《电子电路基础习题册参考答案-第一章》
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电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章 常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、 填空题1、物质按导电能力的强弱可分为和 三大类，最常用的半导体材料是和 锗 。2、根据在纯净的半导体中掺入的 型半导体和 P 型半导体。3、纯净半导体又称半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N 型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P 型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。4、晶体二极管具有通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，锗二极管的开启电压约为 0.1 V ；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为锗二极管的正向压降约为 V 。5. 锗二极管开启电压小，通常用于，硅二极管反向电流小，在 整流电路及电工设备中常使用硅二极管。6. 稳压二极管工作于区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。7在稳压电路中，必须串接防止超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为型和面 型。9、二极管按用途不同可分为 稳压二极管 、等二极管。10、二极管的主要参数有、压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。11、稳压二极管的主要参数有态电阻 。12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S 与M 相接时，A 点的电位为V, 当开关S 与N 相接时，A 点的电位为13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S 打开时，A 点的电位为、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S 闭合时，A 点的电位为 0 V ，流过电阻的电流为14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA , 输出电压U0为 15、光电二极管的功能是将光二极管的功能是将信号转换为信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于挡，将黑表笔插入 com插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V, Ω 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。 一、 判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（√ ）2、P 型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（× ）3、晶体二极管有一个PN 结，所以有单向导电性。（√ ）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√ ）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√ ）6、将P 型半导体和N 型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN 结。（√ ）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（× ）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（× ）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN 结就会击穿。（ ）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（× ）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R ×10K 挡。（√ ） 三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。A ．增大 B .减小 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A .R×100或R ×1K B. R ×1 C. R ×10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。A. P 型半导体 B. 本征半导体 C 、 N 型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。A ．PN 结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性C ．PN 结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V ，则输出电压U0为（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（ D ）。A.I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mAD. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定8、电路如图1-1-6所示，V 为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。A. 导通 B. 截止 C. 击穿9、上题中，A 、B 两端的电压为（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6V10、某二极管反向击穿电压为140V ，则它的最高反向工作电压为（ C ）。A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。A ．只有V1导通 B ．只有V2导通 C ．V1、V2均导通 D ．V1、V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.7V 时，输出电压U0为（ B ）。A ．-14.3V B ．-0.7V C ．-12V D ．-15V12、P 型半导体中多数载流子是（ D ），N 型半导体中多数载流子是（ C ）。A ．正离子 B ．负离子 C ．自由电子 D. 空穴13、用万用表R ×10和R ×1K 挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。A ．相同 B ．R ×10挡的测试值较小 C ．R ×1K 挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ c ）。A ．二极管的质量差 B ．万用表不同欧姆档有不同的内阻C ．二极管有非线性的伏安特性 二、 简答题1、什么是本征半导体？N 型半导体？PN 结？答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。N 型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P 型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN 结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P 型区，一边形成N 型半导体。五．分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？ 解：图a) V 导通，I=5mA图b) V 截止,I=0图c) V导通，I=10mA2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sinωtV,试画出输出电压波形。
3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A 点电位和流过二极管的电流。
4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？ 图1-1-11 解：a)V 导通，U 0=11.3Vb)V 导通，I 0=15-12/3=2mAU R =1×3=3V U O =UR -15=-12Vc)V 导通 ， U O =0.7V §1-2 晶体三极管 一、填空题1、三极管有两个结，分别为、个电极分别为 发射极 、和，三极管按内部结构不同可分为 和 PNP 型。2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是正偏 和 集电结 反偏，电流分配关系是 I E =IC +IB 。3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作 元件，工作在输出特性曲线上的 放大 区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作 开关 元件，工作在输出特性曲线上 区或 饱和 区或 截止 区。4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V 、-10.2V 、-14V ，则该管为 PNP 型 锗 材料三极管，1脚是2脚是3脚是5、NPN 型三极管，挡U BE ＞0.5V ，U BE ＞U CE 时，工作在 状态；当U BE ＞0.5V ，U BE ＜U CE 时，工作在状态；当U BE ＜0时，工作在态。6、当温度升高时，三极管的电流放大系数β将电流I CEO 将 增加 ，发射结电压U BE 将 增大 。7、衡量晶体三极管放大能力的参数是极管的主要极限参数有、、大允许耗散功率 。8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管 大 ，所以 硅 三极管的热稳定性好。9、三极管的输出特性可分为三个区域，即 区，当三极管工作在I C =βI B 才成立；当三极管工作在包河区时UCE= CES ；当三极管工作在截止区时，I C = O(ICEO ) 。10、I CEO 称为三极管的电流，它反映三极管的性 ，I CEO 是I CBO 的 1+β 倍，先选用管子时，希望I CEO 尽量 小 。11、测量晶体三极管3AX31的电流，当I B =20uA时，I C =2mA；当I B =60uA时，I C =5.4mA，则该管的β为 85 ，I CEO = CBO 。12、设三极管的P CM =150mW, I CM =100 mA, U (BR)CEO=30V,若U CE =10V,IC 允许的最大值为；若U CE =1V, I C 允许的最大值为I C =3A,UCE 允许的最大值为。13、复合管是由以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的放大倍数。14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于三极管的类型，其电流放大系数β= β1×β2 。 二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N 型或P 型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（ × ）2、晶体三极管的放大作用具体体现在△I C =β△I B 。（ √ ）3、晶体三极管具有能量放大作用。（× ）4、硅三极管的I CBO 值要比锗三极管的小。（√ ）5、如果集电极电流IC 大于集电极最大允许电流ICM 时，晶体三极管肯定损坏。（√ ）6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。（√ ）7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBE ＜UCE 。（ × ）8、某晶体三极管的I B =10uA时，I C =0.44mA;IB =20u时，I C =0.89mA,则它的电流放大系数β=45。（ √ ）9、因为三极管有两个PN 结，二极管有一个PN 结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（× ）10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN 型为硅管，PNP 型为锗管）。 11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。（ × ）12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。（ √ ）三、选择题1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）A. 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态2、三极管在饱和状态时，它的IC 将（C ）。A. 随I B 的增加而增加 B. 随I B 的增加而减小C. 与I B 无关3、三极管的特性曲线是指它的（C ）。A. 输入特性曲线 B. 输出特性曲线C. 输入特性和输出特性曲线4、在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（C ）对应。A. 输入电压 B. 基极电压 C. 基极电流5、当温度升高时，晶体三极管的参数将发生（C ）变化。A. UBE 增大，β增大，I CBO 增大B.U BE 减小，β增大，I CBO 增大C. UBE 增大，β减小，I CBO 增大6、用万用表测得电子线路中的晶体管U E =-3V,UCE =6V,UBC =-5.4V,则该晶体管是（ C ）。A.PNP 型，处于放大状态 B.PNP 型，处于截止状态C.NPN 型，处于放大状态 D.NPN 型，处于截止状态7、已知某晶体管的P CM =100mW I CM =20mA U (BR)=15V在下列工作条件下，正常工作的是（B ）。A.U CE =2V,IC =40mA B.U CE =3V,IC =10mAC.U CE =4V,IC =30mA D.U CE =6V,IC =20mA8、3DG6型晶体管是（ A ）。A. 高频小功率硅NPN 型三极管 B. 高频小功率锗NPN 型三极管C. 高频小功率锗PNP 型三极管9、在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时，IC 是( C )。A. ICM B.I CBO C.I CEO10、某晶体三极管的发射极电流等于1ma, 基极电流等于20uA, 正常工作时它的集电极电流等于（ A ）。A.0.98mA B.1.02mA C.0.8mA11、图1-2-2所示电路中，三极管处于（ A ）状态（V 为硅管）。A. 截止 B. 饱和 C. 放大12、在图1-2-3所示各复合管中，连接不正确的是（C ）。 四、简答题1、什么是三极管的输出特性？画出硅三极管在共发射极组态时的输出特性曲线，并标出它的三个工作区。答：它是指三极管基极电流I B 一定时，三极管的集电极电流I C 与集电极和发射极之间的电压U CE 之间的关系曲线。 2、三极管有哪三种连接方式？画出示意图。答：共发射极接法，共集电极接法，共基极接法。 3、三极管有哪三种工作状态？其外部条件（偏执条件）是什么？ 答：放大状态、截止状态 、饱和状态。其外部条件（1）放大状态时，三极管发射结正偏，集电结反偏时，ic 受ib 控制，具有电流放大作用。同时ic 的大小和uce 基本无关。记住三极管放大状态时的硅管U BE 约为0.7V ，锗管的U BE 约为0.3V 。（2）截止状态时:一般把I B =0时，这时的三极管发射结和集电结均反偏，三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小的集电极电流穿透电流存在。（3）饱和状态时:三极管的Uce ＜Ube 时，在发射结和集电结均正偏时，此时ic 不受ib 控制，却随着U CE 的增大而增大，这时处于饱和状态，相当于开关闭合。这时的只剩下三极管的饱和压降存在。 5、标出下列复合管的等效管型和管脚。 6、三极管的集电极最大允许电流是怎样定义的？答：三极管集电极最大允许电流Icm ，集电极电流过大时，三极管的β值要降低，一般规定β下降到其正常值的三分之二时的集电极电流。 五、分析、计算、画图题1、一个晶体三极管在工作时，测得其发射极电流I E =10mA，基极电流I B =400uA，求其基极电流I C 和直流电流放大系数β。 2、用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值：（1）UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V;(3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。试分析每只管子的类型，是硅管还是锗管，并说明工作状态。答： (1) UBE=0.7V是硅管，UCE=0.3V工作在饱和状态。（2） UBE=0.7V是硅管，UCE=4V工作在放大状态。（3）UBE=-0.2V是锗管，UCE=-0.3V工作在饱和状态。3、画出PNP 管和NPN 管的符号，并标出放大状态时各极电流方向和各极间电压的极性。 §1-3 场效应管一、填空题1、晶体三极管是 变化去控制较大的 集电极电流 的变化。2、场效应管是控制器件，是用电流，具有3、场效应管按其结构不同分为类，每类有 P 沟道和 N 沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状态又可分为 增强 型和 耗尽 型两种。4、场效应管的三个电极分别是。5、场效应管的输出特性曲线是UGS 为定值时与 漏源电压UDS 的关系曲线，输出特性曲线分为 可变电阻 区、 放大饱和 区和 击穿 区。6、某耗尽型MOS 管的转移特性曲线如图1-3-1所示由图可知 7、图1-3-2是增强型MOS 的一条输出特性曲线，当UDS=10V时， 该管的。8、用N 沟道增强型和P 沟道增强型MOS 管组成互补电路，称 和工作电源范围 中。9、VMOS 管和UMOS 管的最大特点是度 快、的线性度好，是理想的大功率器件。10、场效应管用于放大时，工作在区，三极管用于放大时，工作在 放大 区。11、场效应管的主要参数有 饱和漏极电流IDSS 、 跨导gm 和 漏极击穿电压二、判断题1、晶体三极管是单极型器件，场效应管是双极型器件。（ × ）2、通常场效应管的性能用转移特性曲线、输出特性曲线和跨到表示。（ × ）3、场效应管的源极和漏极均可以互换使用。（ × ）4、场效应管具有电流放大和电压放大能力。（× ）5、跨到是表征输入电压对输出电流控制作用的一个参数。（ √ ）6、结型场效应管有增强型和耗尽型。（ × ）7、绝缘栅场效应管通常称为MOS 管。（√ ）8、P 沟道增强型绝缘栅场效应管正常工作时UDS 和UGS 都必须为负。（ √ ）9、绝缘栅场效应管可以用万用表检测。（ × ）10、存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。（ √ ）三、选择题1、绝缘栅场效应管有（B ）个PN 结。A.3 B.2 C.1 D. 02、场效应管的转移特性曲线是（ A ）。 3、结型场效应管属于( B ) 。A. 增强型 B. 耗尽型 C. 不确定4、表征场效应管放大能力的重要参数是（ B ）。A.UP B.Gm C.IDSS D.UT5、N 沟道增强型MOS 管栅源电压UGS 是（A ）。A. 正值 B. 负值 C. 零6、N 沟道增强型MOS 管放大作用时，工作在（ A ）。A. 恒流区 B. 夹断区 C. 可变电阻区四、1、什么是场效应管？它有哪三个电极？分为哪些类型？画出N 沟道MOS 管增强型和耗尽型图形符号.答：是一种电压控制器件，它是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的器件。源极S 、漏极D 、控制极（栅极)G 。它分为增强型（EMOS ）和耗尽型（DMOS ）两大类。各类又有P （PMOS ）沟道和N （NMOS ）沟道两种。 2、画出增强型NMOS 管的转移特性和输出特性曲线，并在输出曲线上标出她的三个区域。 3、什么是增强型MOS 管？什么是耗尽型MOS 管？答：增强型：在漏源极间加正向电压UDS,UGS 依靠加上电压才产生导电沟道的场效应管称为增强型mos 管。耗尽型：只要加上UDS 电压，即使UGS=0管子也能导通形成漏电电流，称为耗尽型mos 管。4、能否用万用表来检测场效应管?答：对绝缘栅场效应管不允许用万用表检测，以防止静电高压将管子击穿，对结型场效应管可用判断晶体三极管方法来判断PN 结。5、已经 某场效应管输出特性曲线如图1-3-4所示。试分析：（1）是哪种类型的场效应管？（2）Ur （或UP ）、IDSS 是多少？（3）跨导Gm 是多少？答：（1）N 沟道耗尽型（2）（夹断电压）UP=-4v ，（饱和漏极电流）I DSS =8mA（3）跨导Gm=△I D /△U GS =8m/v 本文由()首发，转载请保留网址和出处！
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甘肃省景泰职业中等专业学校2013年第一学期期中考试
12 秋 单招 班
《电子技术基础》试卷
试题号 得分 一
核分人签名
一、 单项选择（每题3分，计45分） 1．N型杂质半导体中，多数载流子是（
） A．正离子
B．负离子 C．空穴
D．自由电子 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为（
） A．-5V B．+5V C．+10V D．+15V
3．测得电路中某晶体三极管（锗管）各管脚的电位，如题3图所示，则可判定该管处在（
） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．不确定状态
4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为（
） A．PNP型管，①是e极 B．PNP型管，③是e极 C．NPN型管，①是e极 D．NPN型管，②是e极
5．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流（
） 《电子技术基础》试题第1页（共8页） A．串联负反馈
B．并联负反馈 C．电压负反馈
D．电流负反馈 6．对于射极输出器的特点，其错误的结论是（
） ．．．A.输出电压与输入电压相位相同 B.输入电阻高 C.电压放大倍数大于1 D.输出电阻低 7．如图所示电路中，若测得UCE≈UCC，则管子工作在（
） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.短路状态
8．.图示放大电路中，三极管的UBE=0.6V，欲得到IB=30μA的静态电流，RB的值应取（
） A. 120kΩ B. 200kΩ C. 380kΩ D. 510kΩ
9．用示波器测量正弦波周期信号，TIME/DIV旋钮位于0.5ms档位，一个周期占有3个水平格，则（
） A.信号周期为0.5ms B. 信号周期为1.5ms
C. 信号周期为2.5ms D. 信号周期为2.0ms 10．稳压管是利用其伏安特性的（
）特性进行稳压 A．反向
B．反向击穿 C．正向起始
D．正向导通 11．下列三种功率放大电路中，效率最高的是（
） A．甲类
B．乙类 C．甲乙类
D．丙类 12给乙类功率放大器电路设置适当的静态工作点，其目的是（
） A．消除饱和失真
B．减小放大倍数 C．消除交越失真
13．共发射极基本放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的负半周出现失真，应采取（
）的办法 A．减小RB
D．增大RC 14．要满足三极管工作在放大状态，应具备（
A．发射结正偏，集电结正偏
B．发射结正偏，集电结反偏
C．发射结反偏，集电结正偏
D．发射结反偏，集电结反偏 《电子技术基础》试题第2页（共8页） 15．射极输出器的发射极电阻RE，为电路引入了（
）负反馈 A．电压串联
B．电压并联 C．电流串联
D、电流并联
评卷人 二、填空题（每个3分，计15分）
1．由NPN型管构成的基本共射放大电路，若静态工作点偏低（即IBQ小，ICQ小），将容易产生_________失真。 2．放大电路中的负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入________负反馈。 3．某晶体三极管工作在放大区，当基极电流从10μA增大到20μA时，集电极电流从1mA增大到2mA，则晶体管的β=________。 4．多级放大电路中每级放大电路的电压放大倍数分别是AU1 AU2 …..AUn则总的放大倍数为AU=
5．在硅晶体中掺入微量
价元素可以生成N型半导体
三、计算题（40分）
1. 若测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地电位U1、U2、 U3分别为下述数值，度判断它们是硅管还是锗管，是NPN还是PNP型？并确定三个极。
（1）U1=2.5V, U2=6V, U1=1.8V
（2）U1=-6V, U2=-3V, U3=-2.8V,
2.电路如题图所示，设所有电容对交流均视为短路。已知：UCC=12V，RB=300kΩ， RC=3kΩ，RL=3kΩ，RS=1kΩ，UBE=0.7V，β=50。 试： （1）画出放大电路的微变等效电路； （2）计算放大电路的输入电阻。
《电子技术基础》试题第3页（共8页）
3．如图所示的电路中，RB1=60KΩ, RB2=20KΩ, RC=3KΩ, RE=2KΩ, RL=6KΩ, UCC=16V, β=50。求： （1）画出直流通路和交流通路 （2）静态工作点 （3）输入电阻和输出电阻 （4）空载和带载两种情况下的放大倍数 （5）分析电路在环境温度什高时稳定静态工作点
《电子技术基础》试题第4页（共8页）
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2.1.2 写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。 解：VO1≈2V（二极管正向导通），VO2＝0（二极管反向截止），VO3≈－2V（二极管正向导通），VO4≈2V（二极管反向截止），VO5≈2V（二极管正向导通），VO6≈－2V（二极管反向截止）。
2.1.3 重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD＝0.7V。 解：UO1≈1.3V（二极管正向导通），UO2＝0（二极管反向截止），UO3≈－1.3V（二极管正向导通），UO4≈2V（二极管反向截止），UO5≈1.3V（二极管正向导通）， UO6≈－2V（二极管反向截止）。 2.1.4 设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出A、Q两端电压UAO。
(a) (b) 题图2.1.4 (c) 解：题图2.1.4所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=－6V， 图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V， 图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V。 2.1.5 在用万用表的R?10?,R?100?和R?1k?三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数据；4k?,85?和680?，试判断它们各是哪一档测出的。 解：万用表测量电阻时，对应的测量电路和伏安特性如图2.1.5所示，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值，用指针的偏转表示在表盘上。当流过的电流大时，指示的电阻小。测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻值和联合决定。 通常万用表欧姆档的电池电压为Ei = 1.5V，R?10?档时，表头指针的满量程为100μA（测量电阻为0，流经电阻Ri的电流为10mA），万用表的内阻为Ri10?150?；R?100?档时，万用表的内阻为Ri100?10Ri10?1500?（测量电阻为0，表头满量程时，流经Ri的电流为1mA）；R?1k?档时（测量电阻为0，表头满量程时，流经Ri的电流为0.1mA），万用表的内阻为Ri100?100Ri10?15k?；
由图可得管子两端的电压V和电流I之间有如下关系： R?10?档时，内阻Ri10?150?； V1?1.5?I1Ri10?1.5?150I1 R?100?档时，内阻Ri100?1500?；V2?1.5?I2Ri100?1.5?1500I2 R?1k?档时，内阻Ri100?15k?；V3?1.5?I3Ri1k?1.5?15000I3 从伏安特性图上可以看出，用R?10?档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为A，万用表的读数为V1/I1。 用R?100?档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为B，万用表的读数为V2/I2。 用R?1k?档测量时，万用表的直流负载线方程与二极管的特性曲线的交点为C，万用表的读数为V3/I3。 由图中可以得出 V1V2V3 ??I1I2I3所以，85?为万用表R?10?档测出的；680?为万用表R?100?档测出的；4k?为万用表R?1k?档测出的。 2.1.6 电路如题图2.1.6所示，已知vi＝6sinωt(v)，试画出vi与vo的波形，并标出幅值。分别vi/V6V0.7V0π 2π ?t使用二极管理想模型和恒压降模型（VD＝0.7V）。
解：由题意可知：vi＝6sinωt(v)
在vi的正半周，二极管导通，电路的输出电压波形如图2.1.6(a)、(b)所示。 2.1.7 电路如题图2.1.7所示，已知vi＝6sinωt (V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出vi与vO的波形，并标出幅值。
题图2.1.7 图2.1.7 题图2.1.6 解：由题意 vi＝6sinωt(V) 波形如图2.1.7所示： 当vi?3.7V时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当vi??3.7V时，二极管D2导通，vo＝?3.7V，
当?3.7V?vi?3.7V时，二极管D1、D2截止，vo＝vi 。 2.2.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V、5V和8V等三种稳压值。 2.2.2 已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为 IZ1?VI?VZ10?6??0.008?A??8mA?IZmin?5mA， R1500大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 Vo1?6V。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为 IZ2?VI?VZ10?6??0.002?A??2mA?IZmin?5mA， R2?VI??V?I5V 。 R2?RL小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
VO2? 2.2.3 电路如题图2.2.3（a）（b）所示，稳压管的稳定电压VZ＝3V，R的取值合适，vi的波形如图（c）所示。试分别画出vO1和vO2的波形。
解：波形如图2.2.3所示。 题图2.2.3所示的电路中，对于图（a）所示的电路，当vi?3V时，稳压管DZ反向击穿，vo＝vi ?3V，当vi?3V时，稳压管DZ未击穿，vo＝0V。 对于图b所示的电路，当vi?3V时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ
，当vi?3V时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi
题图2.2.4 图2.2.3
2.2.4 已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。 （1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值； （2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
（2）IDZ?(vi?VZ)R?29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 2.2.5 电路如题图2.2.5所示，设所有稳压管均为硅管（正向导通电压为VD＝0.7V），且稳定电压VZ＝8V，已知vi＝15sinωt (V)，试画出vO1和vO2的波形。
解：题图2.2.5所示的电路图中，对于图（a），当vi?VZ?8V时，稳压管DZ反向击穿，vo＝8V ； 当vi??VD??0.7V时，稳压管DZ正向导通，vo＝?0.7V ； 当?0.7V??VD?vi??VZ?8V时，稳压管DZ1 和DZ2未击穿，vo＝vi 。
对应题图2.2.5(a)电路的输出电压的波形如图2.2.5(a)所示。 对于图（b），当vi?VZ?VD?8.7V时，稳压管DZ1正向导通、DZ2反向击穿，vo＝8V；
当vi??VZ?VD??8.7V时，稳压管DZ1反向击穿、DZ2正向导通，vo＝?8V；
当?8.7V??VZ?VD?vi??VZ?VD?8.7V时，稳压管DZ1 和DZ2未击穿，vo＝vi 。 对应题图2.2.5(b)电路的输出电压的波形如图2.2.5(b)所示。
(a) 题图2.2.5 (b)
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