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Multisim里的NPN三极管参数资料大全
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放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &70MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC140,BC141,BC300,BC301,2N1990, 晶体管型号： 2N2102(A.L.S) 生产厂家： 美国国民半导体公司，美国无线电公司，SEM，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔 伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &120MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC300,BSS42,BSS43,BSV84,BSW67,BSX47,2N5,2N0,3DK03E, 晶体管型号： 2N2218(A) 生产厂家： SEM，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，美国晶体管有限公司，德 国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： β&40 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC141,BC301,BFX96A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61,2N D, 晶体管型号： 2N2219生产厂家： 德国AEG公司，DIT，美国、法国费兰第有限公司，美国通用电器公司，德国椤茨标 准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： β300 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC140,BC302,BFX97,BSW52,BSX45,3DK3D, 晶体管型号： 2N2219(A) 生产厂家： SEM，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，美国晶体管有限公司，德 国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC141,BC301,BFX97A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61,2N D, 晶体管型号： 2221 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β=40-120 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： 2N2221, 晶体管型号： 2N2222 生产厂家： 德国AEG公司，DIT，美国、法国费兰第有限公司，美国通用电器公司，德国椤茨标 准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni）封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β=300 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC546,BC639,BFX95,BSW62,BSW85,3DK3D,3DG2222, 晶体管型号： 2N2222A 生产厂家： SEM，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，美国晶体管有限公司，德 国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC546,BC637,BFX95A,BSS40,BSS41,BSW61,BSW62,BSW63,BSW64,BSW85,2ND, 晶体管型号： 2N2369(A) 生产厂家： DIT，德国椤茨标准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国晶体管有限公司， 德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 高速开关（SS） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&40 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N 1, 2SCB, 晶体管型号： 2N2712 生产厂家： 美国通用电器公司，SEM，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 18V最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.12W 放大倍数： β&75 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N1,2N0 C, 晶体管型号： 2N1714 生产厂家： SEM，美国得克萨斯仪表公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 90V 最大电流允许值： 0.75A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： β&20 最大工作频率： &16MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC141,BC301,BSS42,BSS43,BSX46,BSX47,2N9,3DK3D, 晶体管型号： 2N2923 生产厂家： SEM，法国巴黎珊斯公司，美国通用电器公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.2W 放大倍数： β&90 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号： 2N2924 生产厂家： SEM，法国巴黎珊斯公司，美国通用电器公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.2W 放大倍数： β&150 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548,晶体管型号： 2N2925 生产厂家： SEM，法国巴黎珊斯公司，美国通用电器公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.2W 放大倍数： β&235 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号： 2N3019(S) 生产厂家： 德国AEG公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公司，美国摩托罗拉半导体 公司，美国晶体管有限公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 140V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BSS43,BSW68,2SC0,2N1,2G072C, 晶体管型号： 2N3020(S) 生产厂家： 德国AEG公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公司，美国摩托罗拉半导体 公司，美国晶体管有限公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 140V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： β&40 最大工作频率： &100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BSS43,BSW68,2SC1860, 晶体管型号： 2N3055(E,H,S,U,) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公 司，美国摩托罗拉半导体公司，德国凡尔伏公司，德国西门子AG公司，美国晶体管有限公司，美国无线 电 公司 制作材料： Si-NPN性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 100V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 115W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2.5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N0,2N4,3D D17D, 晶体管型号： 2N3390 生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&400 最大工作频率： 140MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N1,2N1 C, 晶体管型号： 2N3391(A) 生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&250 最大工作频率： 160MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号： 2N3392 生产厂家： 美国通用电器公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&150 最大工作频率： 120MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N1,2N1 A, 晶体管型号： 2N3393 生产厂家： 美国通用电器公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&90 最大工作频率： 120MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号： 2N3394 生产厂家： 美国通用电器公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&55 最大工作频率： 120MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号： 2N3414 生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限__________工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&75 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC338,BC378,BC738,BC838,2N220,2N221,2N2,3DK3A, 晶体管型号： 2N3415生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&75 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： 2N3403, 晶体管型号： 2N3416 生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&75 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC337,BC377,BC737,BC837,2N1,2N4,3DK3A, 晶体管型号： 2N3417 生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&75 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： 2N3405, 晶体管型号： 2N3439(L,S) 生产厂家： 德国AEG公司，美国无线电公司，美国得克萨斯仪表公司，德国电子元件股份公司， 美国晶体管有限公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1W放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N4B, 晶体管型号： 2N3441 生产厂家： 美国无线电公司，法国巴黎珊斯公司，德国西门子AG公司，SEM，美国硅晶体技术 公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 160V 最大电流允许值： 3A 最大耗散率： 25W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &0.8MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD193,BD241D,BD243D,BDX22,BDY72,BDY79,2SD386(A),2N4,3DD61E, 晶体管型号： 2N3501(S) 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 150V 最大电流允许值： 0.3A 最大耗散率： 1W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &150MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BSS43,BSW68,2SC1860, 晶体管型号： 2N3700 生产厂家： 美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 140V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β&100 最大工作频率： 200MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BSS43,BSS59,BSW68,2SC83,2N4C, 晶体管型号： 2N3707 生产厂家： 美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN性质： 低频或音频放大（LF），前置放大（V），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.03A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 80MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG110B, 晶体管型号： 2N3711 生产厂家： 美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.03A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&180 最大工作频率： 80MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548, 晶体管型号： 2N3858 生产厂家： 美国通用电器公司，SEM，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&60 最大工作频率： 125MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N1,2N1 M., 晶体管型号： 2N3859 生产厂家： 美国通用电器公司，SEM，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&100最大工作频率： 140MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N1,2N1 M, 晶体管型号： 2N3860 生产厂家： 美国通用电器公司，SEM，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&150 最大工作频率： 170MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N1,2N1 M, 晶体管型号： 2N3879 生产厂家： 美国无线电公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 7A 最大耗散率： 35W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &40MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD193,BDX22,MJE2,2NB, 晶体管型号： 2N3903 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&50 最大工作频率： &250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC174,BC182,BC190,BC546,2N1,2NB, 晶体管型号： 2N3904生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC174,BC182,BC190,BC546, 晶体管型号： 2N3947 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，SSI 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC182,BC546,BFX94,BSW61,BSW84,2N1(A),2N2222(A),3DG130B, 晶体管型号： 2N4014 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： 2NC, 晶体管型号： 2N4123 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC107,BC171,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BSW41,2N1,2N2222(A),2N22 22,2N2221( A),3DK40A, 晶体管型号： 2N4124 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC238,BC548,BSW41,2N2221(A),2N2222(A), 晶体管型号： 2N4264 生产厂家： CSR，美国摩托罗拉半导体公司，美国半导体技术公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&40 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90,BSX91,BSX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N 914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A, 晶体管型号： 2N4265 生产厂家： CSR，美国摩托罗拉半导体公司，美国半导体技术公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3可代换的型号： BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90,BSX91,BSX92,BSX93,B SY62,BSY63,2N 914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A, 晶体管型号： 2N4286 生产厂家： 美国国民半导体公司，PIH 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.25W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： 3CG120c, 晶体管型号： 2N4400 生产厂家： 美国、法国费兰第有限公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.6A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&50 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC337A,BC487,BC537,BC637,BC639,2N1,2N2221(A),2N2(A),3DK4B, 晶体管型号： 2N4401 生产厂家： 美国、法国费兰第有限公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极__________限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.6A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&100 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC337A,BC637,BC639,2N2221(A),2N2222(A), 晶体管型号： 2N4409 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，\NSC，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN性质： 数码驱动（Nix） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 0.25A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &60MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF391,BF297,BF422,BFR22,BFR86,BSS38,BSV29,BSX21,MPSA43,2N70,3DG182H, 晶体管型号： 2N4410 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，\NSC，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 数码驱动（Nix） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 0.25A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &60MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF391,BFR22,MPS-A43,2SC1670, 晶体管型号： 2N4424 生产厂家： 美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC337A,BC487,BC537,BC637,BC640,2N1,2SD667,3DK40A, 晶体管型号： 2N4921 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-PNP 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 30W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &3MHZ引脚数： 3 可代换的型号： BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A, 晶体管型号： 2N4922 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-PNP 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 30W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &3MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD137,BD167,BD177,BD187,BD235,BD439,3DD30A, 晶体管型号： 2N4923 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-PNP 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 30W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &3MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD139,BD169,BD179,BD189,BD237,BD441,3DD30A, 晶体管型号： 2N5038(-1) 生产厂家： 美国无线电公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 150V 最大电流允许值： 20A 最大耗散率： 140W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &60MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV10,BUW57,BUX10,BUX40, 晶体管型号： 2N5039(-1) 生产厂家： 美国无线电公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V最大电流允许值： 20A 最大耗散率： 140W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &60MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV10,BUW57,BUX10,BUX40, 晶体管型号： 2N5058(S) 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 300V 最大电流允许值： 0.15A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF259,BF338,BF659,BFR59,BFS89,BFT49,3DG841, 晶体管型号： 2N5059(S) 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 250V 最大电流允许值： 0.15A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF258,BF259,BF337,BF658,BF659,BFS89,BFR58,BFT48,3DG841, 晶体管型号： 2N5088 生产厂家： 美国范恰得公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 35V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&300 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG120A, 晶体管型号： 2N5089 生产厂家： 美国范恰得公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： β&400 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC169,BC184,BC239,BC549, 晶体管型号： 2N5172 生产厂家： 美国通用电器公司，SEM，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 200MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N1,2N0 A, 晶体管型号： 2N5191 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 4A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD189,BD199,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DD64C, 晶体管型号： 2N5192 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 4A最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD189,BD199,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DD64C, 晶体管型号： 2N5209 生产厂家： 美国、法国费兰第有限公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 80MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC184,BC384,BC413,BC414,BC550,2SC0C, 晶体管型号： 2N5210 生产厂家： 美国、法国费兰第有限公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 80MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC184,BC413,BC414,BC550,2SC2240, 晶体管型号： 2N5223 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &150MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N1,2N0 A,晶体管型号： 2N5224 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,BSS10,BSS11,BSS12,BSX19,BSX20,2N 1, 2N8(A),2N2369(A),3DG120C, 晶体管型号： 2N5232(A) 生产厂家： 美国中央固体工业公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 70V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC174,BC182,BC190,BC546,2N1A,2N75(A),2SC89,2SC1D, 晶体管型号： 2N5302 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 30A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BDY29,MJ802,2SD797, 晶体管型号： 2N5303 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 30A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BDY29,MJ802,2SD797, 晶体管型号： 2N5550 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 160V 最大电流允许值： 0.6A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,MPS-A42,MPS-A43,2NG, 晶体管型号： 2N5551 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 180V 最大电流允许值： 0.6A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF391,BF392,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPSA43,2NC, 3DG84G, 晶体管型号： 2N5581 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，SSI，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β&20 最大工作频率： &250MHZ引脚数： 3 可代换的型号： BFX94A,BFX95A,BSW63,BSW64,BSW84,BSW85,2N1A,2N2B, 晶体管型号： 2N5629 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 100V 最大电流允许值： 16A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD317,BDX40,BDX50,BDX60,BDY57,BDY60,2N3,2SC0B, 晶体管型号： 2N5655 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 275V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 20W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &10MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF668,BF461,BF462,BF758,BF759,MJE5F, 晶体管型号： 2N5656 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 325V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 20W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &10MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF462,BF759,MJE5A, 晶体管型号： 2N5657 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装极限工作电压： 375V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 20W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &10MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD410,MJE99,2SC25,3DK305A, 晶体管型号： 2N5671 生产厂家： 美国无线电公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 30A 最大耗散率： 140W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BDW30,BDW32,BDY37,BDY57,BDY58,2N9,2N9E, 晶体管型号： 2N5672 生产厂家： 美国无线电公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 150V 最大电流允许值： 30A 最大耗散率： 140W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BDW32,BDY37,BDY58,2N9,2N9E, 晶体管型号： 2N5685 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 50A 最大耗散率： 300W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： 2N6,2N8,2N0,2N5A, 晶体管型号： 2N5686生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 50A 最大耗散率： 300W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： 2N9,2N5580, 晶体管型号： 2N5769 生产厂家： 美国范恰得公司，美国国民半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &500MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BSS10,BSS11,BSX19,BSX20,BSX39,BSX92,BSX93,2N2368(A),2N2369(A),3DG112C, 晶体管型号： 2N5830 生产厂家： 美国范恰得公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 12V 最大电流允许值： 0.6A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF391,BF392,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,2NE, 晶体管型号： 2N5838 生产厂家： 美国无线电公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 275V 最大电流允许值： 3A 最大耗散率： 100W放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BU109,BU210,BU606,BU607,BU608,BUW71,BUX16A,BUX16B,BUX16C,BUY22,BUY74,3DK206F, 晶体管型号： 2N5881 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，ITX，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 160W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &4MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD315,BD745A,BDW51A,2N5,2N1,2N3,2N5,2N7,2N 9,2N1,3CDA74A, 晶体管型号： 2N5882 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，ITX，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 160W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &4MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD315,BD745B,BDW51B,2N6,2N1,2N3,2N5,2N7,2N 9,2N1,3CDA74B, 晶体管型号： 2N5885 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，ITX，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 25A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数最大工作频率： &4MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD366,BD368,BDY29,MJ802,2N4,3DK209B, 晶体管型号： 2N5886 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，ITX，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 25A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &4MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BD368,BDY29,MJ802,2N4,2SD797,3DK209B, 晶体管型号： 2N6121 生产厂家： 美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 4A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2.5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD243,BD533,BD539,BD595,BD605,BD947,3DD64B, 晶体管型号： 2N6122 生产厂家： 美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 4A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2.5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD243A,BD535,BD539A,BD597,BD607,BD949,3DD64C, 晶体管型号： 2N6123 生产厂家： 美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 4A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2.5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD243B,BD537,BD539B,BD599,BD609,BD951,3DD64C, 晶体管型号： 2N6251 生产厂家： 美国无线电公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &2MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BU221,BUW24,BUW25,BUW34,BUW72,BUX17C,BUY75,2N8B, 晶体管型号： 2N6274 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，SSI，美国硅晶体技术公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 50A 最大耗散率： 250W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &30MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： 2N3,2N0C, 晶体管型号： 2N6275 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，SSI，美国硅晶体技术公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 140V 最大电流允许值： 50A 最大耗散率： 250W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &30MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： 2N2,3DK210C, 晶体管型号： 2N6288生产厂家： 美国国民半导体公司，美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 7A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &4MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD243,BD543,BD595,BD605,BD795,BD805,3DD62B, 晶体管型号： 2N6473 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 110V 最大电流允许值： 4A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD243C,BD601,2ND, 晶体管型号： 2N6474 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 130V 最大电流允许值： 4A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： 2NE, 晶体管型号： 2N6486 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 75W 放大倍数： 未知放大倍数最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD605,BD705,BD743A,BD907,BDT81,3DK5A2, 晶体管型号： 2N6487 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 70V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 75W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD607,BD707,BD743B,BD909,BDT83,3DK5A4, 晶体管型号： 2N6488 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 90V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 75W 放大倍数： 未知放大倍__________数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD609,BD709,BD743C,BD911,BDT85,3DK5A4, 晶体管型号： 2N6497 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 350V 最大电流允许值： 5A 最大耗散率： 80W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUT56(A),MJE51T,MJE52T,MJE53T,2SC8A, 晶体管型号： 2N6498 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装极限工作电压： 400V 最大电流允许值： 5A 最大耗散率： 80W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &5MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUT56(A),MJE52T,MJE53T,2SC8A, 晶体管型号： 2N6515 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 250V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &40MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF392,BF393,BFP25,MPS-A42,2SDI, 晶体管型号： 2N6516 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 300V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &40MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF393,BFP25,MPS-A42,2SD1I, 晶体管型号： 2N6517 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S），视频输出（Vid） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 350V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &40MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： 2SDI, 晶体管型号： 2N6542生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 5A 最大耗散率： 100W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &6MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BU126,BUS11(A),BUX82,BUX83,2N48,3DK308G, 晶体管型号： 2N6544 生__________产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 8A 最大耗散率： 125W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &6MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12(A),BUX14,BUX47(A),2N92,2SD811,3DK309E, 晶体管型号： 2N6545 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 850V 最大电流允许值： 8A 最大耗散率： 125W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &6MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12(A),BUX14,BUX47(A),2SC1,3DK309G, 晶体管型号： 2N6545 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 850V 最大电流允许值： 8A 最大耗散率： 125W 放大倍数： 未知放大倍数最大工作频率： &6MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12(A),BUX14,BUX47(A),2SC1,3DK309G, 晶体管型号： 2N6546 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &6MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS13(A),BUX97(A),BUX25,BUX47(A),BUX47(B),BUX47(C),2N0G, 晶体管型号： 2N6671 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 5A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUW24,BUW25,BUW26,BUW34,BUW35,BUW36,BUW72,3DK309B, 晶体管型号： 2N6672 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 550V 最大电流允许值： 5A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUW25,BUW26,BUW35,BUW36,BUW80,3DK309D, 晶体管型号： 2N6673 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 5A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引__________脚数： 2 可代换的型号： BUW26,BUW35,BUW36,BUW80,BUX81,3DK309E, 晶体管型号： 2N6674 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV25,BUW44,BUW75,BUX25,3DK309B, 晶体管型号： 2N6675 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUW13(A),BUW44,BUW45,BUW46,BUX48(A),BUX48(B),BUX48(C),3DK309E, 晶体管型号： 2N6676 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV25,BUW44,BUW45,BUW46,BUX25,BUX48,3DK309B, 晶体管型号： 2N6677生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 550V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS13(A),BUW45,BUW46,BUX48(A),BUX48(B),BUX48(C),3DK309D, 晶体管型号： 2N6678 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 15A 最大耗散率： 175W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS13(A),BUW45,BUW46,BUX48(A),BUX48(B),BUX48(C),3DK309E, 晶体管型号： 2N6686 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 260V 最大电流允许值： 25A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &20MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV12,BUW73,BUX12,BUX22,2N0E, 晶体管型号： 2N6687 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 280V 最大电流允许值： 25A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数最大工作频率： &20MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV12,BUW73,BUX12,BUX22,2N0F, 晶体管型号： 2N6688 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 300V 最大电流允许值： 20A 最大耗散率： 200W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &20MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUV12,BUW73,BUX12,BUX22,2N0F, 晶体管型号： 2N6702 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 140V 最大电流允许值： 7A 最大耗散率： 50W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BU409,BUW64A,BUW64B,BUW64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206C, 晶体管型号： 2N6703 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 160V 最大电流允许值： 7A 最大耗散率： 50W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BU409,BUW64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206D, 晶体管型号： 2N6704 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装极限工作电压： 180V 最大电流允许值： 7A 最大耗散率： 50W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BU409,BUW64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206D, 晶体管型号： 2N6714 生产厂家： NAT 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 2A 最大耗散率： 1.2W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD509,BD517,2SD79,3DK104B, 晶体管型号： 2N6715 生产厂家： NAT 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 2A 最大耗散率： 1.2W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD509,BD517,2SD79,3DK104B, 晶体管型号： 2N6738 生产厂家： RAT 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 8A 最大耗散率： 100W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUT54,BUT56(A),BUW40,2SC06, 晶体管型号： 2N6739生产厂家： RCT 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 550V 最大电流允许值： 8A 最大耗散率： 100W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUT54,BUT56(A),BUW40A,2SC06, 晶体管型号： 2N6740 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 8A 最大耗散率： 100W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUT54,BUT56(A),BUW40B,MJE13006,MJE13007, 晶体管型号： 2N6751 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 800V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12(A),BUW35,BUW36,BUX80,BUX81, 晶体管型号： 2N6752 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 850V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12(A),BUW36,BUX81,MJ8504, 晶体管型号： 2N6753 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 900V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12A,BUW36,BUX81,MJ8504, 晶体管型号： 2N6754 生产厂家： 美国无线电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 1000V 最大电流允许值： 10A 最大耗散率： 150W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &15MHZ 引脚数： 2 可代换的型号： BUS12A,BUX81,MJ15, 晶体管型号： 2N6771 生产厂家： 美国克里姆森本导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 450V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &10MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUW40,BUW40(A),BUW40(B),BUX84,BUX85,TIP49,TIP50, 晶体管型号： 2N6772 生产厂家： 美国克里姆森本导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装极限工作电压： 550V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &10MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUW40A,BUW40B,BUX84,BUX85,2SC3352, 晶体管型号： 2N6773 生产厂家： 美国克里姆森本导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S），功率放大（L） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 650V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 40W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &10MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BUW40B,BUX84,BUX85,2SC3352, 晶体管型号： 2N699(A,B) 生产厂家： DIT，美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国晶体管有限公司， 美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC300,BSS42,BSS43,BSV84,BSW67,BSW68,BSX47,2N8,3DG84E, 晶体管型号： 2N706(A...C) 生产厂家： 德国AEG公司，DID，德国椤茨标准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司，德国电子 元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 25V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3可代换的型号： BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX89,BSX92,BSX93,BSY62,B SY63,2N753,2N 2368(A),2N2369(A),3DK7A, 晶体管型号： 2N708 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BSS10,BSS11,BSX19,BSX20,2N2368(A),2N2369(A), 晶体管型号： 2N718 生产厂家： 德国电子元件股份公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.4W 放大倍数： β&40 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC337A,BC637,BC639,BCX24, 晶体管型号： 2N720(A) 生产厂家： 德国电子元件股份公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.4W 放大倍数： β&40 最大工作频率： &50MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC300,BCX22,BSS42,BSV84,BSW67,BSX47,2N1,2SD667,2SD774,3DK1150A, 晶体管型号： 2N834 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BSS10,BSS11,BSX19,BSX20,2N2368(A),2N2369(A), 晶体管型号： 2N910 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 100V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &60MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC141,BC301,BC639,BCX24,2N719,2N720,2N870,2N871,2N1,2SD667, 晶体管型号： 2N914(A) 生产厂家： 德国AEG公司，DIT，法国巴黎珊斯公司，美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件 股份公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 0.36W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX26,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,B SY63,2N7744A, 2NB, 晶体管型号： 2N930 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 0.03A最大耗散率： 0.5W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC414,BC550,2N4,2N3117, 晶体管型号： 2N956 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），TR 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 75V 最大电流允许值： 未知A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC489,BC538,BC639,BCX24,2N1,2N1A,2N7,3DG170G 晶体管型号： 2PC4081Q 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.2W 放大倍数： β=120-270 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： 2SC4081, 晶体管型号： 2PC4081S 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.2W 放大倍数： β=270-560 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： , 晶体管型号： 2PC4081R 生产厂家： 荷兰飞利浦公司制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 40V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.2W 放大倍数： β=180-390 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： , 晶体管型号： 2SC1815 生产厂家： 日本东芝公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.15A 最大耗散率： 0.4W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &80MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC174,BC182,BC184,BC190,BC384,BC414,BC546,DG458,DG1815, 晶体管型号： 2SC2240 生产厂家： 日本东芝公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 120V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： 2SC45,2SC89,2SC89,2SC31,2SC2632,DG2240,3D G180J, 晶体管型号： 2SC2655 生产厂家： 日本东芝公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 2A 最大耗散率： 0.9W放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BD517,BD525,2SC69,2SD77,3DK10C, 晶体管型号： 2SC2786 生产厂家： 日本日电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 调频（FM） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.02A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 600MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BF225,BF240,BF314,BF502,BF5050,BF507,BF523,BF959,3DG112D, 晶体管型号： 2SC2873 生产厂家： 日本东芝公司 制作材料： Si-NPN 性质： 表面帖装型（SMD），通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 2A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 100MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： 2SD23, 晶体管型号： 2SC3733 生产厂家： 日本日电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 射频/高频放大（HF），开关管（S） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： 2SC41A, 晶体管型号： 2SC945 生产厂家： 日本日电公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni）封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.25W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC107,BC171,BC174,BC182,BC183,BC190,BC207,BC237,BC382,BC546,BC547,BC582,DG945,2N2 220,2N2,3DG120B,3DG4312, 晶体管型号： BC107(A,B) 生产厂家： 德国AEG公司，DIT，德国椤茨标准电器公司，MBL，意大利、德国Mistra公司，英 国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司，RTC，德国电子元件股份公司，德国西门子AG公司，美国晶体管 有 限公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=500 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC171,BC182,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,3DG120B, 晶体管型号： BC108(A,B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，DIT，德国椤茨标准电器公司，MBL，意大利、德国Mistra公司，英 国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司，RTC，德国电子元件股份公司，德国西门子AG公司，美国晶体管 有 限公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,3DG120A, 晶体管型号： BC109(B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，DIT，德国椤茨标准电器公司，MBL，意大利、德国Mistra公司，英 国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司，RTC，德国电子元件股份公司，德国西门子AG公司，美国晶体管有 限公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 晶体管型号： BC182L 生产厂家： 美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=500 最大工作频率： &150MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC174,BC190,BC546,3DG130B, 晶体管型号： BC183(A,B,C) 生产厂家： 法国巴黎珊斯公司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： &150MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC107,BC171,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,3DG130B, 晶体管型号： BC184(B,C) 生产厂家： 法国巴黎珊斯公司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900最大工作频率： &150MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC384,BC413,BC550,3DG130B, 晶体管型号： BC237(A,B) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公 司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司，MBL，荷兰飞利浦公司，RTC，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=500 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC107,BC171,BC182,BC207,BC382,BC547,BC582,3DG237, 晶体管型号： BC238(A,B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公 司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司，MBL，荷兰飞利浦公司，RTC，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC172,BC183,BC208,BC383,BC548,BC583,3DG238, 晶体管型号： BC239(B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子__________元件股份 公 司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司，MBL，荷兰飞利浦公司，RTC，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC109,BC173,BC184,BC209,BC384,BC549,BC584,3DG239, 晶体管型号： BC337(-16...-40)生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏 公 司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），TR 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC377,BC737,BC837,BC637,3DK4B, 晶体管型号： BC338(-16...-40) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公司，德国西门子AG公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏 公 司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），TR 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 0.625W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC378,BC738,BC838,BC635,3DK4C, 晶体管型号： BC368 生产厂家： 德国AEG公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），TR 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 20V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC338,BC378,BC635,BC738, 晶体管型号： BC413(B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，意大利、德国Mistra公司，法国巴黎珊斯 公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC184,BC330,BC384,BC550,3DG120C, 晶体管型号： BC414(B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，意大利、德国Mistra公司，法国巴黎珊斯 公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.3W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 250MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC184,BC329,BC384,BC550,3CG120C, 晶体管型号： BC546(VI,A,B) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β=500 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC174,BC190,BC447,3DG9011, 晶体管型号： BC547(VI,A,B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.2A最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC107,BC171,BC182,BC207,BC237,BC382,BC582,3DG9011, 晶体管型号： BC548(VI,A,B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC108,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC583,3DG9014, 晶体管型号： BC549(B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC109,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC584,3DG120C, 晶体管型号： BC550(B,C) 生产厂家： 德国AEG公司，德国椤茨标准电器公司，英国Mullard有限公司，荷兰飞利浦公司， 德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 通用型（Uni），低噪放大（ra） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.2A 最大耗散率： 0.5W 放大倍数： β=900 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BC184,BC384,BC414,3DG120D,晶体管型号： BC635(-6...-16) 生产厂家： 德国AEG公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），TR，输出极（E） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC337,BC537,BC737,3DK1150C, 晶体管型号： BC637(-6...-10) 生产厂家： 德国AEG公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），TR，输出极（E） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC487,BC537,3DK14C, 晶体管型号： BC639(-6...-10) 生产厂家： 德国AEG公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），TR，输出极（E） 封装形式： 直插封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.8W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BC489,BC538,3DK10E, 晶体管型号： BC817 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 表面帖装型（SMD），低频或音频放大（LF），TR 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 未知耗散功率W放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 200MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCX19,BCW65,BCX66, 晶体管型号： BC818 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司 制作材料： Si-NPN 性质： 表面帖装型（SMD），低频或音频放大（LF），TR 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.5A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 200MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCX19,BCX20,BCW65,BCW66, 晶体管型号： BC846 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 表面帖装型（SMD），通用型（Uni） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCV71,BCV72, 晶体管型号： BC847 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 表面帖装型（SMD），通用型（Uni） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCW71,BCW72,BCW81, 晶体管型号： BC848 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 表面帖装型（SMD），通用型（Uni）封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCW31,BCW32,BCW33,BCW71,BCW72,BCW81, 晶体管型号： BC849 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 低噪放大（ra） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCF32,BCF33,BCF81, 晶体管型号： BC850 生产厂家： 未知生产厂家 制作材料： Si-NPN 性质： 低噪放大（ra） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： 30MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： BCF81, 晶体管型号： BCP54 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 射频/高频放大（HF），功率放大（L） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1.5W 放大倍数： β=250 最大工作频率： 130MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： ,晶体管型号： BCP55 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 射频/高频放大（HF），功率放大（L） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1.5W 放大倍数： β=250 最大工作频率： 130MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： , 晶体管型号： BCP56 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 射频/高频放大（HF），功率放大（L） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 80V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1.5W 放大倍数： β=250 最大工作频率： 130MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： , 晶体管型号： BCP68 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），功率放大（L） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 20V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1.5W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： , 晶体管型号： BCV72 生产厂家： 荷兰飞利浦公司 制作材料： Si-NPN 性质： 低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.3W放大倍数： β=450 最大工作频率： 300MHZ 引脚数： 3 可代换的型号： 3DG120D, 晶体管型号： BCW32(D2) 生产厂家： 荷兰飞利浦公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min），低频或音频放大（LF） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 30V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.15W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BCW60,BCW72,BCX70, 晶体管型号： BCW60(AA,AB,AC,AD) 生产厂家： 德国西门子AG公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min），低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 32V 最大电流允许值： 0.1A 最大耗散率： 0.15W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BCW31,BCW32,BCW33,BCW71,BCW72,BCX70,3DG120C, 晶体管型号： BCW65(EA,EB,EC) 生产厂家： 德国西门子AG公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min），低频或音频放大（LF），开关管（S） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.35W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BCX19,3DK40B, 晶体管型号： BCW66(EF,EG,EH) 生产厂家： 德国西门子AG公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min），低频或音频放大（LF），开关管（S）封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 75V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 0.35W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BCX19,3DK40B, 晶体管型号： BCW72(K2) 生产厂家： 荷兰飞利浦公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min），低频或音频放大（LF） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 50V 最大电流允许值： 0.05A 最大耗散率： 0.15W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： BCX70,3DG110C, 晶体管型号： BCX41 生产厂家： 德国西门子AG公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min），低频或音频放大（LF） 封装形式： 贴片封装 极限工作电压： 125V 最大电流允许值： 0.8A 最大耗散率： 未知耗散功率W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 3 可代换的型号： , 晶体管型号： BCX54(-6...-16) 生产厂家： 荷兰飞利浦公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min） 封装形式： 未知 极限工作电压： 45V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 未知 可代换的型号： ,晶体管型号： BCX55(-6...-10) 生产厂家： 荷兰飞利浦公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min） 封装形式： 未知 极限工作电压： 60V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 未知 可代换的型号： , 晶体管型号： BCX56(-6...-10) 生产厂家： 荷兰飞利浦公司，德国西门子AG公司，德国凡尔伏公司 制作材料： Si-NPN 性质： 微型（Min） 封装形式： 未知 极限工作电压： 100V 最大电流允许值： 1A 最大耗散率： 1W 放大倍数： 未知放大倍数 最大工作频率： &1MHZ或者未知工作频率 引脚数： 未知 可代换的型号： , 晶体管型号： BCX58(VII,VIII,IX,X) 生产厂家： 美国摩托罗拉半导体公司，德国西门子AG公司