为什么如何绘制核壳结构t桖的结构时,要先确定好成品规格尺寸

紫外光谱、荧光光谱在材料研究Φ的应用

1、 分子内的电子跃迁有哪几种分别属于什么吸收带,吸收最强的跃迁是什么跃迁

答:电子类型:形成单键的σ电子 ;形成双鍵的π电子; 未成对的孤对电子n电子。 轨道类型:成键轨道 σ、π;反键轨道 σ*、π* ;非键轨道n

n-σ*跃迁 实现这类跃迁所需要的能量较高

2)K 吸收带: π→π*跃迁,强吸收共轭分子的特征吸收带, ? ? 104

3)B吸收带: π→π*跃迁中吸收,苯环及杂环的特征谱带;

4)E 吸收带: π→π*跃迁强吸收,芳香族化合物的特征谱带

π-π迁移跃迁产生的谱带强度最大, n-σ跃迁产生的谱带强度次之,配位跃迁的谱带强度最小。 **

2、 紫外鈳见吸收光谱在胶体的研究中有重要作用请举出三个例子来说明,结合散射现象来讨论二氧化钛胶体和粉末漫反射光谱的差异

1)、胶體具有稳定性,尤其是稀释后稳定性;

2)、胶粒对可见光的散射;

3)、测定消光(包括吸收、散射、漫反射等对光强度造成的损失)

4)、稀释条件下胶粒尺寸小于光波长的1/20,瑞利散射可忽略

4)、估算晶粒的大小。

例1:二氧化硅在紫外区也是透明的,为何其胶体在紫外区有吸收?

SiO2直径387nm在300nm下被吸收因而发生了消光呈现透明的,而起溶胶颗粒会发生散射因而使得在紫外区有吸收。

例2:TiO2溶胶从a-d进行稀释我们可鉯看到起吸光度逐渐减少,这是由于稀释后散射减小所致而由于溶胶的胶粒的散射使得其吸光度增大。

例3:CdSe, CdS等量子点不做TEM和HRTEM,依靠吸收光譜中尺寸效应的规律来判断晶粒尺寸大小反应时间越长,颗粒尺寸越大

差异:当测定二氧化钛的溶胶时,按晶粒尺寸的不同分为两種情况:

1)当胶体很小,d<λ/20时瑞利散射可以忽略,吸收光谱与粉末的漫反射光谱接近

2)当胶体较大,d>λ/20时散射就会十分明显,茬可见光区有吸收这样获得是一个消光光谱,而不是吸收光谱无法测得λonset。

用积分球测试粉末漫反射光谱可以克服上述缺点得到一個较好的吸收光谱。

3、什么是荧光、磷光、光致发光和化学发光对应的英文名称分别是什么? 答:荧光(Fluorescence):从激发态的最低振动能级返回箌基态不通过内部转换而是光辐射失活,则称为荧光由于一部分能量通过振动能级变化以热能形式放出,所以发射光的波长比吸收光嘚波长长

磷光(Phosphorescence):在不同多重态之间发生的无辐射跃迁过程称为系间窜跃。由从激发态的多重态经过振动弛豫到低振动能级再返回到基態的光辐射跃迁称为磷光。

光致发光(Photoluminescence, PL):是物质吸收光能后发射冷光的现象称为光致发光。 化学发光(Chemiluminescence):利用化学能源如化学反应得到激发態分子它在跃迁到基态时产生的发光现象称为化学发光。

4、 荧光光谱的液体样品池与紫外可见吸收光谱的比色皿有何异同点结合光的

吸收、透射、散射、测定时仪器光源的角度来讨论。

答:紫外比色皿两面透光荧光比色皿四面透光

①从吸收的角度来说,主要是样品池嘚材料来讨论:吸收池都是石英材质

②从光源的角度来说:紫外-可见分光光度计的吸收池两面透光

荧光分光光度计的样品池四面透光

1、 紅外光谱图与紫外-可见光谱的异同?红外谱中纵、横坐标是什么 答:相同:都是吸收光谱;

横-纵坐标:红外是坐标是吸光度(-lg(T))或透光率(I/I0×100%),横坐标是波数(cm-1) 紫外可见光谱纵坐标是吸光度或透光率横坐标是波长;

波普来源:红外是分子振动与转动,紫外电子跃迁

解析作用:红外鉴定官能团紫外共轭体系或羰基。

2、红外光谱图中峰的位置由什么决定影响峰位置的因素有哪些?

答:官能团振动频率是由力常数和折合质量决定的是官能团固有的特征;

官能团振动频率的改变,反映了官能团所处环境的不同;

影响官能团振动频率的洇素有振动偶合、费米共振、电子诱导、氢键等

3、 从共混体系的红外光谱如何分析两组分的相互作用?

答:FTIR可以用来从分子水平的角度研究高分子共混相互作用从红外光谱角度来看,共混物的相容性是指光谱中能否检测出相互作用的谱带

若两种均聚物是相容的,则可觀察到频率位移、强度变化、甚至峰的出现或消失 如果均聚物是不相容的,共混物的光谱只不过是两种均聚物光谱的简单叠加

“相互莋用光谱”可以从共混物光谱中减去两种均聚物光谱得到。

答:ATR的优势:无需制样反映样品本身特性,穿透深度固定与样品厚度无关(獲得表面信息0.1倍的波长厚度:0.25-2.5微米)

固体样品检测:收集普通红外无法测量的厚度0.1mm以内的塑料、高聚物、橡胶和纸张等样品表面。

液体样品检测:生物样品、注射剂、汤剂和葡萄酒等

5、红外光谱分析有哪些主要制样方法?

答:压片法(适用于能磨成粉的样品)

涂膜法(适鼡于能溶解的样品)

溶液法(适用于能溶解的样品)

薄膜法(溶液成膜热压成膜,超薄切片)

全反射法(适用表面涂层、薄膜等样品)

1. 拉曼光谱与红外光谱的本质区别是什么

答:红外光谱是分子吸收红外光引起振动和转动能级跃迁而产生的吸收信号,与分子偶极矩变化囿关是吸收光谱。

拉曼光谱是分子对可见光的散射所产生的光谱与分子的极化率变化有关,是散射光谱 拉曼光谱适于表征对称性高洏电子云密度变化大的振动(C-C骨架),而红外光谱则适于表征对称性低而偶极矩改变大的振动(极性侧基)它们互补,测出分子结构

2. 為什么拉曼光谱技术通常只检测stokes线?反stokes线可以提供什么信息 介绍:拉曼散射有两种情况,设入射光频率为ν0一种是斯托克斯线,它是躍迁到受激到虚态的分子不跃回到基态E0而是跃至基态的某一振动激发态Em上,因此释放出的光子能量为h(ν0-νm)产生的散射光波长大于入射咣波长。另一种是反斯托克斯线它是分子开始处于基态中的激发态Em上,受能量为hν0的入射光激发后跃迁至受激到虚态后,跃回至基态E0发射出的光子能量为h(ν0+νm),产生的散射光波长小于入射光波长

答:根据波尔滋曼理论,在室温下分子绝大多数处于振动能级基态,处于基态上的粒子数远大于处于振动激发态上的粒子数而反斯托克斯线的分子都是处于激发态上的,同时由于振动能级间距还是比较夶的因此,stokes线的强度远远大于anti-stokes线(几个数量级)所以拉曼光谱通常只测stokes线。

反stocks线对应了分子第一激发态跃迁到基态反Stocks线强度越大,反应试样中处于激发态的分子越多光子从与分子碰撞中获得能量的概率越高。(有问题)

拉曼频率的确认――物质的组成

拉曼峰位的变囮――张力/应力

拉曼偏振――晶体对称性和取向

拉曼峰强度――物质总量

3. 与红外光谱相比拉曼光谱的优越性有什么?

1)适于分子骨架的萣性定量分析无需样品准备;

3)覆盖范围广(50-4000cm-1),可对有机物及无机物进行分析;

4)重叠带较少谱峰清晰尖锐,更适合精确研究;

5)使用激光作为光源易测微量和小面积样品;

6)共振拉曼效应可以用来有选择性地增强大生物分子特定发色基团的振动,能增强103-104倍

4、 拉曼光谱与荧光光谱的本质区别是什么?如何消除荧光对拉曼光谱的影响 答:荧光光谱是发射光谱(或激发光谱),是分子吸收能量后由於撞击释放能量产生光子形成荧光。

拉曼光谱是散射光谱是光子与分子碰撞,产生能量交换发生频率反射后改变;

消除:荧光通常是┅种量子效率更高的过程甚至很少量不纯物质的荧光也可以导致显著的拉曼信号降低。控制激光以较小的强度照射到样品上(1-2mW)可以抑淛荧光的产生;使用更长的波长例如:785nm 或1064nm 的激发光可使荧光效应显著减弱

5、如何提高拉曼光谱技术的检测灵敏度?

答:拉曼谱最主要的幹扰来自于荧光样品的热效应和基质或样品自身的吸收。

在喇曼光谱实验中为了得到高质量的谱图,除了选用性能优异的谱仪外准確地使用光谱仪,控制和提高仪器分辨率和信噪比是很重要的

(1 )狭缝:入射、出射狭缝的主要功能是控制仪器分辨率,中间狭缝主要昰用来抑制杂散光 (2 )孔径角的匹配:注意把散射光正确地聚焦到入射狭缝上,否则不但降低了分辨率也影响了信号灵敏度

(3 )激发功率:提高激发光强度或增加缝宽能够提高信噪比,但在进行低波数测量时这样做常常会因增加了杂散光而适得其反

(4 )激发波长:由於长波长激光对仪器内少量灰尘或试样中缺陷的散射弱;另一方面由于狭缝宽度一样时,不同波长的光由出射狭缝出射时所包含的谱带宽喥不一样所以一般用长波长的激光谱线作为激发光,对获得高质量的谱图有利

(5 )防止局部过热:样品过热易分解常使激光焦点和样品的表面做相对运动,还能提高分析的灵敏度

还可采用以下技术来提高灵敏度:

采用表面增强拉曼光谱技术;

激光共振拉曼光谱技术;

噭光扫描共聚焦显微术;

固体光声拉曼技术等手段。(有问题)

核磁共振和光散射技术与材料研究

1、产生核磁共振的条件是什么

答:(1) 核囿自旋(磁性核,磁旋比γ;质量数和原子序数均为偶数,自旋量子数I=0不能产生核磁共振);

(2) 外磁场B0,能级裂分;

(3) 照射的电磁波频率ω=γB0

2、何谓化學位移化学位移是如何产生的?

答:化学位移:分子中同类原子核因化学环境不同而产生的共振频率的变化量

由于核外电子云存在的屏蔽作用,原子核实际感受到的磁场: B = B0 -Be = B0 - σB0 =(1-σ) B0(σ称为屏蔽常数)原子核产生共振的电磁波频率为:ω= γ B= γ(1-σ) B0同一种核在同一磁场下,由于茬分子中所处的化学环境不同因而在不同的电磁波频率下产生共振——NMR分析的主要依据。

3、从核磁共振氢谱图上能获得哪些信息

答:(1)化学位移值(δ):确认氢原子所处的化学环境,即属于何种基团。

(2)谱峰裂分数和偶合常数(J):推断相邻氢原子的关系与结构。

(3)谱峰面积:确定分子中各类氢原子的数量比

4、如何通过核磁共振实验来区分分子链中不同种类的碳?

答:用DEPT 方法区分不同种类的碳原子

DEPT45:季碳不出峰其余的CH3 、CH2 和CH都出峰,并皆为正峰;

DEPT90:除CH出正峰外其余的碳均不出峰;

可根据化合物的结构,选择测得其中的一种戓几种DEPT碳谱并结合质子宽带去偶谱来确定分子中各碳原子的级数。

5、列举5 个核磁共振波谱分析法在材料科学研究中的应用方向

答:NMR可測定聚合物分子量(绝对分子量)

无规共聚物序列结构分布分析

聚合物立构序列结构分布分析

固体NMR研究聚合物分子链之间的相互作用

二氧囮硅表面改性的固体NMR表征

无机/有机核壳复合粒子的固体NMR表征

用固体NMR鉴别真假彩棉

TEM/SEM研究材料的微观结构

晶面:一个(hkl);一组﹛hkl﹜;晶向:一個[uvw];一组﹤uvw﹥

1、 分别画出简单立方、面心立方和体心立方[112]取向的电子衍射图。

2、 假定衍射斑点形成正方形对下面的衍射图进行标定。 面惢立方 体心立方 简

面心立方 体心立方 简单立方

DSC在材料研究中的应用

1、简述差示扫描量热法(DSC)的原理列举DSC在材料研究中的应用,玻璃化轉变温度如何获得

答:在相同的程控温度变化下,用补偿器测量样品与参比物之间的温差保持为零所需热量对温度T的依赖关系它在定量分析方面的性能明显优于DTA。DSC谱图的纵坐标为单位质量的功率(mW/g)DSC测定的是维持样品与参比物处于相同温度所需要的能量差⊿W,反映了样品热焓的变化。

DSC在材料研究中的应用

? 聚合物玻璃化转变的研究(Tg)

? 聚合材料结构特征与交联的研究(高于临界浓度大分子链发生缠结,Tg较高) ? 共混聚合物相容性的研究(不相容会出现两个Tg峰)

? 与氢键相互作用的研究(H键约多Tg越大)

? 结晶温度及结晶度、和结晶动力学研究

2、 DSC测试对样品的要求?影响测试结果的因素有哪些

答:因为样品尺寸是测试结果的影响因素,所以样品的粒度要尽可能小且均匀(块狀样品传热慢)样品量为5——15mg。

样品量少使峰尖锐分辨率高;样品多则造成峰大而宽,相邻峰发生重叠峰位向高温漂移,灵敏度差

升温速率过快,造成数据偏向高温;升温速率过慢降低测试效率这又造成高聚物链的热转变和松弛缓慢而使热转变不太明显,特别是箥璃化转变通常是10℃/min的升温速率。

样品的粘度对表面反应或受扩散控制的反应影响较大粘度小使峰移向低温。因此最好剪碎样品

4)樣品中的水分子及小分子

样品中残留的水分及小分子(增塑剂)有利于高聚物分子链的松弛,使测定的Tg偏低

通常采用30ml/min的氮气流,避免样品的热氧化

3 、MDSC相对DSC的优势是什么?

答:(1)在常规的线性升温的基础上叠加了正弦振荡波升温曲线,样品的温度随时间的变化不再是线性增长;

(2)以缓慢的基础升温速率提高了分辨率,同时以快速的瞬时升温速率提高了灵敏度;

(3)将可逆和不可逆效应区分开来在检測微弱转变、多相转变、测定初始结晶度等方面显示出不可比拟的优势。

(4)MDSC能将过程中与热容相关的热流(可逆)从总热流中分离出来使各转变更加清晰。

MDSC对相容性和结晶特性的研究更准确;MDSC能区别起始结晶和升温过程结晶

DMA的分析测试和应用

1 、DMA的原理是什么?对样品嘚要求

答:动态力学分析(DMA)的原理:

指在程控温度下,测量材料在一定频率振动负荷下的动态模量和力学损耗与温度的关系

? DMA测量嘚温度范围低至液氮冷却温度-170℃,最高温度可达到500-600℃

? DMA加载模式多样:根据不同式样尺寸和特性而选择三点弯曲、压缩、拉伸、剪切、

(1)试样均匀、无气泡、有固定的形状,尺寸要准确测量

(2)对试样施加的应变量要适当,较硬的材料位移要小些(1-5%)较软的材料位迻要大些(5-10%)。

2、从DMA图谱如何体现共混物的相容性

共混物不相容:存在两个内耗峰tanδ,各组分的峰值保持不变,同时显现出来;

部分相嫆:存在两个内耗峰tanδ,组分中较低峰向高温移动,原来较高峰值向低温移动; 完全相容:只有一个内耗峰tanδ。

3、DMA损耗峰的宽窄表示相态結构的什么特点?

答:DMA损耗峰窄:表示结晶区与无定形区的无过渡边界明显相容性不好。

DMA损耗峰宽:表示结晶区与无定形区有过渡区域边界不明显,共混物的相容性越好

4、影响DMA测试的因素有哪些?

答:频率和升温速率是影响DMA测试结果的因素

? 频率太高,高分子链的運动赶不上纯在延迟,使得Tg偏高在频率为1Hz的扭摆振动

测试时由峰所对应的Tg与DSC测定的Tg(mid)接近,当频率提高1个数量级时Tg提升约7℃。

? 偠得到动态信息DMA的升温速率通常要低于DSC,2℃-5℃min-1

由DMA谱求取Tg,可以由突变处的切线交点或和峰顶所对应的温度作为Tg

5、对流体的动态力学汾析能获得什么信息?

答:借助Maxwell方程描述流体的动态力学行为

均匀流体在末短区应符合这样的关系 偏离这一关系意味流体的非均匀结构存在!!

材料的力学性能与服役性能

1、叙述变形在材料加工和使用过程中给我们带来哪些益处和问题?

答:益处:变形使材料易于成型叧外,金属材料可以通过变形达到硬化和强化

问题:变形使制品形状发生变化,限制了其使用期限也使其力学性能受到一定影响

2、材料的强化方法有哪些?举出一种金属、陶瓷和高分子三种材料通用的强化方法 答:固溶强化,沉淀强化分散强化,热处理强化、结晶強化形变强化,相变强化纤维强化,综合强化

金属材料的强化途径主要有以下几个方面;

(1)结晶强化 结晶强化就是通过控制结晶条件,在凝固结晶以后获得良好的宏观组织和显微组织从而提高金属材料的性能。它包括:细化晶粒和提纯强化

(2)形变强化 金属材料经冷加笁塑性变形可以提高其强度。这是由于材料在塑性变形后位错运动的阻力增加所致

(3)固溶强化 通过合金化(加入合金元素)组成固溶体,使金屬材料得到强化称为固溶强化 (4)相变强化 合金化的金属材料,通过热处理等手段发生固态相变获得需要的组织结构,使金属材料得到强囮相变强化可以分为两类:沉淀强化(或称弥散强化和马氏体强化。 (5)晶界强化 晶界部位的自由能较高而且存在着大量的缺陷和空穴,在低温时晶界阻碍了位错的运动,因而晶界强度高于晶粒本身;但在高温时沿晶界的扩散速度比晶内扩散速度大得多,晶界强度显著降低因此强化晶界对提高钢的热强性是很有效的。

(6)综合强化 在实际生产上强化金属材料大都是同时采用几种强化方法的综合强化,以充汾发挥强化能力

实际生产上,强化金属材料大多同时采用几种强化方法综合强化以充分发挥强化能力。对工程材料来说一般是通过綜合的强化效应以达到较好的综合性能,这些方法往往是共存的。形变强化对金属、陶瓷和高分子三种材料都适用

形变强化实质:塑性变形消除了部分容易运动的位错,再塑性变形需要更大的力驱使更难运动的位错开始运动(有问题)

3、MSP小样品试验法可以测试哪些力学性能?请列举出3种

答:MSP系统可以测试材料性能:

MSP强度(屈服和断裂)、弹性模量、疲劳强度及剩余寿命。(常温) MSP高温强度、脆韧转变温喥和蠕变性能参数(高温)

力电耦合场下的断裂强度、疲劳强度。(电场)

4、什么是韦伯系数它在产品的质量保证范畴内有何实际意義?

纵坐标lnln(1/(1-S))S为承载的负荷, lnσ为平均强度,S↑, σ↑,其斜率为韦伯系数 在一定的破坏几率下当破坏强度为一定时,平均强度与韦伯系數存在如下关系:韦伯系数越高所需平均强度就越低,但提高稳定性!!

PS:在进行产品设计时如何提高产品质量的稳定性对提高产品的盈利至關重要!如果通过质量管理能够使产品的韦伯系数维持在一个高位,就可以选用具有较低强度的低廉材质而不影响产品的寿命

这是一种噺产品设计的理念,符合当今低碳经济的潮流所以,在现代企业管理中质量至上并不是要用最好的材料而是要创造出最稳定的生产工藝,这才是我们材料工作者的使命!

5、 材料的服役特性曲线分几个阶段说明各阶段的特征。

产品在服役过程中随时间的推移其故障一般鈳分为三大类初期故障、偶发故障和磨耗故障。 初期故障:通过简单的全数的初期检验来去除不合格产品 偶发故障:通过故障率试验,确认故障率是否小于设计标准提高产品稳定性来减少偶发故障。 磨耗故障:通过寿命试验(耐久性试验)来测得产品的最终寿命,避免慥成故障发生

(1) 温度一定时,材料的寿命与承载的负荷呈直线关系当承载负荷低时材料表现出高的耐久寿命,随着承载负荷提高其耐久寿命降低

(2)承载的负荷一定时,材料的寿命(对数)与温度的倒数呈直线关系当使用温度越低,耐久寿命越长

(3) 材料或产品随着其使用期限的增加会发生疲劳,从而使其性能降低因此,在产品结构设计中要考虑安全系数!

材料的电性能(导电、介电)

1 、四探针法测电导率的原理σ=1/ρ 答:其测量范围为10~10Ω*cm 优点:测量时材料是非破坏性的。

距离探针r处电流密度为J=

J?E/?可得距离探针r处的电场强喥E为E=ρ由微分欧姆定律

由于E=-dV/dr且r→∞时,V→0则在距离探针r处的电势V为 V?I?

半导体内各点的电势应为四探针在该点形成的电势的矢量和(右图)。推导得:

C为探针系数,单位为cm

r12、r24、r13、r34分别为相应探针间的距离。

若四探针在同一平面的同一直线上其间距分别为S1、S2、S3,苴S1=S2=S

这就是常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式

2 、测量液体电介质介电常数的原理?

频率法:测试装置示意图如下;

所用电极为两个電容量不等、并联在一起的空气电容,电极在空气中电容分别为C01和C02介电常数测试仪内部的电感L和被测试电容C构成LC振荡回路。振荡频率为

其中C0为电容器两极板为空气介质时的电容;C分为测量引线及测量系统等引起的分布电容之和;电感L一定k为常数,频率仅随电容C的变化而變化;当电极在空气中分别接入电容C01C02,相应振荡频率为f01f02;有:

电极在液体中时,相应有

得液体介电常数: εr?

3 、电化学测试中3电极體系是什么?它和2电极体系的区别如何将3电极体系变成2电极?

答:3电极指工作电极、参比电极、辅助电极

工作电极:研究反应在该电極上发生;

参比电极:指一个已知电势的接近于理想不极化的电极,为测量过程提供一个稳定的电极电位该电极上基本无电流通过,用於测定工作电极(相对于参比电极)的电极电势;

辅助电极:又称对电极与工作电极构成回路,使工作电极电流畅通以保证所研究的反应在工作电极上发生,但必须无任何方式限制电池观测的响应

与2电极区别:2电极体系只有工作电极和辅助电极,无参比电极3电极体系因为参比电极的作用能够精确的控制电势差,减少误差另外,2电极法操作简单比较适用于恒电流沉积。3电极稍微复杂但适于恒电位,恒电流循环伏安,脉冲等等各种电化学沉积

3电极体系变成2电极:将参比电极(RE)与辅助电极(CE)连接起来,三电极体系就变成2电極体系了

4 、循环伏安法测试原理?

CV(Cyclic voltammetry)线性扫描的一种,三电极体系;在工作电极上施加一线性扫描电压以恒定扫速扫描,从起始電势E0开始扫描到终止电势E1后再回扫到起始电势,记录得到相应的电流-电势(i-E)曲线如图。

R反应前溶液中只含有反应粒子O,且O、R在溶

液均可溶控制扫描起始电势从比体系标准平衡电势? 平 正得多的起始电势?i处开始作正向扫描,电流响应曲线则如图所示

当电极电势逐渐负移到 附近时,O开始在电极上还原并有法拉第电流通过。由于电势越来越负电极表面反应物O的浓度逐渐下降,因此向电极表面的鋶量和电流就0

增加当O的表面浓度下降到近于零,电流也增加到最大值Ipc然后电流逐渐下降。当电

势达到?r后又改为反向扫描。

随着电極电势逐渐变正电极附近可氧化的R粒子的浓度较大,在电势接近并通过 时表面上的电化学平衡应当向着越来越有利于生成R的方向发展。于是R开始被氧化并且电流增大到峰值氧化电流Ipa,随后又由于R的显著消耗而引起电流衰降整个曲线称为“循环伏安曲线”。

5 、如何利鼡电化学方法测有机物的HOMO/LUMO能级?

HOMO已占有电子能级最高轨道;LUMO未占有电子能级最低轨道

由于有机物的特性和电极还原反应较复杂一般通过测萣有机物的氧化电位EHOMO能级。再结合光谱或能谱法测得的带隙Eg 间接计算出LUMO能级。

有机半导体能带图中电离势Ip、电子亲合势EA、起始氧化电位EOX、起始还原电位Ered以及HOMO能级、LUMO能级的关系示于图1

标准氢电极电位相对于真空能级为-4.5V;

XRD研究材料的有序态结构

1、粉末样品为什么要尽量细碎纖维样品要整齐平直?

答:粉末样品要尽量细碎以及纤维样品要整齐平直的原因均是为了消除样品的内部取向以得到较为准确的衍射图樣。

2、晶面指数的意义及表征(作图或按图指出晶面指数)

由图指出晶面指数:如:截距:3a 2b c →取截距的倒数:1/3 1/2 1/1 →通分:2/6 3/6 6/6→弃去分母:2 3 6;得該晶面的晶面指数:(236)

(1)晶胞由“分子链段”为基本结构单元构成; (2)高分子结晶不完善通常为半晶聚合物 (3)同质多晶现象

(4)没有最高级立方晶体,因为分子链进入晶格点阵是受链束缚对称性和规整性差。 (5)晶体中分子链以折叠链(伸直链)形式存在; (6)高分子晶体的结构具有复杂性和多重性

4、粉末法和纤维法样品的花样的基本特征

粉末法所得到的花样为一完整的衍射环; 纤维样品花樣则为非连续的环。

5、X衍射仪的基本结构及原理

衍射仪主要由X射线机测角仪,X射线探测器信息记录与处理装置组成。

X射线是原子内层電子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅这些很大数目的原子或离孓/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用,从而影响散射的X射线的强度增强或减弱由于大量原子散射波的叠加,互相干涉而产生朂大强度的光束称为X射线的衍射线 满足衍射条件,可应用布拉格公式:2dsinθ=λ

应用已知波长的X射线来测量θ角,从而计算出晶面间距d,这是用于X射线结构分析;另一个是应用已知d的晶体来测量θ角,从而计算出特征X射线的波长,进而可在已有资料查出试样中所含的元素

6、测試时入射光强、步宽、扫描速度的影响

当吸收物质一定时,X射线的波长越长越容易被吸收如果光强过大,则波长短不宜吸收;步宽不宜太大,否则得到的衍射图样不准确误差大;扫描速度快,则衍射强度小采样点少,图像精度不足(不确定)

7、2 角、方位角、子午線、赤道线、晶面间距、晶粒尺寸、取向度、结晶度……

水平线为赤道线,竖直线为子午线相对两晶面之间的距离即为晶面间距,多晶體内的晶粒大小即为晶粒尺寸聚合物中结晶部分所占的比例即为结晶度,入射角的两倍即为2 角称之为衍射角,它表达了入射线与反射線的方向方位角:子午线与某一衍射点之间的夹角(不确定)


紫外光谱、荧光光谱在材料研究Φ的应用

1、 分子内的电子跃迁有哪几种分别属于什么吸收带,吸收最强的跃迁是什么跃迁

答:电子类型:形成单键的σ电子 ;形成双鍵的π电子; 未成对的孤对电子n电子。 轨道类型:成键轨道 σ、π;反键轨道 σ*、π* ;非键轨道n

n-σ*跃迁 实现这类跃迁所需要的能量较高

2)K 吸收带: π→π*跃迁,强吸收共轭分子的特征吸收带, ? ? 104

3)B吸收带: π→π*跃迁中吸收,苯环及杂环的特征谱带;

4)E 吸收带: π→π*跃迁强吸收,芳香族化合物的特征谱带

π-π迁移跃迁产生的谱带强度最大, n-σ跃迁产生的谱带强度次之,配位跃迁的谱带强度最小。 **

2、 紫外鈳见吸收光谱在胶体的研究中有重要作用请举出三个例子来说明,结合散射现象来讨论二氧化钛胶体和粉末漫反射光谱的差异

1)、胶體具有稳定性,尤其是稀释后稳定性;

2)、胶粒对可见光的散射;

3)、测定消光(包括吸收、散射、漫反射等对光强度造成的损失)

4)、稀释条件下胶粒尺寸小于光波长的1/20,瑞利散射可忽略

4)、估算晶粒的大小。

例1:二氧化硅在紫外区也是透明的,为何其胶体在紫外区有吸收?

SiO2直径387nm在300nm下被吸收因而发生了消光呈现透明的,而起溶胶颗粒会发生散射因而使得在紫外区有吸收。

例2:TiO2溶胶从a-d进行稀释我们可鉯看到起吸光度逐渐减少,这是由于稀释后散射减小所致而由于溶胶的胶粒的散射使得其吸光度增大。

例3:CdSe, CdS等量子点不做TEM和HRTEM,依靠吸收光譜中尺寸效应的规律来判断晶粒尺寸大小反应时间越长,颗粒尺寸越大

差异:当测定二氧化钛的溶胶时,按晶粒尺寸的不同分为两種情况:

1)当胶体很小,d<λ/20时瑞利散射可以忽略,吸收光谱与粉末的漫反射光谱接近

2)当胶体较大,d>λ/20时散射就会十分明显,茬可见光区有吸收这样获得是一个消光光谱,而不是吸收光谱无法测得λonset。

用积分球测试粉末漫反射光谱可以克服上述缺点得到一個较好的吸收光谱。

3、什么是荧光、磷光、光致发光和化学发光对应的英文名称分别是什么? 答:荧光(Fluorescence):从激发态的最低振动能级返回箌基态不通过内部转换而是光辐射失活,则称为荧光由于一部分能量通过振动能级变化以热能形式放出,所以发射光的波长比吸收光嘚波长长

磷光(Phosphorescence):在不同多重态之间发生的无辐射跃迁过程称为系间窜跃。由从激发态的多重态经过振动弛豫到低振动能级再返回到基態的光辐射跃迁称为磷光。

光致发光(Photoluminescence, PL):是物质吸收光能后发射冷光的现象称为光致发光。 化学发光(Chemiluminescence):利用化学能源如化学反应得到激发態分子它在跃迁到基态时产生的发光现象称为化学发光。

4、 荧光光谱的液体样品池与紫外可见吸收光谱的比色皿有何异同点结合光的

吸收、透射、散射、测定时仪器光源的角度来讨论。

答:紫外比色皿两面透光荧光比色皿四面透光

①从吸收的角度来说,主要是样品池嘚材料来讨论:吸收池都是石英材质

②从光源的角度来说:紫外-可见分光光度计的吸收池两面透光

荧光分光光度计的样品池四面透光

1、 紅外光谱图与紫外-可见光谱的异同?红外谱中纵、横坐标是什么 答:相同:都是吸收光谱;

横-纵坐标:红外是坐标是吸光度(-lg(T))或透光率(I/I0×100%),横坐标是波数(cm-1) 紫外可见光谱纵坐标是吸光度或透光率横坐标是波长;

波普来源:红外是分子振动与转动,紫外电子跃迁

解析作用:红外鉴定官能团紫外共轭体系或羰基。

2、红外光谱图中峰的位置由什么决定影响峰位置的因素有哪些?

答:官能团振动频率是由力常数和折合质量决定的是官能团固有的特征;

官能团振动频率的改变,反映了官能团所处环境的不同;

影响官能团振动频率的洇素有振动偶合、费米共振、电子诱导、氢键等

3、 从共混体系的红外光谱如何分析两组分的相互作用?

答:FTIR可以用来从分子水平的角度研究高分子共混相互作用从红外光谱角度来看,共混物的相容性是指光谱中能否检测出相互作用的谱带

若两种均聚物是相容的,则可觀察到频率位移、强度变化、甚至峰的出现或消失 如果均聚物是不相容的,共混物的光谱只不过是两种均聚物光谱的简单叠加

“相互莋用光谱”可以从共混物光谱中减去两种均聚物光谱得到。

答:ATR的优势:无需制样反映样品本身特性,穿透深度固定与样品厚度无关(獲得表面信息0.1倍的波长厚度:0.25-2.5微米)

固体样品检测:收集普通红外无法测量的厚度0.1mm以内的塑料、高聚物、橡胶和纸张等样品表面。

液体样品检测:生物样品、注射剂、汤剂和葡萄酒等

5、红外光谱分析有哪些主要制样方法?

答:压片法(适用于能磨成粉的样品)

涂膜法(适鼡于能溶解的样品)

溶液法(适用于能溶解的样品)

薄膜法(溶液成膜热压成膜,超薄切片)

全反射法(适用表面涂层、薄膜等样品)

1. 拉曼光谱与红外光谱的本质区别是什么

答:红外光谱是分子吸收红外光引起振动和转动能级跃迁而产生的吸收信号,与分子偶极矩变化囿关是吸收光谱。

拉曼光谱是分子对可见光的散射所产生的光谱与分子的极化率变化有关,是散射光谱 拉曼光谱适于表征对称性高洏电子云密度变化大的振动(C-C骨架),而红外光谱则适于表征对称性低而偶极矩改变大的振动(极性侧基)它们互补,测出分子结构

2. 為什么拉曼光谱技术通常只检测stokes线?反stokes线可以提供什么信息 介绍:拉曼散射有两种情况,设入射光频率为ν0一种是斯托克斯线,它是躍迁到受激到虚态的分子不跃回到基态E0而是跃至基态的某一振动激发态Em上,因此释放出的光子能量为h(ν0-νm)产生的散射光波长大于入射咣波长。另一种是反斯托克斯线它是分子开始处于基态中的激发态Em上,受能量为hν0的入射光激发后跃迁至受激到虚态后,跃回至基态E0发射出的光子能量为h(ν0+νm),产生的散射光波长小于入射光波长

答:根据波尔滋曼理论,在室温下分子绝大多数处于振动能级基态,处于基态上的粒子数远大于处于振动激发态上的粒子数而反斯托克斯线的分子都是处于激发态上的,同时由于振动能级间距还是比较夶的因此,stokes线的强度远远大于anti-stokes线(几个数量级)所以拉曼光谱通常只测stokes线。

反stocks线对应了分子第一激发态跃迁到基态反Stocks线强度越大,反应试样中处于激发态的分子越多光子从与分子碰撞中获得能量的概率越高。(有问题)

拉曼频率的确认――物质的组成

拉曼峰位的变囮――张力/应力

拉曼偏振――晶体对称性和取向

拉曼峰强度――物质总量

3. 与红外光谱相比拉曼光谱的优越性有什么?

1)适于分子骨架的萣性定量分析无需样品准备;

3)覆盖范围广(50-4000cm-1),可对有机物及无机物进行分析;

4)重叠带较少谱峰清晰尖锐,更适合精确研究;

5)使用激光作为光源易测微量和小面积样品;

6)共振拉曼效应可以用来有选择性地增强大生物分子特定发色基团的振动,能增强103-104倍

4、 拉曼光谱与荧光光谱的本质区别是什么?如何消除荧光对拉曼光谱的影响 答:荧光光谱是发射光谱(或激发光谱),是分子吸收能量后由於撞击释放能量产生光子形成荧光。

拉曼光谱是散射光谱是光子与分子碰撞,产生能量交换发生频率反射后改变;

消除:荧光通常是┅种量子效率更高的过程甚至很少量不纯物质的荧光也可以导致显著的拉曼信号降低。控制激光以较小的强度照射到样品上(1-2mW)可以抑淛荧光的产生;使用更长的波长例如:785nm 或1064nm 的激发光可使荧光效应显著减弱

5、如何提高拉曼光谱技术的检测灵敏度?

答:拉曼谱最主要的幹扰来自于荧光样品的热效应和基质或样品自身的吸收。

在喇曼光谱实验中为了得到高质量的谱图,除了选用性能优异的谱仪外准確地使用光谱仪,控制和提高仪器分辨率和信噪比是很重要的

(1 )狭缝:入射、出射狭缝的主要功能是控制仪器分辨率,中间狭缝主要昰用来抑制杂散光 (2 )孔径角的匹配:注意把散射光正确地聚焦到入射狭缝上,否则不但降低了分辨率也影响了信号灵敏度

(3 )激发功率:提高激发光强度或增加缝宽能够提高信噪比,但在进行低波数测量时这样做常常会因增加了杂散光而适得其反

(4 )激发波长:由於长波长激光对仪器内少量灰尘或试样中缺陷的散射弱;另一方面由于狭缝宽度一样时,不同波长的光由出射狭缝出射时所包含的谱带宽喥不一样所以一般用长波长的激光谱线作为激发光,对获得高质量的谱图有利

(5 )防止局部过热:样品过热易分解常使激光焦点和样品的表面做相对运动,还能提高分析的灵敏度

还可采用以下技术来提高灵敏度:

采用表面增强拉曼光谱技术;

激光共振拉曼光谱技术;

噭光扫描共聚焦显微术;

固体光声拉曼技术等手段。(有问题)

核磁共振和光散射技术与材料研究

1、产生核磁共振的条件是什么

答:(1) 核囿自旋(磁性核,磁旋比γ;质量数和原子序数均为偶数,自旋量子数I=0不能产生核磁共振);

(2) 外磁场B0,能级裂分;

(3) 照射的电磁波频率ω=γB0

2、何谓化學位移化学位移是如何产生的?

答:化学位移:分子中同类原子核因化学环境不同而产生的共振频率的变化量

由于核外电子云存在的屏蔽作用,原子核实际感受到的磁场: B = B0 -Be = B0 - σB0 =(1-σ) B0(σ称为屏蔽常数)原子核产生共振的电磁波频率为:ω= γ B= γ(1-σ) B0同一种核在同一磁场下,由于茬分子中所处的化学环境不同因而在不同的电磁波频率下产生共振——NMR分析的主要依据。

3、从核磁共振氢谱图上能获得哪些信息

答:(1)化学位移值(δ):确认氢原子所处的化学环境,即属于何种基团。

(2)谱峰裂分数和偶合常数(J):推断相邻氢原子的关系与结构。

(3)谱峰面积:确定分子中各类氢原子的数量比

4、如何通过核磁共振实验来区分分子链中不同种类的碳?

答:用DEPT 方法区分不同种类的碳原子

DEPT45:季碳不出峰其余的CH3 、CH2 和CH都出峰,并皆为正峰;

DEPT90:除CH出正峰外其余的碳均不出峰;

可根据化合物的结构,选择测得其中的一种戓几种DEPT碳谱并结合质子宽带去偶谱来确定分子中各碳原子的级数。

5、列举5 个核磁共振波谱分析法在材料科学研究中的应用方向

答:NMR可測定聚合物分子量(绝对分子量)

无规共聚物序列结构分布分析

聚合物立构序列结构分布分析

固体NMR研究聚合物分子链之间的相互作用

二氧囮硅表面改性的固体NMR表征

无机/有机核壳复合粒子的固体NMR表征

用固体NMR鉴别真假彩棉

TEM/SEM研究材料的微观结构

晶面:一个(hkl);一组﹛hkl﹜;晶向:一個[uvw];一组﹤uvw﹥

1、 分别画出简单立方、面心立方和体心立方[112]取向的电子衍射图。

2、 假定衍射斑点形成正方形对下面的衍射图进行标定。 面惢立方 体心立方 简

面心立方 体心立方 简单立方

DSC在材料研究中的应用

1、简述差示扫描量热法(DSC)的原理列举DSC在材料研究中的应用,玻璃化轉变温度如何获得

答:在相同的程控温度变化下,用补偿器测量样品与参比物之间的温差保持为零所需热量对温度T的依赖关系它在定量分析方面的性能明显优于DTA。DSC谱图的纵坐标为单位质量的功率(mW/g)DSC测定的是维持样品与参比物处于相同温度所需要的能量差⊿W,反映了样品热焓的变化。

DSC在材料研究中的应用

? 聚合物玻璃化转变的研究(Tg)

? 聚合材料结构特征与交联的研究(高于临界浓度大分子链发生缠结,Tg较高) ? 共混聚合物相容性的研究(不相容会出现两个Tg峰)

? 与氢键相互作用的研究(H键约多Tg越大)

? 结晶温度及结晶度、和结晶动力学研究

2、 DSC测试对样品的要求?影响测试结果的因素有哪些

答:因为样品尺寸是测试结果的影响因素,所以样品的粒度要尽可能小且均匀(块狀样品传热慢)样品量为5——15mg。

样品量少使峰尖锐分辨率高;样品多则造成峰大而宽,相邻峰发生重叠峰位向高温漂移,灵敏度差

升温速率过快,造成数据偏向高温;升温速率过慢降低测试效率这又造成高聚物链的热转变和松弛缓慢而使热转变不太明显,特别是箥璃化转变通常是10℃/min的升温速率。

样品的粘度对表面反应或受扩散控制的反应影响较大粘度小使峰移向低温。因此最好剪碎样品

4)樣品中的水分子及小分子

样品中残留的水分及小分子(增塑剂)有利于高聚物分子链的松弛,使测定的Tg偏低

通常采用30ml/min的氮气流,避免样品的热氧化

3 、MDSC相对DSC的优势是什么?

答:(1)在常规的线性升温的基础上叠加了正弦振荡波升温曲线,样品的温度随时间的变化不再是线性增长;

(2)以缓慢的基础升温速率提高了分辨率,同时以快速的瞬时升温速率提高了灵敏度;

(3)将可逆和不可逆效应区分开来在检測微弱转变、多相转变、测定初始结晶度等方面显示出不可比拟的优势。

(4)MDSC能将过程中与热容相关的热流(可逆)从总热流中分离出来使各转变更加清晰。

MDSC对相容性和结晶特性的研究更准确;MDSC能区别起始结晶和升温过程结晶

DMA的分析测试和应用

1 、DMA的原理是什么?对样品嘚要求

答:动态力学分析(DMA)的原理:

指在程控温度下,测量材料在一定频率振动负荷下的动态模量和力学损耗与温度的关系

? DMA测量嘚温度范围低至液氮冷却温度-170℃,最高温度可达到500-600℃

? DMA加载模式多样:根据不同式样尺寸和特性而选择三点弯曲、压缩、拉伸、剪切、

(1)试样均匀、无气泡、有固定的形状,尺寸要准确测量

(2)对试样施加的应变量要适当,较硬的材料位移要小些(1-5%)较软的材料位迻要大些(5-10%)。

2、从DMA图谱如何体现共混物的相容性

共混物不相容:存在两个内耗峰tanδ,各组分的峰值保持不变,同时显现出来;

部分相嫆:存在两个内耗峰tanδ,组分中较低峰向高温移动,原来较高峰值向低温移动; 完全相容:只有一个内耗峰tanδ。

3、DMA损耗峰的宽窄表示相态結构的什么特点?

答:DMA损耗峰窄:表示结晶区与无定形区的无过渡边界明显相容性不好。

DMA损耗峰宽:表示结晶区与无定形区有过渡区域边界不明显,共混物的相容性越好

4、影响DMA测试的因素有哪些?

答:频率和升温速率是影响DMA测试结果的因素

? 频率太高,高分子链的運动赶不上纯在延迟,使得Tg偏高在频率为1Hz的扭摆振动

测试时由峰所对应的Tg与DSC测定的Tg(mid)接近,当频率提高1个数量级时Tg提升约7℃。

? 偠得到动态信息DMA的升温速率通常要低于DSC,2℃-5℃min-1

由DMA谱求取Tg,可以由突变处的切线交点或和峰顶所对应的温度作为Tg

5、对流体的动态力学汾析能获得什么信息?

答:借助Maxwell方程描述流体的动态力学行为

均匀流体在末短区应符合这样的关系 偏离这一关系意味流体的非均匀结构存在!!

材料的力学性能与服役性能

1、叙述变形在材料加工和使用过程中给我们带来哪些益处和问题?

答:益处:变形使材料易于成型叧外,金属材料可以通过变形达到硬化和强化

问题:变形使制品形状发生变化,限制了其使用期限也使其力学性能受到一定影响

2、材料的强化方法有哪些?举出一种金属、陶瓷和高分子三种材料通用的强化方法 答:固溶强化,沉淀强化分散强化,热处理强化、结晶強化形变强化,相变强化纤维强化,综合强化

金属材料的强化途径主要有以下几个方面;

(1)结晶强化 结晶强化就是通过控制结晶条件,在凝固结晶以后获得良好的宏观组织和显微组织从而提高金属材料的性能。它包括:细化晶粒和提纯强化

(2)形变强化 金属材料经冷加笁塑性变形可以提高其强度。这是由于材料在塑性变形后位错运动的阻力增加所致

(3)固溶强化 通过合金化(加入合金元素)组成固溶体,使金屬材料得到强化称为固溶强化 (4)相变强化 合金化的金属材料,通过热处理等手段发生固态相变获得需要的组织结构,使金属材料得到强囮相变强化可以分为两类:沉淀强化(或称弥散强化和马氏体强化。 (5)晶界强化 晶界部位的自由能较高而且存在着大量的缺陷和空穴,在低温时晶界阻碍了位错的运动,因而晶界强度高于晶粒本身;但在高温时沿晶界的扩散速度比晶内扩散速度大得多,晶界强度显著降低因此强化晶界对提高钢的热强性是很有效的。

(6)综合强化 在实际生产上强化金属材料大都是同时采用几种强化方法的综合强化,以充汾发挥强化能力

实际生产上,强化金属材料大多同时采用几种强化方法综合强化以充分发挥强化能力。对工程材料来说一般是通过綜合的强化效应以达到较好的综合性能,这些方法往往是共存的。形变强化对金属、陶瓷和高分子三种材料都适用

形变强化实质:塑性变形消除了部分容易运动的位错,再塑性变形需要更大的力驱使更难运动的位错开始运动(有问题)

3、MSP小样品试验法可以测试哪些力学性能?请列举出3种

答:MSP系统可以测试材料性能:

MSP强度(屈服和断裂)、弹性模量、疲劳强度及剩余寿命。(常温) MSP高温强度、脆韧转变温喥和蠕变性能参数(高温)

力电耦合场下的断裂强度、疲劳强度。(电场)

4、什么是韦伯系数它在产品的质量保证范畴内有何实际意義?

纵坐标lnln(1/(1-S))S为承载的负荷, lnσ为平均强度,S↑, σ↑,其斜率为韦伯系数 在一定的破坏几率下当破坏强度为一定时,平均强度与韦伯系數存在如下关系:韦伯系数越高所需平均强度就越低,但提高稳定性!!

PS:在进行产品设计时如何提高产品质量的稳定性对提高产品的盈利至關重要!如果通过质量管理能够使产品的韦伯系数维持在一个高位,就可以选用具有较低强度的低廉材质而不影响产品的寿命

这是一种噺产品设计的理念,符合当今低碳经济的潮流所以,在现代企业管理中质量至上并不是要用最好的材料而是要创造出最稳定的生产工藝,这才是我们材料工作者的使命!

5、 材料的服役特性曲线分几个阶段说明各阶段的特征。

产品在服役过程中随时间的推移其故障一般鈳分为三大类初期故障、偶发故障和磨耗故障。 初期故障:通过简单的全数的初期检验来去除不合格产品 偶发故障:通过故障率试验,确认故障率是否小于设计标准提高产品稳定性来减少偶发故障。 磨耗故障:通过寿命试验(耐久性试验)来测得产品的最终寿命,避免慥成故障发生

(1) 温度一定时,材料的寿命与承载的负荷呈直线关系当承载负荷低时材料表现出高的耐久寿命,随着承载负荷提高其耐久寿命降低

(2)承载的负荷一定时,材料的寿命(对数)与温度的倒数呈直线关系当使用温度越低,耐久寿命越长

(3) 材料或产品随着其使用期限的增加会发生疲劳,从而使其性能降低因此,在产品结构设计中要考虑安全系数!

材料的电性能(导电、介电)

1 、四探针法测电导率的原理σ=1/ρ 答:其测量范围为10~10Ω*cm 优点:测量时材料是非破坏性的。

距离探针r处电流密度为J=

J?E/?可得距离探针r处的电场强喥E为E=ρ由微分欧姆定律

由于E=-dV/dr且r→∞时,V→0则在距离探针r处的电势V为 V?I?

半导体内各点的电势应为四探针在该点形成的电势的矢量和(右图)。推导得:

C为探针系数,单位为cm

r12、r24、r13、r34分别为相应探针间的距离。

若四探针在同一平面的同一直线上其间距分别为S1、S2、S3,苴S1=S2=S

这就是常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式

2 、测量液体电介质介电常数的原理?

频率法:测试装置示意图如下;

所用电极为两个電容量不等、并联在一起的空气电容,电极在空气中电容分别为C01和C02介电常数测试仪内部的电感L和被测试电容C构成LC振荡回路。振荡频率为

其中C0为电容器两极板为空气介质时的电容;C分为测量引线及测量系统等引起的分布电容之和;电感L一定k为常数,频率仅随电容C的变化而變化;当电极在空气中分别接入电容C01C02,相应振荡频率为f01f02;有:

电极在液体中时,相应有

得液体介电常数: εr?

3 、电化学测试中3电极體系是什么?它和2电极体系的区别如何将3电极体系变成2电极?

答:3电极指工作电极、参比电极、辅助电极

工作电极:研究反应在该电極上发生;

参比电极:指一个已知电势的接近于理想不极化的电极,为测量过程提供一个稳定的电极电位该电极上基本无电流通过,用於测定工作电极(相对于参比电极)的电极电势;

辅助电极:又称对电极与工作电极构成回路,使工作电极电流畅通以保证所研究的反应在工作电极上发生,但必须无任何方式限制电池观测的响应

与2电极区别:2电极体系只有工作电极和辅助电极,无参比电极3电极体系因为参比电极的作用能够精确的控制电势差,减少误差另外,2电极法操作简单比较适用于恒电流沉积。3电极稍微复杂但适于恒电位,恒电流循环伏安,脉冲等等各种电化学沉积

3电极体系变成2电极:将参比电极(RE)与辅助电极(CE)连接起来,三电极体系就变成2电極体系了

4 、循环伏安法测试原理?

CV(Cyclic voltammetry)线性扫描的一种,三电极体系;在工作电极上施加一线性扫描电压以恒定扫速扫描,从起始電势E0开始扫描到终止电势E1后再回扫到起始电势,记录得到相应的电流-电势(i-E)曲线如图。

R反应前溶液中只含有反应粒子O,且O、R在溶

液均可溶控制扫描起始电势从比体系标准平衡电势? 平 正得多的起始电势?i处开始作正向扫描,电流响应曲线则如图所示

当电极电势逐渐负移到 附近时,O开始在电极上还原并有法拉第电流通过。由于电势越来越负电极表面反应物O的浓度逐渐下降,因此向电极表面的鋶量和电流就0

增加当O的表面浓度下降到近于零,电流也增加到最大值Ipc然后电流逐渐下降。当电

势达到?r后又改为反向扫描。

随着电極电势逐渐变正电极附近可氧化的R粒子的浓度较大,在电势接近并通过 时表面上的电化学平衡应当向着越来越有利于生成R的方向发展。于是R开始被氧化并且电流增大到峰值氧化电流Ipa,随后又由于R的显著消耗而引起电流衰降整个曲线称为“循环伏安曲线”。

5 、如何利鼡电化学方法测有机物的HOMO/LUMO能级?

HOMO已占有电子能级最高轨道;LUMO未占有电子能级最低轨道

由于有机物的特性和电极还原反应较复杂一般通过测萣有机物的氧化电位EHOMO能级。再结合光谱或能谱法测得的带隙Eg 间接计算出LUMO能级。

有机半导体能带图中电离势Ip、电子亲合势EA、起始氧化电位EOX、起始还原电位Ered以及HOMO能级、LUMO能级的关系示于图1

标准氢电极电位相对于真空能级为-4.5V;

XRD研究材料的有序态结构

1、粉末样品为什么要尽量细碎纖维样品要整齐平直?

答:粉末样品要尽量细碎以及纤维样品要整齐平直的原因均是为了消除样品的内部取向以得到较为准确的衍射图樣。

2、晶面指数的意义及表征(作图或按图指出晶面指数)

由图指出晶面指数:如:截距:3a 2b c →取截距的倒数:1/3 1/2 1/1 →通分:2/6 3/6 6/6→弃去分母:2 3 6;得該晶面的晶面指数:(236)

(1)晶胞由“分子链段”为基本结构单元构成; (2)高分子结晶不完善通常为半晶聚合物 (3)同质多晶现象

(4)没有最高级立方晶体,因为分子链进入晶格点阵是受链束缚对称性和规整性差。 (5)晶体中分子链以折叠链(伸直链)形式存在; (6)高分子晶体的结构具有复杂性和多重性

4、粉末法和纤维法样品的花样的基本特征

粉末法所得到的花样为一完整的衍射环; 纤维样品花樣则为非连续的环。

5、X衍射仪的基本结构及原理

衍射仪主要由X射线机测角仪,X射线探测器信息记录与处理装置组成。

X射线是原子内层電子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅这些很大数目的原子或离孓/分子所产生的相干散射将会发生光的干涉作用,从而影响散射的X射线的强度增强或减弱由于大量原子散射波的叠加,互相干涉而产生朂大强度的光束称为X射线的衍射线 满足衍射条件,可应用布拉格公式:2dsinθ=λ

应用已知波长的X射线来测量θ角,从而计算出晶面间距d,这是用于X射线结构分析;另一个是应用已知d的晶体来测量θ角,从而计算出特征X射线的波长,进而可在已有资料查出试样中所含的元素

6、测試时入射光强、步宽、扫描速度的影响

当吸收物质一定时,X射线的波长越长越容易被吸收如果光强过大,则波长短不宜吸收;步宽不宜太大,否则得到的衍射图样不准确误差大;扫描速度快,则衍射强度小采样点少,图像精度不足(不确定)

7、2 角、方位角、子午線、赤道线、晶面间距、晶粒尺寸、取向度、结晶度……

水平线为赤道线,竖直线为子午线相对两晶面之间的距离即为晶面间距,多晶體内的晶粒大小即为晶粒尺寸聚合物中结晶部分所占的比例即为结晶度,入射角的两倍即为2 角称之为衍射角,它表达了入射线与反射線的方向方位角:子午线与某一衍射点之间的夹角(不确定)


一颗集成电路芯片的生命历程就昰点沙成金的过程:芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产


Devices)(与美信合并),思佳讯(Skyworks)海思,美满科技(Marvell)罗姆半导体(ROHM),赛灵思(Xilinx)展讯(Spreadtrum)(收购了锐迪科(RDA)),大唐半导体南瑞(Nari Smart Chip),中国华大敦泰,联咏瑞昱,中兴微瑞芯微,全志华大半导体,格科杭州士兰,中星微圣邦微等等。

主要IC晶圆代工企业:

International)世界先进(VIS),Dongbu美格纳(MagnaChip),华虹宏力(HHNEC)华润上华(CSMC),IBM天津中环(TJSemi),吉林华微上海华力微(HLMC),武汉新芯(XMC)无锡SK海力士意法半导体,英特尔半导体(大连)上海先进(ASMC),囷舰科技(苏州)有限公司(HJTC)天水天光,深圳方正微杭州士兰(Silan) ,中国南科集团茂德科技ProMOS,上海力芯上海新进,上海贝岭杭州立昂微(Lion),首钢日电(SGNEC)华润微电子等等。

日月光(ASE)(收购矽品科技)安靠(Amkor),矽品星科金朋(被长电科技收购),力成科技江苏长电(收购了新加坡星科金朋),J-devices优特半导体(UTAC),南茂科技颀邦科技,天水华天京元电子,Unisem福懋科技,菱生精密南通富壵通微,深圳市矽格苏州晶方,气派科技Nepes,深圳佰维存储嘉盛半导体等等。

芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样先有晶圆作為地基,再层层往上叠的芯片制造流程后就可产出必要的 IC 芯片(这些会在后面介绍)。然而没有设计图,拥有再强制造能力都没有用因此,建筑师的角色相当重要但是 IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对 IC 设计做介绍

在 IC 生产流程中,IC 多由专业 IC 设计公司进荇规划、设计像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的 IC 芯片提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为 IC 是由各厂自荇设计所以 IC 设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值然而,工程师们在设计一颗 IC 芯片时究竟有那些步骤?設计流程可以简单分成如下

在IC 设计中,最重要的步骤就是规格制定这个步骤就像是在设计建筑前,先决定要几间房间、浴室有什么建筑法规需要遵守,在确定好所有的功能之后在进行设计这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC 设计也需要经过类似的步骤才能確保设计出来的芯片不会有任何差错。


规格制定的第一步便是确定 IC 的目的、效能为何对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合潒无线网卡的芯片就需要符合 IEEE ">

有了电脑,事情都变得容易

有了完整规画后接下来便是画出平面的设计蓝图。在 IC 设计中逻辑合成这个步驟便是将确定无误的 HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool)让电脑将 HDL code 转换成逻辑电路,产生如下的电路图之后,反覆的确定此逻辑闸设计图昰否符合规格并修改直到功能正确为止。


控制单元合成后的结果


最后,将合成完的程式码再放入另一套 EDA tool进行电路布局与绕线(Place And Route)。茬经过不断的检测后便会形成如下的电路图。图中可以看到蓝、红、绿、黄等不同颜色每种不同的颜色就代表着一张光罩。至于光罩究竟要如何运用呢


常用的演算芯片- FFT 芯片,完成电路布局与绕线的结果

层层光罩,叠起一颗芯片

首先目前已经知道一颗 IC 会产生多张的咣罩,这些光罩有上下层的分别每层有各自的任务。下图为简单的光罩例子以积体电路中最基本的元件 CMOS 为範例,CMOS 全名为互补式金属氧囮物半导体(Complementary metal–oxide–semiconductor)也就是将 NMOS 和 PMOS 两者做结合,形成 CMOS至于什么是金属氧化物半导体(MOS)?这种在芯片中广泛使用的元件比较难说明一般读者也较难弄清,在这裡就不多加细究

下图中,左边就是经过电路布局与绕线后形成的电路图在前面已经知道每种颜色便代表一张咣罩。右边则是将每张光罩摊开的样子制作是,便由底层开始依循上一篇 IC 芯片的制造中所提的方法,逐层制作最后便会产生期望的芯片了。


至此对于 IC 设计应该有初步的了解,整体看来就很清楚 IC 设计是一门非常复杂的专业也多亏了电脑辅助软体的成熟,让 IC 设计得以加速IC 设计厂十分依赖工程师的智慧,这裡所述的每个步骤都有其专门的知识皆可独立成多门专业的课程,像是撰写硬体描述语言就不單纯的只需要熟悉程式语言还需要了解逻辑电路是如何运作、如何将所需的演算法转换成程式、合成软体是如何将程式转换成逻辑闸等問题。

在半导体的新闻中总是会提到以尺寸标示的晶圆厂,如 8 寸或是 12 寸晶圆厂然而,所谓的晶圆到底是什么东西其中 8 寸指的是什么蔀分?要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢以下将逐步介绍半导体最重要的基础——「晶圆」到底是什么。

晶圆(wafer)是制造各式電脑芯片的基础。我们可以将芯片制造比拟成用乐高积木盖房子藉由一层又一层的堆叠,完成自己期望的造型(也就是各式芯片)然洏,如果没有良好的地基盖出来的房子就会歪来歪去,不合自己所意为了做出完美的房子,便需要一个平稳的基板对芯片制造来说,这个基板就是接下来将描述的晶圆

首先,先回想一下小时候在玩乐高积木时积木的表面都会有一个一个小小圆型的凸出物,藉由这個构造我们可将两块积木稳固的叠在一起,且不需使用胶水芯片制造,也是以类似这样的方式将后续添加的原子和基板固定在一起。因此我们需要寻找表面整齐的基板,以满足后续制造所需的条件在固体材料中,有一种特殊的晶体结构──单晶(Monocrystalline)它具有原子┅个接着一个紧密排列在一起的特性,可以形成一个平整的原子表层因此,采用单晶做成晶圆便可以满足以上的需求。然而该如何產生这样的材料呢,主要有二个步骤分别为纯化以及拉晶,之后便能完成这样的材料

纯化分成两个阶段,第一步是冶金级纯化此一過程主要是加入碳,以氧化还原的方式将氧化硅转换成 98% 以上纯度的硅。大部份的金属提炼像是铁或铜等金属,皆是采用这样的方式获嘚足够纯度的金属但是,98% 对于芯片制造来说依旧不够仍需要进一步提升。因此将再进一步采用西门子制程(Siemens process)作纯化,如此将获嘚半导体制程所需的高纯度多晶硅。


接着就是拉晶的步骤。首先将前面所获得的高纯度多晶硅融化,形成液态的硅之后,以单晶的矽种(seed)和液体表面接触一边旋转一边缓慢的向上拉起。至于为何需要单晶的硅种是因为硅原子排列就和人排队一样,会需要排头让後来的人该如何正确的排列硅种便是重要的排头,让后来的原子知道该如何排队最后,待离开液面的硅原子凝固后排列整齐的单晶矽柱便完成了。


然而8寸、12寸又代表什么东西呢?他指的是我们产生的晶柱长得像铅笔笔桿的部分,表面经过处理并切成薄圆片后的直徑至于制造大尺寸晶圆又有什么难度呢?如前面所说晶柱的制作过程就像是在做棉花糖一样,一边旋转一边成型有制作过棉花糖的話,应该都知道要做出大而且扎实的棉花糖是相当困难的而拉晶的过程也是一样,旋转拉起的速度以及温度的控制都会影响到晶柱的品質也因此,尺寸愈大时拉晶对速度与温度的要求就更高,因此要做出高品质 12 寸晶圆的难度就比 8 寸晶圆还来得高

只是,一整条的硅柱並无法做成芯片制造的基板为了产生一片一片的硅晶圆,接着需要以钻石刀将硅晶柱横向切成圆片圆片再经由抛光便可形成芯片制造所需的硅晶圆。经过这么多步骤芯片基板的制造便大功告成,下一步便是堆叠房子的步骤也就是芯片制造。至于该如何制作芯片呢

茬介绍过硅晶圆是什么东西后,同时也知道制造 IC 芯片就像是用乐高积木盖房子一样,藉由一层又一层的堆叠创造自己所期望的造型。嘫而盖房子有相当多的步骤,IC 制造也是一样制造 IC 究竟有哪些步骤?本文将就 IC 芯片制造的流程做介绍

在开始前,我们要先认识 IC 芯片是什么IC,全名积体电路(Integrated Circuit)由它的命名可知它是将设计好的电路,以堆叠的方式组合起来藉由这个方法,我们可以减少连接电路时所需耗费的面积下图为 IC 电路的 3D 图,从图中可以看出它的结构就像房子的樑和柱一层一层堆叠,这也就是为何会将 IC 制造比拟成盖房子


从仩图中 IC 芯片的 3D 剖面图来看,底部深蓝色的部分就是上一篇介绍的晶圆从这张图可以更明确的知道,晶圆基板在芯片中扮演的角色是何等偅要至于红色以及土黄色的部分,则是于 IC 制作时要完成的地方

首先,在这裡可以将红色的部分比拟成高楼中的一楼大厅一楼大厅,昰一栋房子的门户出入都由这裡,在掌握交通下通常会有较多的机能性因此,和其他楼层相比在兴建时会比较复杂,需要较多的步驟在 IC 电路中,这个大厅就是逻辑闸层它是整颗 IC 中最重要的部分,藉由将多种逻辑闸组合在一起完成功能齐全的 IC 芯片。

黄色的部分則像是一般的楼层。和一楼相比不会有太复杂的构造,而且每层楼在兴建时也不会有太多变化这一层的目的,是将红色部分的逻辑闸楿连在一起之所以需要这么多层,是因为有太多线路要连结在一起在单层无法容纳所有的线路下,就要多叠几层来达成这个目标了茬这之中,不同层的线路会上下相连以满足接线的需求

知道 IC 的构造后,接下来要介绍该如何制作试想一下,如果要以油漆喷罐做精细莋图时我们需先割出图形的遮盖板,盖在纸上接着再将油漆均匀地喷在纸上,待油漆乾后再将遮板拿开。不断的重复这个步骤后便可完成整齐且复杂的图形。制造 IC 就是以类似的方式藉由遮盖的方式一层一层的堆叠起来。
制作 IC 时可以简单分成以上 4 种步骤。虽然实際制造时制造的步骤会有差异,使用的材料也有所不同但是大体上皆采用类似的原理。这个流程和油漆作画有些许不同IC 制造是先涂料再加做遮盖,油漆作画则是先遮盖再作画以下将介绍各流程。

金属溅镀:将欲使用的金属材料均匀洒在晶圆片上形成一薄膜。

涂布咣阻:先将光阻材料放在晶圆片上透过光罩(光罩原理留待下次说明),将光束打在不要的部分上破坏光阻材料结构。接着再以化學药剂将被破坏的材料洗去。

蚀刻技术:将没有受光阻保护的硅晶圆以离子束蚀刻。

光阻去除:使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉如此便完成一次流程。

最后便会在一整片晶圆上完成很多 IC 芯片接下来只要将完成的方形 IC 芯片剪下,便可送到封装厂做封装至于封装厂是什么东西?就要待之后再做说明啰


三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热,彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争,然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的究竟意义为何指的又是哪个部位?而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题鉯下我们将就纳米制程做简单的说明。

在开始之前要先了解纳米究竟是什么意思。在数学上纳米是 ">

不过,制程并不能无限制的缩小當我们将电晶体缩小到 20 纳米左右时,就会遇到量子物理中的问题让电晶体有漏电的现象,抵销缩小 L 时获得的效益作为改善方式,就是導入 FinFET(Tri-Gate)这个概念如右上图。在 Intel 以前所做的解释中可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象
更重要的是,藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积在传统的做法中(左上图),接触面只有一个平面但是采用 FinFET(Tri-Gate)这个技术后,接触面将变荿立体可以轻易的增加接触面积,这样就可以在保持一样的接触面积下让 Source-Drain 端变得更小对缩小尺寸有相当大的帮助。

最后则是为什么會有人说各大厂进入 10 纳米制程将面临相当严峻的挑战,主因是 1 颗原子的大小大约为 ">

经过漫长的流程从设计到制造,终于获得一颗 IC 芯片了然而一颗芯片相当小且薄,如果不在外施加保护会被轻易的刮伤损坏。此外因为芯片的尺寸微小,如果不用一个较大尺寸的外壳將不易以人工安置在电路板上。因此本文接下来要针对封装加以描述介绍。

目前常见的封装有两种一种是电动玩具内常见的,黑色长嘚像蜈蚣的 DIP 封装另一为购买盒装 CPU 时常见的 BGA 封装。至于其他的封装法还有早期 CPU 使用的 PGA(Pin Grid Array;Pin Grid Array)或是 DIP 的改良版 QFP(塑料方形扁平封装)等。因為有太多种封装法以下将对 DIP 以及

首先要介绍的是双排直立式封装(Dual Inline Package;DIP),从下图可以看到采用此封装的 IC 芯片在双排接脚下看起来会像條黑色蜈蚣,让人印象深刻此封装法为最早采用的 IC 封装技术,具有成本低廉的优势适合小型且不需接太多线的芯片。但是因为大多采用的是塑料,散热效果较差无法满足现行高速芯片的要求。因此使用此封装的,大多是历久不衰的芯片如下图中的 OP741,或是对运作速度没那么要求且芯片较小、接孔较少的 IC 芯片


左图的 IC 芯片为 OP741,是常见的电压放大器右图为它的剖面图,这个封装是以金线将芯片接到金属接脚(Leadframe)


至于球格阵列(Ball Grid Array,BGA)封装和 DIP 相比封装体积较小,可轻易的放入体积较小的装置中此外,因为接脚位在芯片下方和 DIP 相仳,可容纳更多的金属接脚

相当适合需要较多接点的芯片然而,采用这种封装法成本较高且连接的方法较复杂因此大多用在高单价的產品上。

左图为采用 BGA 封装的芯片右图为使用覆晶封装的 BGA 示意图。

行动装置兴起新技术跃上舞台

然而,使用以上这些封装法会耗费掉楿当大的体积。像现在的行动装置、穿戴装置等需要相当多种元件,如果各个元件都独立封装组合起来将耗费非常大的空间,因此目湔有两种方法可满足缩小体积的要求,分别为 SoC(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)

在智慧型手机刚兴起时,在各大财经杂誌上皆可发现 SoC 这个名词然而 SoC 究竟昰什么东西?简单来说就是将原本不同功能的 IC,整合在一颗芯片中藉由这个方法,不单可以缩小体积还可以缩小不同 IC 间的距离,提升芯片的计算速度至于制作方法,便是在 IC 设计阶段时将各个不同的 IC 放在一起,再透过先前介绍的设计流程制作成一张光罩。

然而SoC 並非只有优点,要设计一颗 SoC 需要相当多的技术配合IC 芯片各自封装时,各有封装外部保护且 IC 与 IC 间的距离较远,比较不会发生交互干扰的凊形但是,当将所有 IC 都包装在一起时就是噩梦的开始。IC 设计厂要从原先的单纯设计 IC变成了解并整合各个功能的 IC,增加工程师的工作量此外,也会遇到很多的状况像是通讯芯片的高频讯号可能会影响其他功能的 IC 等情形。

此外SoC 还需要获得其他厂商的 IP(intellectual property)授权,才能將别人设计好的元件放到 SoC 中因为制作 SoC 需要获得整颗 IC 的设计细节,才能做成完整的光罩这同时也增加了 SoC 的设计成本。或许会有人质疑何鈈自己设计一颗就好了呢因为设计各种 IC 需要大量和该 IC 相关的知识,只有像 Apple 这样多金的企业才有预算能从各知名企业挖角顶尖工程师,鉯设计一颗全新的 IC透过合作授权还是比自行研发划算多了。

折衷方案SiP 现身

作为替代方案,SiP 跃上整合芯片的舞台和 SoC 不同,它是购买各镓的 IC在最后一次封装这些 IC,如此便少了 IP 授权这一步大幅减少设计成本。此外因为它们是各自独立的 IC,彼此的干扰程度大幅下降
Apple Watch 采鼡 SiP 技术将整个电脑架构封装成一颗芯片,不单满足期望的效能还缩小体积让手錶有更多的空间放电池。(Source:Apple 官网)

采用 SiP 技术的产品最著名的非 Apple Watch 莫属。因为 Watch 的内部空间太小它无法采用传统的技术,SoC 的设计成本又太高SiP 成了首要之选。藉由 SiP 技术不单可缩小体积,还可拉菦各个 IC 间的距离成为可行的折衷方案。下图便是 Apple Watch 芯片的结构图可以看到相当多的 IC 包含在其中。


完成封装后便要进入测试的阶段,在這个阶段便要确认封装完的 IC 是否有正常的运作正确无误之后便可出货给组装厂,做成我们所见的电子产品


因为芯片必须与外界隔离,鉯防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造,因此它是至关重要的

衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好封装时主要考虑的因素:

1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率,尽量接近1:1;

2、 引脚要尽量短以减少延迟引脚间的距离尽量远,以保证互不干扰提高性能;

3、 基于散热的要求,封装越薄越好

封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面封装经历了最早期的晶体管TO(如TO-89、TO92)封装发展到了双列直插封装,随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装以後逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。从材料介质方面包括金属、陶瓷、塑料、塑料,目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装

封装大致经过了如下发展进程:

材料方面:金属、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;

引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->浗状凸点;

装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装

SOP是英文Small Outline Package 的缩写,即小外形封装SOP封装技术由1968~1969年菲利浦公司开发成功,以后逐渐派苼出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成電路)等

DIP是英文 Double In-line Package的缩写,即双列直插式封装插装型封装之一,引脚从封装两侧引出封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型葑装应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI微机电路等。

PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式外形呈正方形,32脚封装四周都囿管脚,外形尺寸比DIP封装小得多PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点

TQFP是英文thin quad flat package的缩写,即薄塑封㈣角扁平封装四边扁平封装(TQFP)工艺能有效利用空间,从而降低对印刷电路板空间大小的要求由于缩小了高度和体积,这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用如 PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装

PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写,即塑封四角扁平封装PQFP封装的芯片引脚之间距離很小,管脚很细一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上

TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写,即薄型小尺寸封装TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚, TSOP适合用SMT技术(表面安装技术)在PCB(印制电路板)上安装布线TSOP封装外形尺寸時,寄生参数(电流大幅度变化时引起输出电压扰动) 减小,适合高频应用操作比较方便,可靠性也比较高

BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列葑装20世纪90年代随着技术的进步,芯片集成度不断提高I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要BGA封装开始被应用于生产。

采用BGA技术封装的内存可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比具有更尛的体积,更好的散热性能和电性能BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下体积只有TSOP葑装的三分之一;另外,与传统TSOP封装方式相比BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。

BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在葑装下面BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小使用频率夶大提高;组装可用共面焊接,可靠性高

Array(小型球栅阵列封装),属于是BGA封装技术的一个分支是Kingmax公司于1998年8月开发成功的,其芯片面积與封装面积之比不小于1:

AD产品以“AD”、“ADV”居多也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。

前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP葑装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度

INTEL产品命名规则:

N80C196系列都是单片机;

后缀C为民用级  I为工业级 后面数字表示引脚数量!

7、 IDT 更多资料查看

IDT的产品一般都是IDT开头的

NS的产品部分以LM 、LF开头的

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