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1、什么是砷化镓三五族太阳能电池
太阳能电池(Solar Cell)可大致分为三代，第一代为硅晶电池，又可大致分为单晶硅与多晶硅两种，商业应用之历史最悠久，已被广泛应用于家庭与消费性商品﹔第二代产品为薄膜太阳能电池，主要构成材料为非晶硅(Amorphous)与二六族化合物半导体，常被运用于建筑涂料﹔第三代即为砷化镓三五族太阳能电池，砷化镓(GaAs)被运用于太空作为发电用途已有很长的历史，主要因为砷化镓具有良好的耐热、耐辐射等特性，因此被广泛利用在太空发电用途，唯价格过于高昂，故过去未被使用于地面及家庭消费性用途。然随着人类对半导体材料的认识益深，搭配上聚光光学组件，如今三接面砷化镓电池之转换效率已可高达40%，制造成本亦大幅降低。在全球热切寻找永续替代能源的今日，高效率砷化镓太阳能电池将是光能发电的另一项重要选择。
2、什么是三接面太阳能电池
三接面太阳能电池由三个不同材料的单接面二极管串接而成，各接面可吸收太阳光谱中不同的波段，更有效率地将光能转换为电能。使多接面电池之转换效率约为一般硅芯片太阳电池的两倍以上。
3、发电转换效率怎么算转换效率=输出功率/（输入功率密度X芯片透光面积）
4、什么是(高倍)聚光型太阳能发电系统
聚光型太阳能系统(CPV)是使用光学组件如菲涅耳透镜(Fresnel lens)将阳光聚光至一个小点上，以期在极少的芯片面积上，达到高倍的聚光效果，太聚所生产之芯片在五十至一千倍之聚光倍率下皆表现亮丽。
5、聚光倍率怎么算几何聚光倍率之计算方法是以聚光镜片的面积除以芯片之大小。电流比倍率之计算方法是以聚光下之短路电流大小除以1sun(未聚光)之短路电流之大小。
6、为何CPV系统需要追日仪器对于聚光型的太阳能发电系统，追日仪器是必备的。每天当太阳由东方升起西方落下，太阳以每小时15度的角速度移动，如果要将太阳光经过聚光透镜或反射镜永远投射在芯片上，必须使用追日器材，将光学系统永远垂直对正于太阳的方向。当聚光倍率提高时，追日仪器的基准度的要求亦会提高。以500倍聚光而言其误差必须在0.3度以内。
7、am1.5是什么意思？太阳光穿过大气层时，其光谱中某些波段会与大气中的化学物质与水蒸汽等作用而被吸收，最显著的例子就是臭氧层可拦截掉大部分的紫外光。到达地表的太阳光的波长一般介于近紫外线到远红外线之间。太阳光在大气中穿越的距离越长，到达地表的能量便越弱。若我们将外层空间不受大气影响的光谱设为AM0(大气质量0)，从天顶垂直入射时通过的空气质量称为AM1 ，则晴天时太阳在水平面上方41.81度入射时通过的太阳光谱为AM1.5。AM1.5的光谱标准是由美国材料试验协会American Society For Testing and Materials（ASTM）所制定，为太阳能电池室内测试模拟最常用的光谱标准，符合AM1.5光源的太阳光仿真器可提供的进光强度应可达100mW/cm2。
8、高倍聚光系统有哪些国际质量标准高倍聚光系统之国际公定标准有IEC62108与IEC60904，目前正逐一通过测试中。
9、可提供的芯片尺寸有哪些目前的标准产品为5.5X5.5mm，10X10mm
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不好我反对
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.All Rights Reserved简介/砷化镓太阳能电池
砷化镓太阳能电池近年来，太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种的现状给光伏产业的发展带来困难。目前，技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。常用薄膜电池转化率较低，因此新型的高倍聚光电池系统受到研究者的重视。聚光太阳电池是用或抛物面镜把太阳光到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。高倍聚光电池具有代表性的是砷化镓（GaAs）太阳电池GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与的匹配较适合，且能耐高温。与相比，GaAs太阳电池具有较好的。
特点/砷化镓太阳能电池
1、光电转化率：
砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。目前，硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到27%，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50%。2、耐温性常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池，有实验数据表明，砷化镓电池在的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。3、机械强度和比重
砷化镓较硅质在上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，目前常把其制成，并使用衬底（常为Ge[锗]），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
技术发展现状/砷化镓太阳能电池
GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在&1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。（GaAs材料的Eg=1.43eV，在上述高效率范围内，理论上估算，GaAs单结太阳电池的效率可达27%）。20世纪60年代，Gobat等研制了第1个掺锌GaAs太阳电池，不过转化率不高，仅为9%～10%，远低于27%的理论值。20世纪&70年代，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用()技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL(HughesResearchLab)及Spectrolab通过改进了LPE技术使得电池的平均效率达到18%，并实现了批量生产，开创了高效率砷化镓太阳电池的新时代[4]。从上世纪80年代后，GaAs太阳电池技术经历了从LPE到&MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自&IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。
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贡献光荣榜砷化镓太阳电池技术的简单介绍与前景中文名称：；-砷化镓太阳能电池；英文名称：；-galliumarsenidesolarcel；定义：；-以砷化镓为基体材料的太阳能电池；GaAs太阳电池的发展已有40余年的历史；60年代GOBAT等研制了第1个掺锌GaAs太阳；70年代,WOODAL等采用LPE技术,在GaA；20世纪80年代后,GaAs太阳电池技术经历了从
砷化镓太阳电池技术的简单介绍与前景
中文名称：
-砷化镓太阳能电池
英文名称：
-gallium arsenide solar cell
-以砷化镓为基体材料的太阳能电池。
GaAs 太阳电池的发展已有40 余年的历史。20世纪50 年代首次发现GaAs 材料具有光伏效应后,LOFERSKI 确立了太阳电池光电转换效率与材料禁带宽度Eg 间的关系,即Eg = 1. 4～1. 6 eV 的材料光电转换效率高。而GaAs 材料的Eg = 1. 43 eV ,能获得较高的转换效率。J ENN Y等首次制成GaAs太阳电池,其效率为6. 5 %。
60 年代GOBAT 等研制了第1 个掺锌GaAs 太阳电池,但转换效率仅为9 %～ 10 % , 远低于27 % 的理论值。
70 年代,WOODAL 等采用L PE 技术,在GaAs 表面生长一层宽禁带Al x Ga12 x As 窗口层,大大减少了表面复合,转换效率提高至16 % ,开创了高效率砷化镓太阳电池的新纪元。
20 世纪80 年代后, GaAs 太阳电池技术经历了从L PE 到MOCVD ,从同质外延到异质外延,从单结到多结叠层结构的几个发展阶段,其发展速度日益加快,效率也不断提高,最高效率已达到29 %。与硅太阳电池相比, GaAs 太阳电池具有更高的光电转换效率、更强的抗辐照能力和更好的耐高温性能,是公认的新一代高性能长寿命空间主
电源。从80 年代至今, GaAs 太阳电池在空间主电源领域的应用比例日益增大。
GaAs 太阳电池是一种Ⅲ2 Ⅴ族化合物半导体太阳电池,与Si 太阳电池相比,其特点为:
a) 光电转换效率高 GaAs 的禁带宽度较Si 为宽,GaAs 的光谱响应特性和空间太阳光谱匹配能力亦比Si 好,因此, GaAs 太阳电池的光电转换效率高。Si 太阳电池理论效率为23 % ,而单结和多结GaAs 太阳电池的理论效率分别为27 %和50 %。
b) 可制成薄膜和超薄型太阳电池 GaAs 为直接跃迁型材料,而Si 为间接跃迁型材料。在可见光范围内, GaAs 材料的光吸收系数远高于Si 材料。同样吸收95 %的太阳光, GaAs 太阳电池只需5～10μm的厚度,而Si 太阳电池则需大于150μm。因此,GaAs 太阳电池能制成薄膜型,质量可大幅减小。
c) 耐高温性能好 GaAs 的本征载流子浓度低,GaAs 太阳电池的最大功率温度系数( - 2 ×10 - 3℃- 1) 比Si 太阳电池( - 4. 4 ×10 - 3℃- 1 ) 小很多。200 ℃时,Si 太阳电池已不能工作,而GaAs太阳电池的效率仍有约10 %。
d) 抗辐射性能好 GaAs 为直接禁带材料,少数载流子寿命较短,在离结几个扩散度外产生的损伤,对光电流和暗电流均无影响。因此,其抗高能粒子辐照的性能优于间接禁带的Si 太阳电池。在电子能量为1 MeV ,通量为1 ×1015 个/ cm2 辐照条件下,辐照后与辐照前太阳电
池输出功率比, GaAs 单结太阳电池& 0. 76 ,GaAs 多结太阳电池& 0. 81 ,而BSFSi 太阳电池仅为0. 70 。
e) 可制成效率更高的多结叠层太阳电池 MOCVD 技术的日益完善, Ⅲ2 Ⅴ族三元、四元化合物半导体材料( Ga InP、AlGa InP、Ga InAs 等) 生长技术取得的重大进展,为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。
GaAs 太阳电池作为新一代高性能长寿命空间主电源,必将逐步取代目前广泛采用的Si 电池,在空间光伏领域占据主导地位。我国航天事业的飞速发展,迫切需要高性能、长寿命的空间主电源。目前在GaAs 电池领域与国外先进水平差距较大,必须加快研制,重点发展三结以上的高效率GaAs 多结太阳电池(非聚光、聚光和薄膜太阳电池) 。
01----田坤
三亿文库包含各类专业文献、行业资料、中学教育、应用写作文书、生活休闲娱乐、专业论文、外语学习资料、幼儿教育、小学教育、砷化镓太阳电池技术的简单介绍与前景30等内容。　
　报告 以本年度最新数据的实证描述为基础,全面、深入...研究报告的文字也简单、明了、通顺、流畅,既明白如...电池行业技术发展现状及趋势 第二节 我国砷化镓太阳... 　砷化镓太阳能光伏电池发展现状分析一、砷化镓电池基本介绍 近年来,太阳能光伏发电在...目前,技术上解决这 一困难的途径有两条:一是采用薄膜太阳电池,二是采用聚光... 　美国的阿尔塔设备公司使用外延层剥离技术,用砷化镓制造...砷化镓太阳能电池介绍 2.砷化镓太阳能电池介绍 2.1...2.4 2.4. 砷化镓太阳能电池发展方向 2.3.1. 高... 　(包含区域市场) 、市场前景(包含 区域市场) 、技术发展趋势分析、价格分析、进...砷化镓太阳能电池产业链分析 一、产业链模型介绍 二、砷化镓太阳能电池产业链模型... 　世界砷化镓太阳能电池技术分析 二、国外砷化镓太阳能电池的发展概况 三、国外砷化镓太阳能电池的现状和发展历程 第二节 年世界砷化镓太阳能电池主要国家运行... 　砷化镓电池的前景展望李俊承 砷化镓太阳电池的特点 一、 砷化镓太阳电池的特点自从...砷化镓电池技术问答 10页 免费 砷化镓电池基本介绍 5页 免费 砷化镓电池基本介绍... 　(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或 MOCVD 技术...砷有毒,制造成本高,此种太阳电池的发展受到影响。 ...本文简要介绍 CdTe 薄膜太阳能电池的 国内外的研究... 　砷化镓太阳能电池产业链分析 一、产业链模型介绍 二、砷化镓太阳能电池产业链模型...砷化镓太阳能电池行业的影响分析 第四章 中国砷化镓太阳能电池行业技术及产品发展... 　太阳能电池技术应用与发展 摘要: 本文介绍了太阳能电池的原理、特点、种类及其...因此碲化镉的能带结构与典型的闪锌 矿型半导体 (如砷化镓 )有许多相通之处,...