二极管为什么二极管正向导通电压反向截止

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-11-16 00:23 标签： 二极管正向电阻
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由硅二极管组成的电路如下图所示，二极管正向导通压降为0.7V，反向截止时视为开路，电流和电压的正方向如图中
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由硅二极管组成的电路如下图所示，二极管正向导通压降为0.7V，反向截止时视为开路，电流和电压的正方向如图中箭头所示。试求各支路中的电流I1，I2，I3和电压UAB的值。&&
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验证码提交中……谁能把二极管的导通与截止还有击穿是什么意思给我说清楚一点啊,,,具体的哪些情况导通哪些情况截止，以
二极管被击穿是什么意思?
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关键字： 二极管 击穿
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网友1的回答
二极管的击穿,是指反向击穿,注意一个词语,这是关键,就是“反向”,通常所说的击穿,都是反向击穿使得二网友2的回答
正向导通是说电流方向是正向的时候,二极管是导通状态,反向截止是说电流方向是反向的时候,二极管是断开状网友3的回答
稳压管反向电压在一定范围内变化时,反向电流很小,当反向电压增高到击穿电压时,反向电流突然猛增,稳压管网友4的回答
二极管两端所加的反向电压,超过某个特定值(击穿电压),二极管就会击穿下面有“击穿”当二极管两端的反向网友5的回答
二极管的导通区是指当二极管的正向电压大于死区电压后,正向电流迅速增长,二极管正向电阻变得很小,二极管网友6的回答
二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态.网友7的回答
打个比喻,有个门只许出不许进,人潮汹涌的往外出,突然逆着行人来了一拨壮汉一下把门踹掉了,从此这个门双网友8的回答
稳压管导通就击穿了。网友9的回答
在二极管特性曲线中,稳压管工作在击穿区。稳压二极管的正向特性与普通二极管相同,而反向特性却比较特殊:网友10的回答
网友7的回答
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关于二极管的反向恢复问题的疑问
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一川离线LV6高级工程师积分：870|主题：30|帖子：261积分:870LV6高级工程师 17:36:34
最近看电源讲义和帖子，有2个地方提到了二极管的反向恢复。
一是，看到有人分析DCM与CCM的特点时，提到“DCM模式的次级整流二极管没有反向恢复问题。
CCM的成本相对较高，IC贵一些，CCM输出二极管有很大反向恢复电流，所以一般会选SIC二极管，二极管成本高”；
看到这，有个疑问：CCM在哪些功率等级，考虑选用SIC二极管？（给个SIC的常用型号吧，我查查这个管在哪些参数有啥不同）
在小功率场合，CCM用肖特基二极管就行了吧，不用非要用SIC吧？
为什么CCM的成本相对较高？IC会贵一些？
二是，在分析同步BUCK时候，提到了“下管MOS关断时，体内寄生二极管存在反向恢复问题，而用续流二极管为肖特基管时，不存在反向恢复问题”
疑问是“都有二极管，不过是寄生跟不寄生的关系，怎么寄生的有反向恢复问题，不寄生的就没有？”
有些地方理解的不是很深入，希望大家帮忙给回答一下？
“碳化硅（SiC）技术之所以能够提供这些优点，是因为在正常导通期间，碳化硅二极管不会累积反向恢复电荷。
当一个传统的双极硅二极管关断时，必须在二极管结附近的电荷载流子群之间进行重新整合，以驱散累积的反向恢复电荷。在重新整合期间出现的电流叫做反向恢复电流。
当与相关的半导体电源开关上的电压结合时，这个不需要的电流会产生热量，从开关上排散出去。
通过消除反向恢复电荷，碳化硅肖特基二极管在电路板的 ...
|XIAOTU80离线LV7版主积分：12673|主题：337|帖子：4323积分:12673版主 17:47:01&二极管的反向恢复电流是二极管的重要指标,二极管在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰值，然后下降到零。
其上升下降的时间就是反向恢复时间，峰值电流就是反向恢复电流。在高频中会带来很大损耗。
反向恢复时间和反向恢复电流与二极管截止时，正向电流的下降速率相关。
解决这个问题，一就是用恢复时间更快的二极管，二是采用ZCS方式关断二极管。 ||
basso离线LV6高级工程师积分：1605|主题：22|帖子：554积分:1605LV6高级工程师 17:59:58倒数5&支持 ~ ||XIAOTU80离线LV7版主积分：12673|主题：337|帖子：4323积分:12673版主 17:50:56&比如STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管 ||
XIAOTU80离线LV7版主积分：12673|主题：337|帖子：4323积分:12673版主 17:53:14&“碳化硅（SiC）技术之所以能够提供这些优点，是因为在正常导通期间，碳化硅二极管不会累积反向恢复电荷。
当一个传统的双极硅二极管关断时，必须在二极管结附近的电荷载流子群之间进行重新整合，以驱散累积的反向恢复电荷。在重新整合期间出现的电流叫做反向恢复电流。
当与相关的半导体电源开关上的电压结合时，这个不需要的电流会产生热量，从开关上排散出去。
通过消除反向恢复电荷，碳化硅肖特基二极管在电路板的功耗比传统二极管低很多，这有助于提高能效，降低散热量。 ” ||XIAOTU80离线LV7版主积分：12673|主题：337|帖子：4323积分:12673版主 17:57:22&“在下管上并联一只肖特基二极管。因为肖特基二极管的正向压降较低，在下管关断后、上管开通前这个死区时间，电流基本上通过肖特基二极管。肖特基二极管的反向恢复特性比通常的MOSFET寄生二极管好很多。”
看看这个帖子，对第二问，里面有个解释
XIAOTU80离线LV7版主积分：12673|主题：337|帖子：4323积分:12673版主 18:04:49&一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。
只不过他的压降会大一些,反向恢复时间会长一些,如果频率不高的话,可能也没有问题。
所以也可能存在同步BUCK，不用肖特基二极管的应用场合，
因为我没设计过同步BUCK，不知道大家有设计过不并肖特基，下管只用MOS的场合吗？ ||
bigbird78离线LV3助理工程师积分：218|主题：1|帖子：96积分:218LV3助理工程师 19:18:21倒数10&5楼说的有一定的道理，MOS寄生二极管是普通二极管结构，其反向恢复时间不能满足开关要求。
当没有肖特基管的时候，寄生二极管会导致在MOS关断瞬间，电感续流不能保证，会把下管的D端拉出一个向下的尖冲，这个向下的尖冲的幅度要远远大于正常的寄生二极管导通压降。在若干寄生电容的影响下，这个大幅度尖冲会带来很大的功耗损失。 ||
bigbird78离线LV3助理工程师积分：218|主题：1|帖子：96积分:218LV3助理工程师 19:21:06倒数9&同样的原因，在主驱动管关闭，整流管开启之前，也是需要通过寄生二极管给主电感续流，这个过程与前述整流管关闭相同，所以也是需要肖特基管或快速管来避免尖冲。 ||
一川离线LV6高级工程师积分：870|主题：30|帖子：261积分:870LV6高级工程师 11:04:23倒数8&恩
SIC谁能再给讲讲 具体应用方面的问题 ||
bigbird78离线LV3助理工程师积分：218|主题：1|帖子：96积分:218LV3助理工程师 11:59:23倒数7&SiC二极管实际上也是肖特基二极管中的一种，也是利用肖特基势垒效应实现单向导通的，只不过它的耐压比普通的金属-半导体肖特基管要高。肖特基管的反向恢复特性要比快速管好，开关功耗会小很多，但受制于漏电流温度特性和耐压，输出电压要求比较高的场合无法使用，只能用快恢复管。
普通肖特基耐压在100V以内，SiC可以做到1000V，因此应用范围得以大大扩展。 ||
一川离线LV6高级工程师积分：870|主题：30|帖子：261积分:870LV6高级工程师 19:49:11倒数2&啥场合用,会很有优势.反击电源没有用的吧
johnxih离线LV8副总工程师积分：2651|主题：6|帖子：947积分:2651LV8副总工程师最新回复 22:28:55倒数1&在一些输出电压比较高的场合，SIC二极管是个不错的选择；
PFC电路中应用较普遍，而且价格比两年前低了很多。
现在比较主流的是600V和1200V的SIC二极管，1700V的也出了不少，
不过我们暂时还没有用到这么高电压的二极管。
wyg离线LV6高级工程师积分：411|主题：13|帖子：147积分:411LV6高级工程师 13:44:53倒数6&MOS寄生二极管的反向恢复时间通常不足以满足要求，反并一直肖特基二极管就是为了减小反向恢复时间。 ||
electriter离线LV2本网技师积分：181|主题：5|帖子：18积分:181LV2本网技师 13:01:05倒数4&为什么DCM模式的次级整流二极管没有反向恢复问题？ ||
johnxih离线LV8副总工程师积分：2651|主题：6|帖子：947积分:2651LV8副总工程师 16:28:49倒数3&DCM模式下的整流二极管是ZCS关断，故没有反向恢复的问题。
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