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这就是传说中的坡莫合金吗？有什么特点？在电子管技术中有何用途
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今天整理变压器发现了两个，感觉是从那个仪器上拆下来的，没有扔，找出来，不知道有什么可开发利用的价值，请诸位给支个招
两个铁芯高X宽X叠后分别是 50mm X 25mm X 14mm，40mm X 24mm X 14mm。铁芯截面积都是14mm X 8mm
真心不懂，顶一个
把线圈都串联起来,如果电感量大于5H可做低频扼流圈.
是否是坡莫合金看不出来,坡莫合金初始磁导率高,矫顽力低,磁通密度低,所以一般用作音频变压器的铁心,(半导体用的多)电子管的多用于优质输入变压器.
坡莫合金导磁率高，但应力敏感性大，个人认为从外形上看不出上图铁芯是坡莫合金。
这个东西很像以前的日光灯上用的铁芯镇流器
记得以前半导体收音机输出输入变压器都是坡莫合金铁芯。
目测不是 坡莫合金。
油浸电容 发表于
记得以前半导体收音机输出输入变压器都是坡莫合金铁芯。
&&肯定不是，除非您说的那半导体是 中南海定制版的。
中国刚有坡莫合金的那前十年，这玩意跟白银一个价，有时候比白银价高。绝不可能出现在民用收音机中。
本帖最后由 于海旺 于
01:01 编辑
60年代除波莫合金片叫的非常响见&无线电&,当时想弄到至今未果.
据说坡莫合金是非常薄非常脆非常贵重的材料，你这个看不出来。
应该不是，坡莫合金的做工都非常好，有很多都带屏蔽的。
本帖最后由 w6955 于
06:49 编辑
这个是硅钢片吧。坡莫合金因为应力原因，都有一个漂亮的线圈框子，铁芯不会插得那摩紧。8W镇流器？！
不像玻莫合金，应该是普通硅钢片。录音机磁头是玻莫合金。
是披莫合金的变压器，仪表放大器上用的。用它做的变压器电感量较大。
本帖最后由
15:53 编辑
坡莫合金就是铁镍合金，一般含50-85%镍，亮白色，较软，特点是高导磁率，相同圈数可以提高电感量，价格昂贵，500元左右一公斤，一般大小也差不多一元一片。
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The ratio of growth showed that the efficacy of semiconductor device selection towards diversification, alloying and low dimensional bias growth, so the research of diversification and the alloying process of neutral variation discipline anomalies. However, degrees of freedom increase also means that the nature of the double complex, phase space dimension growth makes from theoretical and experimental data of this kind of research is the difficulty of surge. Worthy of the glorious, zinc blende structure based semiconductor in the process structure and properties adhere to a certain stability. At the same time, the first principles calculation methods of the system description in terms of absolute most mature, which makes us can through first principles calculations to study based on zinc blende structure of semiconductor in diversification and alloying process neutral change discipline, elements analysis of the evolution, change and structural change on the nature of the influence of trend, from the micro indecent on the system to know a large number of responses diverge positive test results, design with specific functional parameters of semiconductor supply basic. This paper is divided into six chapters. The first chapter introduces the recent multiple semiconductor and alloy with offset in the use of growth, phase diagram and the general nature of the discipline, the emergence of the ordered structure and characteristics, and rare semiconductor can. The second chapter briefly introduces the touch of calculation methods, including based on single electron approximation of the traditional energy band calculation methods, based on density functional actual first principles calculation methods, and used for semiconductor alloy valence force bulletproof function approach. This paper first applied the method of calculating the truth, in the second chapter, we also give the valence force field and elastic function first principle calculation methods of several kinds of calculation results compared with semiconductor alloys. In the third chapter, the application first principle of the computing research system in zinc blende structure Chalcogenide Semiconductor from binary to ternary and quaternary evolution of via the process of cation exchange. Invented in ternary and quaternary semiconductor with the genetic characteristics of the discipline of cations in the periodic table of the elements in the industry of Chalcogenide Semiconductor, the ground state structure is always compared to the eve of the alpha lattice constant, compared the four corners of the crystal deformation parameter ETA =c/2 alpha, the negative valence band top crystal field splitting, and more of the and the cation in the divergence of, the discipline just Department accurately. Based on the band composition and band offset calculation results analysis pointed out that from the II - VI to the evolution of the I - III - VI 2 band gap reduce important from P - D hybrid on the valence band of the push up, decline in the conduction band of only about 20% and from I - III - VI 2 to I - II - IV - VI 4 evolution, move to the top of the valence band almost can neglect, bring a group IV atom lower s orbital energy level of the conduction band decreased resolution the band gap decreases. And the test results compared to the invention the ground state structure of Cu2ZnGeSe4 Cu2ZnSnS4 semiconductor should custerite kesterite structures, test is generally not Yacha to stannite (stannite) structure can because X-ray diffraction pattern means less resolution atomic number close to the cation or I - II (001) layer Depart Cu2ZnSnSe4 band gap should be 1.0 EV you, and very often cite test measurement results 1.5ev. Calculation results illustrate the light induced luminesce the basis for calculating the, we guess Cu2ZnGeSe4 can become a new cheap solar material. The fourth chapter to three yuan - three yuan two yuan - three hybrid, hybrid structure, for the mind, on the two kinds of alloy systems to tectonic features. In CuGa- VI 2/AgGa- VI 2 alloy research, our system shows the AgxCu1-xGa- VI 2 alloy band gap with the lattice constant increases this arrhythmia band tendency, and according to band offset analysis of the differences of the impact of factors contribute, through the process of SQS imitation chalcopyrite structure of ternary - ternary disordered alloy and studied alloy micro structure, analyses the eve of the origin of parametric concave gap. In II - VI / I - III - VI 2, III - V / II - IV - V 2 ordered alloy research, we have to design a high quantum effect, 100% spin polarized electron source data as the goal, search the ordered structure at x = 0.5 time discrimination cation, consisting of two kinds of alloy, based on crystal field and spin orbit coupling split crack and energy stability results, and puts forward three kinds of alloy as latent polarized electron source cathode. The fifth chapter focuses on the BN/C2 alloy with high hardness, elastic structure and strength properties research. To clearance BC2N hardness can be between c-BN and between diamond for thought, systematic study of the properties of different crystal structure of discipline proposed quantitatively. The properties of BC2N alloy bond number rules, unlimited structure according to stop the search display. BN/C2 (111) superlattice structure in the vast similar construction of the primitive cell of the eve of the lowest energy structure is the most dense, bulk modulus is the biggest. Further elastic constants, shear modulus, fantasy tensile and shear strength, and vertical pressure shear strength calculation show that BC2N and bc4n (111) superlattice structure of shear modulus, strength of illusion and vertical under pressure on shear strength is higher than other BC2N structures, is also higher than that of c-BN. These superlattice structure expressed strong against the elastic deformation and plastic deformation ability, it is possible to have a high c-BN hardness. A major invention is that of this alloy system, calculation of shear modulus and vertical pressure shear strength are and test measurement of hardness is quasi linear, note the two volume is guessing the hardness of the alloy is suitable for physical quantities. This chapter also reviews the debate of constructing BC2N structural change, differences between the band gap and optical properties such as dielectric function. The sixth chapter in all chapters, and reviews the lack of existing research and debate way further improved.目录:目录3-7摘要7-9Abstract9-10第一章 常见半导体及合金的介绍11-37&&&&1.1 新型半导体及合金的发展12-19&&&&&&&&1.1.1 光电子器件中的半导体13-15&&&&&&&&1.1.2 太阳能电池吸收层半导体15-18&&&&&&&&1.1.3 本文的基本出发点18-19&&&&1.2 合金的一般规律19-24&&&&&&&&1.2.1 形成能与相图19-23&&&&&&&&1.2.2 半导体合金性质的经验规律23-24&&&&1.3 有序半导体合金24-27&&&&&&&&1.3.1 有序结构出现的原因24-26&&&&&&&&1.3.2 有序结构的对称性和超结构线26-27&&&&1.4 能带偏移27-33&&&&&&&&1.4.1 能带偏移的计算模型27-30&&&&&&&&1.4.2 常见半导体的能带偏移30-33&&&&参考文献33-37第二章 计算方法37-61&&&&2.1 单电子近似能带理论37-42&&&&&&&&2.1.1 Bonn-Oppenheimer近似和多电子哈密顿量37-38&&&&&&&&2.1.2 单电子近似的来源—Hartree-Fock自洽场方法38-41&&&&&&&&2.1.3 平面波经验赝势方法41-42&&&&2.2 第一性原理计算方法42-49&&&&&&&&2.2.1 密度泛函理论42-45&&&&&&&&2.2.2 程序框架45&&&&&&&&2.2.3 基函数和赝势45-48&&&&&&&&2.2.4 交换关联势48-49&&&&2.3 价力场应变能方法49-57&&&&&&&&2.3.1 VFF方法介绍49-50&&&&&&&&2.3.2 A_(1-x)B_xC(x=0.25和0.75)合金的VFF计算结果50-54&&&&&&&&2.3.3 与密度泛函方法计算结果的比较54-57&&&&参考文献57-61第三章 硫族化合物半导体从二元到三元再到四元的演化61-103&&&&3.1 二元、三元硫族半导体61-74&&&&&&&&3.1.1 Ⅱ-Ⅵ和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2的晶体结构61-64&&&&&&&&3.1.2 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2基态结构的能量稳定性64-65&&&&&&&&3.1.3 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2的电子能带结构65-71&&&&&&&&3.1.4 CH和CA结构价带顶的能级分裂71-74&&&&3.2 Ⅰ_2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_4和Ⅰ-Ⅲ-Ⅱ_2-Ⅵ_4四元半导体74-91&&&&&&&&3.2.1 研究背景74-76&&&&&&&&3.2.2 四元半导体的晶体结构76-79&&&&&&&&3.2.3 从Ⅱ-Ⅵ到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2再到Ⅰ_2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_4的演化79-88&&&&&&&&3.2.4 Ⅰ-Ⅲ-Ⅱ_2-Ⅵ_4:二元-三元合金88&&&&&&&&3.2.5 周期表中不同行元素的替换88-91&&&&3.3 廉价薄膜太阳能电池吸收层材料Cu_2ZnSn-Ⅵ_491-96&&&&&&&&3.3.1 研究背景91-93&&&&&&&&3.3.2 晶体结构和Cu+Zn层的部分无序化93&&&&&&&&3.3.3 电子结构和Cu_2ZnSnSe_4的带隙问题93-96&&&&3.4 小结96-97&&&&参考文献97-103第四章 基于闪锌矿和黄铜矿结构的半导体合金103-129&&&&4.1 CuGa-Ⅵ_2/AgGa-Ⅵ_2合金的反常能带结构103-117&&&&&&&&4.1.1 研究背景103-106&&&&&&&&4.1.2 化合物的能带结构特点106-109&&&&&&&&4.1.3 合金性质随成分的变化109-117&&&&4.2 Ⅱ-Ⅵ/Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2和Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2有序合金:潜在的极化光电子源材料117-124&&&&&&&&4.2.1 研究背景117-119&&&&&&&&4.2.2 二元-三元合金的晶体场劈裂119-122&&&&&&&&4.2.3 有序合金结构的能量稳定性122-124&&&&4.3 小结124-125&&&&参考文献125-129第五章 超硬的BN/C_2合金129-191&&&&5.1 超硬材料研究背景129-144&&&&&&&&5.1.1 过去二十年高硬度材料设计的进展129-135&&&&&&&&5.1.2 BC_2N合金的结构和硬度争议135-144&&&&5.2 BC_2N晶体结构和键数规则144-154&&&&&&&&5.2.1 晶体结构的选择及键成分参数144-146&&&&&&&&5.2.2 总能的键数规则146-150&&&&&&&&5.2.3 结构因子150-152&&&&&&&&5.2.4 晶格常数的键数规则152-153&&&&&&&&5.2.5 体弹性模量的键数规则153-154&&&&5.3 弹性常数和切变模量154-161&&&&&&&&5.3.1 弹性常数的计算方法154-158&&&&&&&&5.3.2 结果与讨论158-161&&&&5.4 理想强度和垂直加压后的剪切强度161-172&&&&&&&&5.4.1 计算方法161-162&&&&&&&&5.4.2 想拉仲强度162-167&&&&&&&&5.4.3 理想剪切强度和垂直加压后的剪切强度167-172&&&&5.5 结构转变路径及势垒172-176&&&&5.6 能带和光学性质176-180&&&&&&&&5.6.1 带隙和态密度176-177&&&&&&&&5.6.2 光学介电函数177-179&&&&&&&&5.6.3 极化内电场及其对带隙影响179-180&&&&5.7 小结180-183&&&&参考文献183-191第六章 总结与展望191-195博士期间发表论文情况195-197致谢197-199分享到：相关文献|