导通晶闸管
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双向晶闸管的触发方式双向晶闸管正反两个方向都能导通，门极加正负电压都能触发。主电压与触发电压相互配合，可以得到四种触发方式：1）Ⅰ+触发方式& 主极T1为正，T2为负；门极电压G为正，T2为负。2）Ⅰ-触发方式& 主极T1为正，T2为负；门极电压G为负，T2为正。3）Ⅲ+触发方式& 主极T1为负，T2为正；门极电压G为正，T2为负。4）Ⅲ-触发方式& 主极T1...
。随着系统容量越来越大，装置对高压开关器件的要求也越来越高。如果一组串联SCR中某一个SCR该导通时没有导通，那么加在该组SCR上的电压都将加到该SCR上形成过电压，造成该器件的击穿损坏，甚至于一组串联SCR都被烧坏。为了克服上述问题，保证高压变频器中串联晶闸管能够安全可靠的工作，提高系统可靠性，有必要为晶闸管配备后备驱动系统。本文提出了给SCR驱动电路增设自供电驱动系统——SPDS （Self...
晶闸管的外形有两种：螺栓型和平板型。晶闸管的结构和等效电路如下图所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个PN结J1、J2和J3。2. 晶闸管的工作原理νIG↑→Ib2↑→IC2(Ib1)↑→IC1↑(1) 欲使晶闸管导通需具备两个条件：① 应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。② 应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。(2) 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管...
;&&&& ④防止失控现象的产生9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud的表达式是（& A&& ）2. 在三相全控桥式有源逆变电路中，以连接于A相的共阴极组晶闸管V11为例 ，说明其在一个周期中，导通及关断期两端承受电压波形的规律。答:V11导通期间为其正向管压降(≈0)为120°期间；（1分）V11关断期间...
双向晶闸管作为开关器件，用来接通或断开交流负载电源。按交流SSR的控制触发方式不同，又可分为过零触发型和随机导通型两种。过零触发型交流SSR是当控制信号输入后，在交流电源经过零电压附近时导通，故干扰很小。随机导通型SSR则是在交流电源的任一相位上导通或关断，因此在导通瞬间可能产生较大的干扰。过零触发型交流SSR为四端器件，其内部电路如图2所示。1、2为输入端，3、4为输出端。R0为限流电阻，光耦合器...
课程目标1 了解晶闸管结构，掌握晶闸管导通、关断条件2 掌握可控整流电路的工作原理及分析3 理解晶闸管的过压、过流保护4 掌握晶闸管的测量、可控整流电路的调试和测量课程内容1 晶闸管的结构及特性2 单相半波可控整流电路3 单相半控桥式整流电路4 晶闸管的保护5 晶闸管的应用实例6 晶闸管的测量、可控整流电路的调试和测量学习方法
从了解晶闸管的结构、特性出发，掌握晶闸管的可控整流应用，掌握...
抗器及输出滤波器滤波，将输入转换成稳定的直流输出电压。
稳压原理是通过采样得到的输出电压变化量，经过与基准电压值在误差放大器中比较放大之后，输出脉冲信号控制晶闸管的导通角，当输出电压下降，晶闸管的导通角增大，晶闸管的导通时间增加，输出电压上升；当输出电压上升，晶闸管的导通角减小，晶闸管的导通时间减小，输出电压下降。
这种稳压电源与……...
，将输入转换成稳定的直流输出电压。
稳压原理是通过采样得到的输出电压变化量，经过与基准电压值在误差放大器中比较放大之后，输出脉冲信号控制晶闸管的导通角，当输出电压下降，晶闸管的导通角增大，晶闸管的导通时间增加，输出电压上升；当输出电压上升，晶闸管的导通角减小，晶闸管的导通时间减小，输出电压下降。
这种稳压电源与……...
整流电路中功率因数cos 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。各管上承受的最大反向电压为________。3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α&30°时，负载电流出现________。晶闸管所承受的最大反向电压为________。4.在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U2，反电势为E时，不导电角δ=________，若晶闸管不导通时...
虚拟仪器技术进行晶闸管电路功率因数和谐波测试与传统的测试仪器相比其开发效率智能化程度性能价格比可靠性及可操作性可维护性等方面都具有明显的优势基于虚拟仪器的晶闸管测试系统简介被测试对象是晶闸管控制的照明系统这个系统通过改变晶闸管的导通角降低负载的电压和功率达到控制照度的目的但是系统的输出不是正弦波谐波分量较大功率因数也较低因此要求在晶闸管导通角连续变化的情况下进行电压波形电流波形功率因数和谐...
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和冲击转矩，优点是价格比较便宜，但二次控制线路稍微复杂一些，自耦变压器启动通常自耦变压器不便做成更多的电压档输出，通常最多只有2－－3档电压（可能是40%、70%、85%等），自藕降压启动要用多个大功率接触器，而且动力电缆接线麻烦、控制回路线路也比软启动多& &软启动采用串接于电源与电机间的软启动器，控制其内部晶闸管的导通角，使电机的输入电压从0开始，以预定函数关系上升，直到起动...
面保留功率MOS的优点，另一方面引入一个双极结型结构，这样，在器件导通时，双极结型结构会产生少数载流子注入效应，从而对n-漂移区的电导率进行调制，即电导调制效应，从而有效地降低n-漂移区的电阻率和器件的导通电阻。图1为最基本的IGBT结构图。
IGBT主要缺点
图1基本IGBT结构图
IGBT在克服了VDMOS缺点的同时，又带来了其自身固有的结构缺陷。IGBT隐含一种栅控四层pnpn晶闸管...
过他们的优缺点，MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的(Voltage-Controlled...
，其输出不但改变电压而且同时改变频率；软起动器实际上是个调压器，用于电机起动时，输出只改变电压并没有改变频率。变频器具备所有软起动器功能，但它的价格比软起动器贵得多，结构也复杂得多。电动机软起动器是运用串接于电源与被控电机之间的软起动器，控制其内部晶闸管的导通角，使电机输入电压从零以预设函数关系逐渐上升，直至起动结束，赋予电机全电压，即为软起动，在软起动过程中，电机起动转矩逐渐增加，转速也逐渐...
　　普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管?就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路。
　　在正弦交流电压U2的正半周期间?如果VS的控制 极没有输入触发脉冲Ug?VS仍然不能导通?只有在U2处于正半周?在控制极外加触发脉冲Ug时?晶闸管被触发导通。现在?画出它的波形图〔图4(c)及 (d)〕?可以看到...
1、工作原理
逆变装置的核心，是逆变开关电路，简称为逆变电路。该电路通过电力电子开关的导通与关断，来完成逆变的功能。
(1)要求具有较高的效率。
由于目前太阳能电池的价格偏高，为了最大限度的利用太阳能电池，提高系统效率，必须设法提高逆变器的效率。
(2)要求具有较高的可靠性。
目前光伏电站系统主要用于边远地区，许多电站无人值守和维护，这就要求逆变器有合理的电路结构，严格...
自动打开过。显示了图的阳性和阴性细胞保护电路，因为它适用于进步党和型晶体管是用来作为等效晶闸管结构。保险丝保护这一结构允许向前开启去略高于+电源接通高压晶闸管或略低于-电源开启侧晶闸管。信号线的有源器件保护两方向和不加系列阻抗信号输入线。分流电阻用正向偏置进步党装置的导通而不直接连接到信号线。作为片上保护细胞，这种结构可能是下一个键盘输入的有源电路；这是一个最好的位置保护装置。
类，图1所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，CE不通。对于数位量，当输入为低电平“0”时，光敏三极管截止，输出为高电平“1”；当输入为高电平“1”时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器...
有专门设计ESD的团队，今天我就和大家从最基本的理论讲起逐步讲解ESD保护的原理及注意点，你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS管、snap-back全都用上了。。。以前的专题讲解PN结二极管理论的时候，就讲过二极管有一个特性：正向导通反向截止，而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿而导通，我们称之为钳位二极管(Clamp)。这正是我们设计静电保护所需要的理论基础，我们就是利用这个反向截止特性...
触发二极管VD 截止，进而使双向了晶闸管VS也截止，照明灯EL熄灭。
当环境光较弱时，光电传感器RG的阻值变大，使可调电阻器RP与光电传感器RG处的分压值变高，随着光照强度的逐渐增强，光电传感器RG的阻值逐渐变大，当可调电阻器kP与光电传感器RG处的分压值达到双向触发二个极管VD的触发电压时，双向触发二极管VD导通，进而触发双向品闸管VS也导通，照明灯EL点亮。
安徽大时代：光电...
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公开/公告号：CN2375020Y
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【说明书】：
本实用新型涉及一种电动机保护装置，特别是一种小型三相交流电机的断相保护开关。目前各种小型三相电动机应用相当普遍，但对于小型电动机的保护还不够理想，虽有多种断相保护器，但都要和接触器、熔断器、按钮开关成套使用。这种成套使用转置价格高，体积大，接线多，外露带电金属多，安全性差，因此绝大多数小型、微型电动机难以配用失去保护。本实用新型的目的在于提供一种用于三相交流电动机的保护开关。本实用新型是用如下方式完成的：断相保护开关，它是由串接在三相主电路中的双向晶闸管VS的控制极经光电耦合器的受光管V2接二极管V3，光电耦合器的发光管V1串接电阻R3后并接电容C2再串接二极管V3并接在双向晶闸管VS的两端，每个光电晶闸管的控制极上接直健开关SB的常闭触点，直健开关SB的常开触头接电源，其公共接头接二极管V3。双向晶闸管VS的两端并接有压敏电阻RV和电阻R1串接电容C1的阻容保护电路。一相晶闸管VS的控制电路中串接有热敏电阻RT，热敏电阻RT是双金属片或熔断性热电阻。本实用新型断相保护开关是由晶闸管控制电和电路的通断，在用晶闸管控制电路中采用光电耦合器跨相连接构成三相连锁，用按钮开关控制电机启动与停止。该断相保护开关灵敏度高、工作可靠、无振动、无火花，可频繁操作，适用于小型或微型三相交流电动机的保护和开关使用。图1是本实用新型电路原理图；图2是本实用新型操作过电压产生的触发电流等效电路图。下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明：如图1所示，本实用新型断相保护开关是由串接在电机三相至电路中的双向晶闸管VS并接压敏电阻RV和电阻R1串接电容C1，压敏电阻RV用作过电压保护，电阻R1串接电容C1用作换流保护。光电耦合器的发光管二极管V1串接电阻R3后并接电容C2，再串接整流二极管V3，然后并接在双向晶闸管VS两端，双向晶闸管VS的控制极串接电阻和光电耦合器的受光管V2后接于电容C2与二极管V3之间，每个光电耦合器的发光管V1和受光管V2是跨接在二相之中构成三相连锁，在一相晶闸管VS的控制极上接直健开关SB的常闭触点1，直健开关SB的常开触头3经热敏电阻RT接电源，其公共接头2接二极管V3。热敏电阻RT是双金属片或熔断性热电阻。用作过载保护。如图1所示，三只光电耦合器的发光管V1和受光管V2被分别接入相邻的二相电路中，三只光电耦合器用三条光路把三相的控制电路连锁起来，构成用作断相保护的三相连锁光电控制电路。FV为熔断器。正常工作时，按钮开关SB在按下位置，其内部的铜片，电连接点1-2移至2-3，于是三相控制电路完全相同。启动时三相有电源，电机M的线圈有电压又有分布电容，按钮开关SB的触头之间有分布电容C，如图2所示。按动按钮SB时，在动静触头即将接通和刚接通的瞬间有操作过电压产生，操作过电压的特点是电压高，等效频率高，持续时间短，高频高压很容易通过电容有关电路中的电容器可视为直通的导线，因此启动时在产生操作过电压的瞬间的等效电路可简化如图2，在操作过电压的作用下有电流通过L1相的控制极G，使该相晶闸管VS导通，导通后，该相晶闸管即为二邻相的电容C2提供充电通道，电容C2充电后，二邻相的发光二极管V1立即发光，受光管V2立即导通，于是接通控制板，二邻相的晶闸管V3导通，于是三相通电，电机启动。晶闸管VS在给电机送电的同时，还作为充电通道经过电机线圈和邻相的二极管V3，由交流电源电压向邻相的电容C2充电，当该邻相的晶闸管VS在交流电源过0点而瞬时断开时，该电容C2立即被充电至较高电压，此电容电压为发光管V1和控制极G提供了不间断电源，使发光管V1常发光，受光管V2常导通。控制极常有电流，从而晶闸管VS保持导通，电机就不停地工作。当一相断线时，该相电容C2无充电回路停止充电，电容C2很快放电完毕，发光管V1失电停止发光，引起邻相的受光三极管V2失光断开，于是邻相的控制极G电路不通，邻相断电，此相断电又同理导致另一相因发光而断电，于是三相断电，电机停转，电容C2放电完毕，晶闸管VS断开，电机停转，再来电时，晶闸管VS不通，C2无充电通道不能充电，发光管V1无光，受光管V2不通，控制极G电路不通，晶闸管不通导通，电机不会自行启动。过载保护由热敏元件RT作过载保护，热敏元件RT可以是双金属片、热敏电阻(自复性保险)及熔断性热电阻(湿度保险)。热敏元件的热源可以是电机、晶闸管及专用电热件即电阻或电阻丝，热敏元件安装在热源所在处，当用电阻或电阻丝作热源时，应使其与熔断器串接以通过电机电流。在本实用新型中如遇光电耦合器容量过小时，可加一级放大电路，即用受光管V2去控制放大管，再由放大管去触发大晶闸管。
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正向触发电压晶闸管导通后.PPT 55页
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正向触发电压晶闸管导通后
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电路 动画 u2a 2? ? u2b u2c t1 t2 u o T
T1 RL uo D3
T2 T3 D2 D1 io
c b a u + + – –
晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。
电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 与晶闸 管串联 接在输入端 ~ 接在输出端 快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。 (3) 过流截止保护
在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。
在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 2. 硒堆保护 C R
利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压 的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电 阻中消耗掉。 R C R C
硒堆保护 (硒整流片) C R ~ R L 晶闸管元件 的阻容保护 B2 第二基极 B1 N 欧姆接触 接触电阻 P 发射极E 第一基极 PN结 N型硅片 (a) 示意图 单结晶体管结构示意图及其表示符号 (b) 符号 B2 E B1 ? UE
& ? UBB+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； PN结正向导通, IE迅速增加。 UE ? UP时 ?
? – 分压比(0.5~ 0.9) UP – 峰点电压 UD – PN结正向导通压降 B2 B1 UBB E UE + _ + _ RP + _ + _ 等效电路 RB1 RB2 A UBB E UE + _ RP + _ + _ B2 B1 测量单结晶体管的实验电路 由图可求得 (3)单结晶体管的伏安特性 UV、IV(谷点电压、电流):
维持单结管导通的最小
电压、电流。
UP(峰点电压)：
单结管由截止变导通
所需发射极电压。 Ip IV o IE UE UP 峰点电压 UV 谷点电压 V 负阻区 截止区 饱和区 负阻区：UE&UP后， 大量空穴注入基区， 致使IE增加、UE反 而下降，出现负阻。 P 1.
UE & UP时单结管截止； UE & UP时单结管导通， UE & UV时恢复截止。 单结晶体管的特点 B2 E B1 2.单结晶体管的峰点电压UP与
外加固定电压UBB及分压比?
有关，外加电压UBB或分压比?不同，则峰点电
压UP不同。 3. 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都
不一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用
?稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输
出脉冲幅度和移相范围。 单结晶体管弛张振荡电路
单结晶体管弛张 振荡电路利用单结管 的负阻特性及RC电路 的充放电特性组成频 率可调的振荡电路。 ug R2 R1 R U uc E + C + _ _ + _ 50? 100k? 300? 0. 47?F ug R2 R1 R U uC E + C + _ _ + _ 50? 100k? 300? 0. 47?F 设通电前uC=0。
接通电源U, 电容C经电阻R充电。电容电压uC逐渐升高。
当uC ? UP时,单结管导通,电 容C放电,R1上得到一脉冲电压。 Up Uv Up-UD uC ?t ug ?t 电容放电至 uC ? U
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常见晶闸管的原理与运用
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在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压Ud波形如何？如果有一个晶闸管
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提问人：匿名网友
发布时间：
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)2当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
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