运用au和al解释可柯肯达尔效应应.是怎么回事

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-06-04 07:15 标签： 柯肯达尔效应的意义
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基于Si基芯片的Au/Al键合可靠性研究
对集成电路中常见的Au、Al键合的可靠性进行研究，重点分析高温条件持续时间对引线键合的影响。采用镜检和拉力测试的方法对引线键合点的形貌和强度进行检验，并根据拉力测试数据拟合出高温时间与拉力的关系曲线。最后，基于固相反应原理，给出高温状态下Au-Al系统金属间化合物的演变过程分析。结果表明，Al/Au键合界面比Au/Al界面在高温环境下的可持续工作时间更长。
Abstract：
In the field of integrated circuit chip packages, gold and aluminum wire bonding are widely used for electrical and signal interconnections. The research on reliability of gold and aluminum wire bonding is presented. The infections of high temperature storage time at the intensity of wire bonding are analyzed mainly. The shape and intensity of bonds are examined by microscopy and tensile test. According to tensile data, the curves of relationship between time and tensility are fitted. Finally, the analysis on development of intermetallic compounds in Au-Al system at high temperature is presented based on the theories of solid state reaction. It is indicated from the results that the duration of operation at high temperature of Al/Au bond interfaces is longer than one of Au/Al bond interfaces.
WANG Hui-jun
CUI Hong-bo
作者单位：
中国电子科技集团公司第55研究所,江苏 南京,210016
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在线出版日期：
基金项目：
总装预研基金项目(项目编号)。
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高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触
【摘要】：采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。
【作者单位】：
【关键词】：
【分类号】：TN303【正文快照】：
0引言低阻欧姆接触的获得对于高性能(Al)GaN氮化物器件的研制至关重要。目前,对n-GaN以及低Al组分n-AlxGa1-xN(x0.3)欧姆接触的研究已经较为成熟,所得到的比接触电阻率已达到10-6～10-7Ω·cm2量级[1-4]。但对于应用于深紫外LED、PD等光电器件的高Al组分AlxGa1-xN(x0.45)而
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