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vasp计算DOS,以及如何判断参数的设置是合理的，达到要求的精度
VASP计算DOS的时候K点是不是一定要多取，计算的能窗也是必须设吗？还有计算DOS的时候只需要静态计算的chg，chgcar文件吧，需要波函数文件吗？谢谢
还有就是计算VASP优化的时候能量差值是多少就可以了？优化和静态计算的能量能量差值大概是多少？谢谢，本人刚接触vasp相关计算
有两种方法可以对一个结构进行优化计算:
1。在优化的时候，把cell shape和cell volume都放开驰豫，设置ISIF=3，用 IBRION = 2，CG方法来驰豫两次，第二次是copy第一次做好的CONTCAR作为POSCAR，(可以参看VASP手册7.6.2 Accurate bulk relaxations with internal parameters (one)), 第三步要得到能量的话就用比较精确的方法做。(PREC=High, ISMEAR=-5)。
2。是把体积固定(设置ISIF=4)，对构型进行优化，做两次之后(参见VASP手册的7.6.3 Accurate bulk relaxations with internal parameters (two))，再用比较精确的方法得到能量(这回不要做驰豫，即离子要设为不动的，因此ISIF可以设为2)，得到一个能量，然后变化POSCAR中的晶格常数，在大概的晶格常数位置周围做几个点，然后对能量和晶格常数做二次函数拟和得到最低的能量所对应的晶格常数，从而这个结构可以被认为是优化好了。
第二种方法得到的结果会准确一些。第一种方法得到的其实一般也都够了，计算还方便。
4楼的回复太好了，正需要这个呢
另外想问四楼一个问题，在做晶格常数优化时，晶胞取多大呢？只取单胞呢？还是大点好呢？
静态计算和优化的的ISMEAR是不一样的，那该如何选择呢？我一般都是选择ISMEAR=-5的
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VASP计算论文一篇（含response，支持信息和正文修改痕迹）(校稿已经上传)
下载请移步计算模拟版。http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=4218395&page=1#pid1
用到的分析方法：
Mn掺杂的CeO2（111）slab模型的：PDOS, Bader, PARCHG电荷密度，自旋电荷密度（上旋减下旋），PDOS积分，吸附分子振动分析，氧空位形成能。
个人觉得，文中对掺杂离子与氧离子的库伦作用对氧空位形成的影响，以及掺杂元素与O形成的杂化轨道作为氧空位形成和O2吸附活化的电子传递通道讨论是出彩的地方。文中的关于O2p hole的讨论，特别是与之相关几篇参考文献也比较有学习参考价值。
希望对下载附件的虫子有帮助。
有问题想指出或者讨论的，欢迎直接跟帖。
文中Figure 1a中的O_s,Mn应该是O_b,Mn.
入门的文章，希望大家轻拍。可以通过连接下载。但是更详细的信息在附件中。
这个发现不得了啦~~
所以这次投了SSC后，该考虑转投化学类期刊了～其实要不是为了赶快毕业发文，本想先试试APL的……可惜了～自己砍了接近1/3的数据～
那要看你算什么体系。
我的理解也有限，希望可以帮得上你。
一般氧空位计算，无非就是建立模型，结构优化，静态计算总能然后算能量差。
单算氧空位形成能似乎意义不大。具体要看你的计算工作所处的研究背景~~
我想算金属氧化物的氧空位形成能，读了您的论文受益匪浅，但也是刚刚入手vasp，碰到的问题也很多，上手觉得很难，所以想按照楼主的论文练习下，希望楼主能够给予指导，先谢谢了，呵呵。
我试了下ceO2生成氧空位时的形成能，但试了几次都没算出楼主的结果
CeO2-->vCeO2+1/2CeO2 的空缺形成能是2.08ev
不知道楼主能否把您的计算的具体过程告诉我，谢谢您了。
以下是我的邮箱
CeO2和vCeO2的几何优化结果已经发给你了。
你算的是多少？
有些出入是很正常的。只要差别不大，然后定性结论是合理的就行。
我算的差的太多了，有一些参数的意义理解的也不是很透。
非常感谢楼主的热心帮助，我已经收到您的E-mail了，谢谢了。
我先自己练习下。
谢谢您了！
64核；4G内存/核。
1.选赝势的时候就自动设定了
2.一般用几何优化的结果。我猜想：用序自己判断的结果，便于后续结果的收敛。也可以用实验结果。这两个数值差别不大，能得到定性结论就可以了。
3.第二条中，到底用哪一个更合适，我不知道。
谢谢楼主的回复
氧空位的形成能计算，要遵循质量守恒。
CeO2->vCeO2+0.5O2.
算出每一项的能量，然后算加减法。
O2能量的计算：把O2分子放在一个边长为15埃的box中。用Gamma点来算。
谢谢楼主的快速回复
因为在您的论文中，对于CeO2 形成了一个氧空位, 生成了0.5个氧分子。
在算O2的能量时，取多少个氧分子呢？
是取很多吗？ 算出生成每个氧分子的能量？如果是取很多话，取多少合适呢？怎么取呢？
还是就取一个氧原子放在15埃的box里呢
取一个O2分子。空气中O2分子之间相互作用力可以忽略。也忽略其他分子对O2分子的影响。
你可以看看我在第一性原理版关于结构优化的帖子。
http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=2512497
哇，不愧是版主，哈哈
我正在看您关于优化的帖子，太详细了，谢谢版主。
如果写论文，版主的文章是必须引用的，呵呵:victory::victory:
按照版主的文章，已经建好模，并按照版主另外一个帖子，已初步优化。版主在上面提到，在算氧空位形成能时，算出每一项的能量(CeO2->vCeO2+0.5O2.)，然后算加减法。
请问每一项的能量，是不是最后优化好的结构，做一次静态计算，然后这最后一步静态计算的能量的加减法啊？
先谢谢版主了。
是的。说说你的氧气分子的能量~
谢谢版主的回复。
氧气分子的能量我还没算呢，现在已经把 CeO2的优化好了，正准备优化vCeO2-delta呢。
氧气分子我想用楼主前面建议的方法算
再次感谢版主！！！:victory::victory:
:D 想问问岑版，如果人提出如果加某个数据会看起来更好，但是我自己认为那个数据没太有加的必要，我能拒他的这条建议么？
就我来看，如果加这个数据需要的工作量两三天就能出来，可以加。
如果审稿人提的是外行的问题，跟文章主旨关系相差太远，我就多谢他的建议，然后说不加的原因。
:shuai: 第一，的确不外行，加上后讨论更方便；第二，加这个数据只需要几分钟。说白了，就是我计算了两种成分的晶格常数-温度变化曲线。而审稿人想顺便也画出两者的热膨胀曲线，我觉得这个有那么一点点重复~如此而已……
其实就觉得拒绝审稿人的建议不太好~
可以放在Supporting information中~
:rol: SSC木有supporting information……好吧，俺就老老实实把数据给加上吧……
########################
请问版主，把O2分子放到一个边长为15埃的box中是怎么实现的呢？是通过MS吗？我用MS试了试，但好象装不到BOX里
还是直接自己写POSCAR呢，下面是POSCAR 及其用vesta读出来的图，请问版主是这样的吗？
另外我看有的文献里，在计算氧分子的时候好象是加U了，不知道在楼主的文章里算O的时候加U没有？
----------------------------------------
O atom in a box
1.0& && && & ! universal scaling parameters
15&&0.0 0.0&&! lattice vector&&a(1)
0.0 15&&0.0&&! lattice vector&&a(2)
0.0 0.0 15&&! lattice vector&&a(3)
2& && && && & ! number of atoms
cart& && && & ! positions in cartesian coordinates
0 0 0& && &&&! first atom
0 0 1.22& &&&! second atom
——————————————————————
(1) 直接写POSCAR就可以。计算能量前先做结构优化。
（2）计算O有的加U，有的不加U。如果只算能量的话，都不加也可以。
Thanks for your kind help
比较一下氧空位形成前后几个相关原子的populaton就可以了。
spin density是净自旋图。
O和Ce上的电子都是全部配对的，没有净自旋。
注意A和A*在空间上是有分布的，是一个由多个原子组成的集合，不是特指哪一个原子上。
A中一个Ot,Mn的未成键电子数是0.2，是-1.8价。去掉这个O原子形成氧空位，表面得到1.8个电子。A*中各变动部分都是得电子的。参考图5.
先对CeO2晶胞做晶格常数计算。然后再这个基础上做超胞和表面。
你也可以直接用实验的结果（是5.411,不是5.468），或者其他的可靠来源。
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金属表面半体和半金属薄膜的第一性原理研究.pdf123页
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金属表面半体和半金属薄膜的第一性原理研究
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分子筛催化烯烃裂解及戊烯异构反应机理理论地研究.pdf155页
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