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合迈光电(HEG)关于封装芯片与裸芯的区别分析：1．我们知道，如果芯片与空气直接做界面，由于芯片材料与空气的光折射系数相差较大，导致芯片内发出的光大部分被反射回芯片，不能逸出到空气中去。以GaAs材料与空气为例，在界面处芯片的全反射临界角θc约为14°，仅4-12%的光子能逸出到空气中，如果用折射系数为1.5的环氧树脂与芯片做截面，则其θc约为22.6°，则提高了光的逸出率，再用球型环氧树脂与空气作为界面，则其内部的光子几乎绝大部分可以逸出到空气中，仅不到4%的被反射，因此，通过选择封装材料的折射系数与芯片作界面进行封装，可以提高LED的出光效率。2．通过封装保护芯片不受气氛侵害和震动、冲击性损害。由于LED芯片无法直接使用，必须固定在支架等便于使用的装置中，因此芯片与支架必须通过“打线”引出加注电流的导线，即引线。这些连线很细，直径仅0.1mm以下的金或铝线不能耐受冲击，另外芯片表面必须不受水、气等物质侵蚀，同样要加以固封保护。这就要用透明率极高的材料加以灌封。一般常用透明环氧树脂或透明硅胶类材料将芯片保护起来。3．方便LED的组装与使用。由于LED封装的形式较多，对于不同的使用场合和安装上的要求，可以选择最有利于组装和散热的封装，这就使LED器件的应用范围得以拓展。4．增大芯片上热量散失的能力。芯片通过引线支架，可以将芯片由于施加功率引起温度升高的热量导出到空气中去，也就是可以提高芯片PN结上施加的电功率，提高芯片使用的可靠性，改善因结温升高而引起的光电参数的退化。转载于：
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广州阿拉丁电子商务有限公司[实用新型]一种平面单排或矩阵式多载体IC芯片封装件有效
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【说明书】：
技术领域本实用新型属于电子信息自动化元器件制造技术领域，涉及一种IC芯片封装件，特别涉及一种平面单排或矩阵式多载体IC芯片封装件。 背景技术MCM封装技术起源于20世纪90年代，MCM的实现使电子系统实现小型化、模块化和高可靠性提供了更有效的技术保障。 为了满足不同客户的需要，华天科技股份有限公司研发出了单排、双排、多排矩阵式或多载体框架。常规的平面MCM（MCP）封装，引线框架上有1个或者2个载体，最多3个载体，每个载体上粘1个或2个芯片，芯片和芯片间、芯片与引线框架内引脚间通过打线连接。经过塑封、后固化、切筋、电镀、打印、成形分离入管、测试、包装，完成整个生产流程。常规的平面MCM（MCP）封装件内部的焊线较长，不仅频率特性较低，而且浪费焊线。 实用新型内容为了克服上述现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种平面单排或矩阵式多载体IC芯片封装件，具有较短的内部焊线，降低成本，并具有较高的频率特性。 为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种平面单排或矩阵式多载体IC芯片封装件，包括并排设置的两个引脚载体组，每个引脚载体组由至少四个并列设置的引脚载体组成，且一个引脚载体组中的多个引脚载体与另一个引脚载体组中的多个引脚载体形成一一对应；两个引脚载体组中相对应的引脚载体通过键合线相连接。 当引脚载体组中引脚载体的数量为四个时，其中一个引脚载体组中的四个引脚载体上不粘接IC芯片，另一个引脚载体组中的四个引脚载体上均粘接有一块IC芯片，一块IC芯片通过一根第一键合线与相对应的一个引脚载体相连接；或者，当引脚载体组中引脚载体的数量为四个时，所有的引脚载体上均粘接有一块IC芯片，两个引脚载体组中相对应设置的引脚载体的IC芯片通过第一键合线相连接。 当引脚载体组中引脚载体的数量为八个时，所有的引脚载体上均粘接有一块IC芯片，两个引脚载体组中相对应设置的引脚载体的IC芯片通过第一键合线相连接。 当引脚载体组中引脚载体的数量为八个时，所有的引脚载体上均粘接有第一IC芯片和第二IC芯片，两个引脚载体组中相对应设置的两个引脚载体中的一个引脚载体上的第一IC芯片通过第二键合线与另一个引脚载体上的第二IC芯片相连接，且该两根第二键合线不相交。 本实用新型封装件中通过键合线连接相对应设置的两个引脚载体上的IC芯片焊盘，键合线通过焊盘、IC芯片内部结构和IC芯片下面的导电胶与引脚载体及外引脚相连，包括内引脚构成了电路的电源和信号通道。该封装件内部焊线较短，有利于节约焊线成本，提高频率特性；适用于二极管阵列、稳压电源和大功率电源封装；特别是大功率电源的封装，应用范围广阔。 附图说明图1是本实用新型封装件中4芯片封装件的示意图。 图2是图1的俯视图。 图3是本实用新型封装件中8芯片封装件的示意图。 图4是图3的俯视图。 图5是本实用新型封装件中16芯片封装件的示意图。 图6是本实用新型封装件中32芯片封装件的示意图。 图7是图6的俯视图。 图中：1.引脚载体，2.第一键合线，3.第一IC芯片，4.塑封体，5.第二IC芯片，6.第二键合线。 具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。 实用新型平面单排或多排矩阵式多载体IC芯片封装件有4芯片封装件、8芯片封装件、16芯片封装件、32芯片封装件及更多IC芯片封装件等。各种形式封装件的引线框架的每个内引脚上有1个引脚载体，并且形成上下对应的引脚载体，既可以是8个，也可以是16个，或者更多。既有单排，又有多排矩阵式。 如图1和图2所示，本实用新型矩阵式多载体IC芯片封装件中4芯片封装件，包括并排设置的两个引脚载体组，每个引脚载体组均由四个并列的引脚载体1组成，一个引脚载体组中的四个引脚载体1与另一个引脚载体组中的四个引脚载体1形成一一对应；其中一个引脚载体组中的四个引脚载体1上分别粘接有一块第一IC芯片3，一块第一IC芯片3通过一根第一键合线2与和该第一IC芯片3所在的引脚载体1相对应的另一个引脚载体1相连接，第一IC芯片3通过导电胶与引脚载体1粘接；两个引脚载体组上固封有塑封体4。所有的引脚载体1、所有的导电胶、所有的第一IC芯片3、所有的第一键合线2、内引脚和外引脚构成了电路的电源和信号通道。塑封体4包围了引脚载体1、第一IC芯片3、第一键合线2、内引脚，加上外露的外引脚构成了电路的整体，并对第一IC芯片3、第一键合线2和引脚载体1起到了保护和支撑作用。两个引脚载体组中相对应设置的两个引脚载体1上的内引脚位于180°方向。 如图3和图4所示，本实用新型矩阵式多载体IC芯片封装件中8芯片封装件，其结构与4芯片封装件的结构基本相同，两者之间的区别在于：8芯片封装件的两个引脚载体组中的所有引脚载体1上均粘接有第一IC芯片3，两个引脚载体组中相对应设置的两个引脚载体1上的第一IC芯片3通过第一键合线2相连接。 本实用新型矩阵式多载体IC芯片封装件中16芯片封装件，如图5所示，包括并排设置的两个引脚载体组，每个引脚载体组均由八个并列的引脚载体1组成，一个引脚载体组中的八个引脚载体1与另一个引脚载体组中的八个引脚载体1形成一一对应；所有的引脚载体1上分别粘接有一块第一IC芯片3，两个引脚载体组中相对应设置的两块引脚载体1上粘接的第一IC芯片3通过第一键合线2相连接，第一IC芯片3通过导电胶与引脚载体1粘接；两个引脚载体组上固封有塑封体4。所有的引脚载体1、所有的导电胶、所有的第一IC芯片3、所有的第一键合线2、内引脚和外引脚构成了电路的电源和信号通道。塑封体4包围了引脚载体1、第一IC芯片3、第一键合线2、内引脚，加上外露的外引脚构成了电路的整体，并对第一IC芯片3、第一键合线2和引脚载体1起到了保护和支撑作用。 如图6和图7所示，本实用新型矩阵式多载体IC芯片封装件中32芯片封装件，其结构与16芯片封装件的结构基本相同，两者之间的区别在于：32芯片封装件中的每个引脚载体1上均分别粘接有第一IC芯片3和第二IC芯片5，同一个引脚载体1上的第一IC芯片3和第二IC芯片5分别独立设置，第一IC芯片3和第二IC芯片5均分别通过导电胶与引脚载体1粘接；两个引脚载体组中相对应设置的两个引脚载体1上IC芯片的连接方式为：一个引脚载体上的第一IC芯片3通过第二键合线6与另一个引脚载体1上的第二IC芯片5相连接；使得相对应设置的两个引脚载体1上的四块IC芯片通过两根互不相交的第二键合线6分别相连接。两个引脚载体组上固封有塑封体4。所有的引脚载体1、所有的导电胶、所有的IC芯片、所有的第二键合线6、内引脚和外引脚构成了电路的电源和信号通道。塑封体4包围了引脚载体1、第一IC芯片3、第二IC芯片5、第二键合线6、内引脚，加上外露的外引脚构成了电路的整体，并对第一IC芯片3、第二IC芯片5、第二键合线6和引脚载体1起到了保护和支撑作用。 更多数量芯片封装件，根据需要成对增加引脚载体1的数量，然后在每个引脚载体1粘接数量相同的IC芯片，该IC芯片的数量为一块或两块。当引脚载体1上粘接一块IC芯片时，按照16芯片封装件的形式焊线；当引脚载体1上粘接两块IC芯片时，按照32芯片封装件的形式焊线。 本实用新型封装件中IC芯片上的焊盘通过键合线与相对引脚载体上的不同IC芯片焊盘相连，键合线通过焊盘、IC芯片内部结构和IC芯片下面的导电胶与引脚载体及外引脚相连，包括内引脚构成了电路的电源和信号通道。该封装件内部焊线较短，有利于节约焊线成本，提高频率特性。 根据需要还可以进行更多芯片的封装，如LED表贴电源等。 本实用新型封装件中引脚载体1上只有一块IC芯片的生产流程： 减薄-划片-上芯-键合-塑封-后固化-切中筋-电镀-打印-成形分离-检验-测试-包装-入库。本实用新型封装件中引脚载体1上有两块IC芯片的生产流程： 减薄-划片-上芯-二次上芯-键合-塑封-电镀-打印-成形分离-检验-后固化-切中筋-测试-包装-入库。上述两种生产流程中的减薄、划片、塑封、后固化、切中筋、电镀、打印、成形分离、检验、测试、包装、入库工艺同一般SOP（DIP）封装工艺。 本实用新型封装件的生产工艺具体按以下步骤进行： 步骤1：减薄、划片根据封装需要，确定减薄厚度，由于是多芯片平面封装，一般芯片较小，芯片厚度为250±30μm，减薄后芯片的粗糙度Ra为0.11mm～0.16mm。对于6″晶圆减薄贴膜选用6″晶圆用手动粘片机，减薄时采用VG502MKⅡ813减薄机，划片用DAD3340划片机。 对于8″～12″晶圆：贴片机用3000Ⅲ/RM/MT10贴片机，减薄PG300RM减薄机，测厚仪：DH151/TSK。8″～12″晶圆划片：A-WD-300TXB划片机。 步骤2：上芯 对于单芯片封装件
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高智&让创新无法想象2000万件&专利数据集成电路芯片封装技术(李可为)【电子书籍下载 epub txt pdf doc 】
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集成电路芯片封装技术《高等技术应用型人才培养规划教材：集成电路芯片封装技术》是一本通用的集成电路芯片封装技术通用教材，《高等技术应用型人才培养规划教材：集成电路芯片封装技术》共分13章，内容包括：集成电路芯片封装概述、封装工艺流程、厚膜与薄膜技术、焊接材料、印制电路板、元件与电路板的连接、封胶材料与技术、陶瓷封装、塑料封装、气密性封装、封装可靠性工程、封装过程中的缺陷分析和先进封装技术。　　《高等技术应用型人才培养规划教材：集成电路芯片封装技术》在体系上力求合理、完整，并由浅入深地阐述封装技术的各个领域，在内容上接近于封装行业的实际生产技术。通过阅读《高等技术应用型人才培养规划教材：集成电路芯片封装技术》读者能较容易识封装行业，理解封装技术和工艺流程，了解先进的封装技术。　　《高等技术应用型人才培养规划教材：集成电路芯片封装技术》可作为高校相关专业教学用书及微电子封装企业职工的培训教材，也可供工程技术人员参考。第1章 集成电路芯片封装概述1.1 芯片封装技术1.1.1 概念1.1.2 芯片封装的技术领域1.1.3 芯片封装所实现的功能1.2 封装技术1.3 微电子封装技术的历史和发展趋势1.3.1 历史1.3.2 发展趋势1.3.3 国内封装业的发展复习与思考题1第2章 封装工艺流程2.1 概述2.2 芯片切割2.3 芯片贴装2.3.1 共晶粘贴法2.3.2 焊接粘贴法2.3.3 导电胶粘贴法2.3.4 玻璃胶粘贴法2.4 2芯片互连2.4.1 打线键合技术2.4.2 载带自动键合技术2.4.3 倒装芯片键合技术2.5 成型技术2.6 去飞边毛刺2.7 上焊锡2.8 切筋成型2.9 打码2.10 元器件的装配复习与思考题2第3章 厚/薄膜技术3.1 厚膜技术3.1.1 有效物质3.1.2 粘贴成分3.1.3 有机粘贴剂3.1.4 溶剂或稀释剂3.1.5 厚膜浆料的制备3.1.6 厚膜浆料的参数3.2 厚膜导体材料3.2.1 金导体3.2.2 银导体3.2.3 铜导体3.3 厚膜电阻材料3.3.1 厚膜电阻的电性能3.3.2 初始电阻性能3.3.3 与环境有关的电阻性能3.3.4 厚膜电阻的工艺考虑3.4 厚膜介质材料3.5 釉面材料3.6 丝网印刷3.7 厚膜浆料的干燥3.8 厚膜浆料的烧结3.9 薄膜技术3.10 薄膜材料3.11 厚膜与薄膜的比较复习与思考题3第4章 焊接材料4.1 焊接材料4.2 焊锡的种类4.3 锡膏4.4 助焊剂4.5 焊接表面的前处理4.6 无铅焊料4.6.1 世界立法的现状4.6.2 技术和方法4.6.3 无铅焊料和含铅焊料4.6.4 焊料合金的选择4.6.5 无铅焊料复习与思考题4第5章 印制电路板5.1 印制电路板简介5.2 硬式印制电路板5.2.1 印制电路板的绝缘体材料5.2.2 印制电路板的导体材料5.2.3 硬式印制电路板的制作5.3 软式印制电路板5.4 PCB多层互连基板的制作技术5.4.1 多层PCB基板制作的一般工艺流程5.4.2 多层PCB基板多层布线的基本原则5.4.3 PCB基板制作的新技术5.4.4 PCB基板面临的问题及解决办法5.5 其他种类电路板5.5.1 金属夹层电路板5.5.2 射出成型电路板5.5.3 焊锡掩膜5.6 印制电路板的检测复习与思考题5第6章 元器件与电路板的接合6.1 元器件与电路板的接合方式6.2 引脚架材料与工艺6.3 引脚插入式接合6.3.1 弹簧固定式的引脚接合6.3.2 引脚的焊接接合6.4 贴装技术6.4.1 波焊与回流焊6.4.2 气相焊与其他焊接技术6.5 连接完成后的清洁6.5.1 污染的来源与种类6.5.2 清洁方法与材料复习与思考题6第7章 封胶材料与技术7.1 顺形涂封7.2 涂封的材料7.3 封胶复习与思考题7第8章 陶瓷封装8.1 陶瓷封装简介8.2 氧化铝陶瓷封装的材料8.3 陶瓷封装工艺8.4 其他陶瓷封装材料复习与思考题8第9章 塑料封装9.1 塑料封装的材料9.2 塑料封装的工艺9.3 塑料封装的可靠性试验复习与思考题9第10章 气密性封装10.1 气密性封装的必要性10.2 金属气密性封装10.3 陶瓷气密性封装10.4 玻璃气密性封装复习与思考题10第11章 封装可靠性工程11.1 概述11.2 可靠性测试项目11.3 T/C测试11.4 T/S测试11.5 HTS测试11.6 TH测试11.7 PC测试11.8 Precon测试复习与思考题11第12章 封装过程中的缺陷分析12.1 金线偏移12.2 再流焊中的问题12.2.1 再流焊的工艺特点12.2.2 翘曲12.2.3 锡珠12.2.4 墓碑现象12.2.5 空洞12.2.6 其他缺陷复习与思考题12第13章 先进封装技术13.1 BGA技术13.1.1 子定义及特点13.1.2 BGA的类型13.1.3 BGA的制作及安装13.1.4 BGA检测技术与质量控制13.1.5 基板13.1.6 BGA的封装设计13.1.7 BGA的生产、应用及典型实例13.2 CSP技术13.2.1 产生的背景13.2.2 定义和特点13.2.3 CSP的结构和分类13.2.4 CSP的应用现状与展望13.3 倒装芯片技术13.3.1 简介13.3.2 倒装片的工艺和分类13.3.3 倒装芯片的凸点技术13.3.4 FC在国内?现状13.4 WLP技术13.4.1 简介13.4.2 WLP的两个基本工艺13.4.3 晶圆级封装的可靠性13.4.4 优点和局限性13.4.5 WLP的前景13.5 MCM封装与三维封装技术13.5.1 简介13.5.2 MCM封装13.5.3 MCM封装的分类13.5.4 三维（3D）封装技术的垂直互连13.5.5 三维（3D）封装技术的优点和局限性13.5.6 三维（3D）封装技术的前景复习与思考题13附录A 封装设备简介A.1 前段操作?　A.1.1 贴膜A.1.2 晶圆背面研磨A.1.3 烘烤A.1.4 上片A.1.5 去膜A.1.6 切割A.1.7 切割后检查A.1.8 芯片贴装A.1.9 打线键合A.1.10 打线后检查A.2 后段操作A.2.1 塑封A.2.2 塑封后固化A.2.3 打印（打码）A.2.4 切筋A.2.5 电镀A.2.6 电镀后检查A.2.7 电镀后烘烤A.2.8 切筋成形A.2.9 终测A.2.10 引脚检查A.2.11 包装出货附录B 《集成电路芯片封装技术》中英文缩略语附录C 度量衡C.1 国际制（SI）基本单位C.2 国际制（SI）词冠C.3 常用物理量及单位C.4 常用公式度量衡C.5 英美制及与公制换算C.6 常用部分计量单位及其换算附录D 化学元素表参考文献集成电路芯片封装技术复习题_百度文库
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