怎样消除ingaaspin光电二极管应用pin的暗电流

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极低暗电流InGaAsMSM_PD的光电特性研究
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光电PIN探测器
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尽管这一材料体系的pin通常只含有algasb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用lpe方法在350~500'c温度下生长在gasb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂p型,较高的温度用来生长n型,′通过用掺碲和掺锗的方法来实现n型和p型掺杂。  第一支该材料的二极管如图1(a)所示[14],它具有gasb/algasb异质结构,量子效率达到了54%,响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异
尽管这一材料体系的pin通常只含有algasb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用lpe方法在350~500'c温度下生长在gasb衬底上,较低的温度用来生长重掺杂p型,较高的温度用来生长n型,′通过用掺碲和掺锗的方法来实现n型和p型掺杂。  第一支该材料的二极管如图1(a)所示[14],它具有gasb/algasb异质结构,量子效率达到了54%,响应波长为1 ptm到1.7 ptm。通过在异质结间加一层本征algasb层实现pin结构如图1(b)所示,同时响应波长降到了1.3 gm。图1(c)所示结构的本征层由两种不同组分algaassb层构成,这种平面结构和保护环增大了击穿电压,减小了暗电流。图1(d)是这些不同结构的波长响应曲线,同时绘制出了上节中ingaa/lnp结构波长吸收曲线。这些algaassb光电探测器的主要问题是暗电流较大,在表面会有较大漏电流,。因此现在已逐渐被ingaas/ingaasp材料所取代。  图1 algaassb光电探测器  欢迎转载,信息来源维库电子市场网()
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