陶瓷膜分离与MnO2催化臭氧氧化耦合技术对污水深度处理的研究-博士生张建琳学位论文答辩公告-化工环境生命学部
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陶瓷膜分离与MnO2催化臭氧氧化耦合技术对污水深度处理的研究-博士生张建琳学位论文答辩公告
博士生学位论文答辩
论文题目：陶瓷膜分离与催化臭氧氧化耦合技术对污水深度处理的研究
博士生姓名：张建琳
专业领域及研究方向：污染控制化学
指导教师：全 夑 教授
答辩时间：年月日上午
答辩地点：环境楼
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溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及性质与研究.pdf 58页
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溅射氧化耦合法合成w掺杂V02纳米薄膜及其性质的研究
溅射氧化耦合法合成w掺杂V02纳米薄膜
及其性质的研究
V02薄膜作为一种温度相变特性的功能材料，具有较高的热电阻、
温度系数，一直被科学界广泛关注。当温度近68℃时，V02薄膜发生从
低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变并伴随光学、磁学、电学
性质的可逆性突变，由于这种特性，使得V02薄膜具有广泛的应用。但
纳米薄膜具有一些更优异的性能。因此，寻求更简单的方法合成高质
量、低相变温度(室温附近)的V02纳米薄膜是近来V02薄膜的研究热
研究表明通过对V02掺杂可以将相变温度降低到室温甚至室温以
纳米薄膜；首先，通过对不同氧化温度下样品的研究可知，W掺杂V02
纳米薄膜最佳氧化温度为430℃；其次，采用四探针测试仪测试了薄膜
在不同温度下的方块电阻，从而确定了V02和W掺杂V02纳米薄膜的相
变温度从68℃下降至40℃；然后，运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线
光电子能谱仪(xPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析；最
下的透过率并通过FilmWizard软件对薄膜的透过率的拟合，获得了薄
0麟 溅射氧化耦合法合成w掺杂v。：纳米薄膜及其性质的研究
膜的光学常数如：折射率(以)和消光系数(D随光电子能量但)变化的关系
曲线。根据电阻—温度曲线和XPS测试结果，认为W的掺杂量与薄膜相
变温度的变化量具有一定的线性关系；在W掺杂V02纳米薄膜中随着W
掺杂量的增加，薄膜的相变温度逐渐下降，但相变前后薄膜的电阻数
量级变化量和红外透过率改变量愈来愈不明显；W掺杂V02纳米薄膜的
光学折射率∽)和消光系数(D相比V02薄膜也发生有规律的变化。运用
公式分别计算出W掺杂V02纳米薄膜样品的能带，结果表明，随着W的
掺杂量的增加薄膜能带逐渐下降。
本论文也对溅射氧化偶合法(SOC)和目前常用的掺钨二氧化钒薄膜
的的制备技术进行了较为全面的介绍和比较。可以看出，溅射氧化偶
合法fSOC)对于其它制备技术来说，其突出优点是成本低、成膜率高、
操作简便、掺杂过程简单易行、利于仪器保护，而且其产品的各项性
能均较好。
关键词：V02；溅射氧化耦合；w掺杂V02纳米薄膜；光学常数；能带
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溅射氧化耦合法合成W掺杂V02纳米薄膜及其性质的研究
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耦合器是在微波系统中,能够将一路微波功率按比例分配成几路的元件。耦合器的作用是将信号不均匀地分成几分(称为主干端和耦合端，也有的称为直通端和耦合端)，主要包括: 定向耦合器、功率分配器以及各种微波分支器件。 这些元器件一般都是线性多端口互易网络, 因此可用微波网络理论进行分析 。
耦合器的技术指标
耦合度：信号功率经过耦合器，从耦合端口输出的功率和输入信号功率直接的差值。隔离度：指的是输出端口和耦合端口之间的隔离；一般此指标仅用于衡量微带耦合器。并且根据耦合度的不同而不同：如：5－10dB为18～23dB，15dB为20～25dB，20dB（含以上）为：25～30dB；腔体耦合器的隔离度非常好所以没有此指标要求。方向性：指的是输出端口和耦合端口之间的隔离度的值再减去耦合度的值所得的值，由于微带的方向性随着耦合度的增加逐渐减小最后30dB以上基本没有方向性，所以微带耦合器没有此指标要求，腔体耦合器的方向性一般为：MHz时：17～19dB，824～960MHz时：18～22dB。计算方法：方向性＝隔离度－耦合度插入损耗：指的是信号功率经过耦合器至输出端出来的信号功率减小的值再减去分配损耗的值所得的数值。一般插损对于微带耦合器则根据耦合度不同而不同，一般为：10dB以下的：0.35~0.5dB,10dB以上的：0.2~0.5dB。输入/输出驻波比：指的是输入/输出端口的匹配情况，各端口要求则一般为：1.2~1.4；功率容限：指的是可以在此耦合器上长期（不损坏的）通过的最大工作功率容限，一般微带耦合器为：30～70W平均功率，腔体的则为：100～200W平均功率。频率范围：一般标称都是写800～2200MHz，实际上要求的频段是：824－960MHz加上MHz，中间频段不可用。带内平坦度：指的是在整个可用频段耦合度的最大值和最小值之间的差值，微带一般为：0.5~0.2dB。腔体：由于耦合度是一条曲线，所以没有此要求
耦合器的种类
耦合器-定向耦合器定向耦合器是一种具有定向传输特性的四端口元件 , 它是由耦合装置联系在一起的两对传输 系统构成的。耦合器-波导双孔定向耦合器波导双孔定向耦合器是最简单的波导定向耦合器, 主、副波导通过其公共窄壁上两个相距d=(2n+1)λg0/4 的小孔实现耦合其中，λg0是中心频率所对应的波导波长, n为正整数, 一般取n=0。耦合器-双分支定向耦合器双分支定向耦合器由主线、副线和两条分支线组成, 其中分支线的长度和间距均为中心波长的1/4。 设主线入口线“①”的特性阻抗为, 主线出口线“②”的特性阻抗为(k为阻抗变换比), 副线隔离端“④”的特性阻抗为, 副线耦合端“③”的特性阻抗为, 平行连接线的特性阻抗为Z0p, 两个分支线特性阻抗分别为和。耦合器-平行耦合微带定向耦合器平行耦合微带定向耦合器是一种反向定向耦合器, 其耦合输出端与主输入端在同一侧面, 端口“①”为输入口, 端口“②”为直通口, 端口“③”为耦合口, 端口“④”为隔离口。耦合器-隔离器隔离器也叫反向器，电磁波正向通过它时几乎无衰减，反向通过时衰减很大。常用的隔离器有谐振式和场移式两种。耦合器-光电耦合器光电耦合器件（简称光耦）是把发光器件（如发光二极体）和光敏器件（如光敏三极管）组装在一起，通过光线实现耦合构成电-光和光-电的转换器件。
耦合器的损耗计算
耦合损耗：理想的耦合器输入信号为A，耦合一部分到B，则输出端口C必定就要有所减少。耦合器和（即不消耗能源），没有功率补充，因为能量是守恒的，输入信号与多个输出信号之和相等（不计插入损耗）。计算方法是：首先将所以端口的“dBm”功率转换成“毫瓦”为单位表示，比如A输入端的功率原来是30dBm，转换成“毫瓦”是1000毫瓦，而耦合端的输出是25.5dBm（先假设用的是6dB耦合器，并且6dB耦合器实际耦合度是6.5dB）,将25.5dBm转换成毫瓦是：316.23毫瓦。再假设此耦合器没有其它损耗，那么剩下的功率应该是=683.77毫瓦，全部由输出端输出。将683.77毫瓦转换成“dBm”＝28.349, 那么此耦合器的耦合损耗就等于输入端的功率（dBm）－输出端的功率（dBm）＝30dBm－28.349dBm＝1.651dB，这个值指的是耦合器没有额外损耗（器件损耗）的情况下的耦合损耗。微带耦合器平坦度: 10dB以下一般为0.5dB,10~20dB一般为1.5dB,20~30一般为2.0dB腔体耦合器的平坦度:由于腔体耦合器的耦合度是一条类似于抛物线的曲线,所以平坦度非常差.
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电化学耦合
电化学耦合
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