为使三极管放大电流具有电流放大作用,使用时应给三极管放大电流加怎样

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要使晶体三极管具有放大作用,极电结与发射结的偏置电压如何连接
杜文升★104
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三极管的放大原理以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大一般要求的工作条件:BE结正偏置,硅管一般放大时0.6-0.7V左右,实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现,CB结反偏,一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上.在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的.原理 1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.4 三极管的输入输出特性三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线.对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区.如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变(从发射区发射到基区的电子数就一定), IB也就基本不变.就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的.二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB.通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6~0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2~ -0.3V.三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线.在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区:1、放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区, IC = IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC
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三极管放大条件_三极管电流放大作用的内部外部条件
对模拟信号进行处理最基本的形式是放大。在生产实践和科学实验中,从传感器获得的模拟信号通常都很微弱,只有经过放大后才能进一步处理,或者使之具有足够的能量来驱动执行机构,完成特定的工作。放大电路的核心器件是三极管,三极管的放大作用与三极管内部PN的特殊结构有关。三极管的放大条件:三极管具有电流放大作用的内因三极管犹如两个反向串联的PN结,如果孤立地看待这两个反向串联的PN结,或将两个普通二极管串联起来组成三极管,是不可能具有三极管电流的放大作用。具有电流放大作用的三极管,PN结内部结构的特殊性是:1:为了便于发射结发射电子,发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度,且发射结的面积较小。2:发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体,但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度,且集电结的面积要比发射结的面积大,便于收集电子。3:联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄,且掺杂溶度也很低。上述的结构特点是三极管具有电流放大作用的内因。三极管的放大条件:三极管具有电流放大作用的外因:要使三极管具有电流的放大作用,除了三极管的内因外,三极管的放大作用还要有外部条件。三极管的发射极为正向偏置,集电结为反向偏置是三极管具有电流放大作用的外部条件。
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