.5v.JPG (71.54 KB, 下载次数: 5)
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<font color="#.等长蛇形线间gap保持&3w,图中为18.5mil<font color="#.地址线addr bus/ba0~ba2/odt//cs/we等都采用Y结构从源端到ddr芯片端
<font color="#.走线不跨层,过孔最少原则
(59.95 KB, 下载次数: 30)
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(35.56 KB, 下载次数: 17)
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17:44:28  
越是高速越要好生研究啊,顶自己一个
11:14:46  
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路过,进来帮忙顶楼主一个!!
16:28:14  
路过,进来帮忙顶楼主一个!!
13:29:34  
& && & 学习& & 学习
17:39:43  
为什么不用fly by结构呢
00:10:43  
好帖刘明,感谢分享。
16:20:29  
路过,进来帮忙顶楼主一个!!
11:41:41  
路过,进来帮忙顶楼主一个!!
20:41:13  
不错&&向你学习
23:44:51  
很精细的经验总结,赞一个! 希望楼主再写个ddr4的吧。不知道他们的区别在哪
15:05:52  
等待验证会员
16:32:24  
请教一下楼主,如果没有使用ODT功能,地址线和控制线是否必须采用分压电阻分成VDDQ/2?现在很多都是将DDR和控制器直接连,如果信号质量有瑕疵就只能通过ODT调节?
21:11:11  
不错不错不错
13:45:25  
学习下,多谢分享
16:44:31  
10:12:00  
路过,进来帮忙顶楼主一个!!
14:58:08  
15:48:44  
赞!楼主,最后完成后的图发一下啊
21:56:59  
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哪位大神可以帮忙分析一下这个手机快充电路图吗?,急求,望看到的大神帮忙回复
11:58:16  
哪位大神可以帮忙分析一下这个手机快充电路图吗?急求,望看到的大神帮忙回复,越详细越好
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13:47:25  
回复你大爷,看图还要扣分~
16:29:56  
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天下没有免费的午餐
16:36:56  
看图还要扣分啊啊啊
17:29:56  
看图还要扣分哈哈哈
08:06:47  
09:47:13  
回复你大爷,看图还要扣分~
我不知道呀,那怎么弄可以在线看呢?
09:48:00  
回复你大爷,看图还要扣分~
我不知道呀,那怎么弄可以在线看呢?
09:48:40  
看图还要扣分哈哈哈
我不知道呀,那怎么弄可以在线看呢?而且不扣你们的分呀
09:49:17  
天下没有免费的午餐
我不知道呀,那怎么弄可以在线看呢?而且不用扣你们的分
09:59:34  
我不知道呀,那怎么弄可以在线看呢?而且不用扣你们的分
这个即使不用扣分也没有人会把每个细节都跟你讲,贵司的RD应该知道,问你同事就好了。抄板也需要专业性的
12:34:00  
这个即使不用扣分也没有人会把每个细节都跟你讲,贵司的RD应该知道,问你同事就好了。抄板也需要专业性的
好的,谢谢!我刚接触这个电源有好多小细节不是很明白。
资深工程师
12:56:18  
楼主把电路图发上来。也许有人帮你。
14:36:34  
看看里面是什么东东
15:00:36  
看看...............
15:00:59  
看看,什么电路
15:50:32  
这谁看图啊还
17:06:03  
................
19:09:26  
你这个电路图不像是手机内部的快充电路,倒像是外设,比如充电器,因为一开始就是220V交流电经过电桥整流,最好拍个产品照片,因为不是每个人都买oppo的快充手机或无线充电之类的产品。
20:56:22  
我就是来回复的!
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