is62wv25616bll的RD低电平和高电平时间

1-800-379-4774 1修订版C. 05年5月2日版权所有?2005 INTEGRATED SIICON SOUTIONINC.保留所囿权利. ISSI保留随时更改本规格及其产品的权利不知不觉中. ISSI不承担因应用或使用此处所述的任何信息,产品或服务而产生的责任.建议客户在依賴任何已发布的信息并在下订单之前获取此设备规范的最新版本. 256K X ?高位和低位字节的数据控制 ?工业温度可用 ?无铅可用描述该 ISSI IS62WV25616A / IS62WV25616B是高性能高速,低功耗4M位SRAM,组织为256K字乘以16位.它是使用伪造的 ISSI 的高性能 CMOS技术.这个高度可靠的过程相结合采用创新的电路设计技术性能和低功耗设备.什麼时候 CS1为高电平(取消选择)或CS1为低电平时都 B和UB为高电平时,器件将采用待机模式模式下功耗可以降低具有CMOS输入电平.使用芯片启用提供简單的内存扩展和输出使能输入.低电平有效写使能 ( WE)控制内存的写入和读取.一个数据字节允许高字节( UB)和低字节(B)访问. IS62WV25616A / IS62WV25616B封装在 JEDEC标准的44引脚TSOP(TYPE

CMOS低功率运作36千瓦(典型的)操作9μW(典型的)CMOS备用 捷乐顺电子以贴心的服务过硬的产品质量,真诚的态度超高的信誉,真诚为您服务!

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