请教大师，这是单向可控硅型号还是双向可控硅，说什么的都有，请注意表面有两个圆点，谢谢

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-09-28 04:24 标签： 单向可控硅调压电路
双向可控硅和单向可控硅有什么分别？都是只有一个控制点。_百度知道查看: 1567|回复: 2
如何快速判断可控硅好坏
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件&&单向可控硅的工作原理图[1]必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
双向可控硅:
& && & 可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。由于主电极的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极，而是把与控制极相近的叫做第一电极A1，另一个叫做第二电极A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。
二者比较　　
& && & 单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 单、双向可控硅的判别　　先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 性能的差别　　将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。
　　对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。
　　若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。
　　对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
　学习，谢谢分享！就行图片小了点
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单向可控硅的触发问题解答
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双向可控硅限流电阻烧坏及过零检测电路有没有问题
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xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 11:53:03
<td class="t_f" id="postmessage_.我设计了电路，这个电阻容易被烧，不清楚问题出在那，我想知道怎样计算这里放多大的电阻（及功率),
2.本电路还有一个过零检测电路，等接近零的时候就触发一下光耦来控制双向可控硅
以上两个问题的分析过程是怎样的，小弟在此谢谢各位大侠！
11:46 上传
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|lahoward在线LV10总工程师积分：10281|主题：40|帖子：3587积分:10281LV10总工程师 12:11:09&1，确保可控硅的T1、T2没有搞错
2，这个限流电阻从未见什么资料介绍怎么计算，通常都是180欧姆，你用1K显然大了点。
3，过零检测部分用120K不合适，早晚要烧掉，即是不烧也够烫得了。
4，你这是移向控制还是过零控制？若是过零控制则应选用MOC3061，自带过零检测。
lahoward在线LV10总工程师积分：10281|主题：40|帖子：3587积分:10281LV10总工程师 12:26:33&这个“驱动电阻”是不应该叫驱动电阻的，这个是维持可控硅最小电流的电阻，取值与可控硅有关，不过一般取180欧姆基本可对付所有的可控硅了。
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 13:52:34倒数10&1.T1,T2没没搞错，现在电路是可控的2.限流电阻我到网上也看些别人用的电阻，有的是100R ，10K，你说R的180R是什么根据，可否解释下
3，目前电路过零检测要怎样调节参数
4.PCB板都打回来了，能不能就上面的电路业调节参数
lahoward在线LV10总工程师积分：10281|主题：40|帖子：3587积分:10281LV10总工程师 14:06:16倒数8&TI的说明书
3021.jpg (30.67 KB, 下载次数: 1)
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过零检测的阻值太小，发热太大，需要加大阻值。
移相控制还是过零开关控制？
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 14:17:06倒数7&过零检测，难道用U*U/R公式来算?
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 14:18:18倒数6&同时也为过零控制
||szddg离线LV2本网技师积分：142|主题：2|帖子：7积分:142LV2本网技师 13:16:48&过零部分始终感觉有问题，三极管耐压是100V以上了
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 13:56:47倒数9&负载为发热管，加到一定的温度时，通过光耦来控制加热了，工作时电流为7A, 220V
英飞凌客服离线LV6高级工程师积分：1296|主题：4|帖子：4积分:1296LV6高级工程师 13:45:44& 可以加串个100K的，再分压 file:///
220V/1K电流是多少？可想而知
只要能驱动得起这个IGT30 就可以的。不要太大的电流，电压也不要太高
这只是我个人观点，有待实际试验，你不妨试试，是不是UPS电源？
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13:44 上传
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 14:27:45倒数5&说的很有道理，你是怎样计算的，让大家都分享
simonbin在线LV8副总工程师积分：3076|主题：10|帖子：265积分:3076LV8副总工程师 14:43:11倒数4&这双向可控硅有个门极触发导通电流Igt，这个电阻就是为了调整这个电流的，你可以查下这个可控硅的参数，类似的电路我以前用过，当时我用的是150欧/1w的电阻，当然这得根据你的主回路上负载的阻抗来算
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 15:29:30倒数3&可控硅的IGT电流为30-50MA，需要怎样来计算 ||
xiongdehou2离线LV2本网技师积分：134|主题：1|帖子：8积分:134LV2本网技师 16:23:28倒数2&光耦作用是在过零的时候才会进行触发这是双向可控硅就导通，然后通过三极管把光耦断开，这样一来1K电阻就不存在功率损耗的问题，每过零的时候才会进行触发，时间很短暂一般在20US ||
simonbin在线LV8副总工程师积分：3076|主题：10|帖子：265积分:3076LV8副总工程师最新回复 11:08:23倒数1&你这过零电路你用示波器测过输出波形吗，是50HZ的方波吗？三极管的导通基极需要比发射极高0.7V，换算到220V侧对应的是多少V你可以算下，而且三极管导通需要时间，你A4控制脚是用单片机输出控制吗？单片机有处理数据什么的，这个也需要时间。而且你主回路上串着L1电感，所以可控硅导通的时候，可能R52限流电阻上的情况不是你理想的情况。还有IGT应该有个的最大值，你取值在这个里面就可以了
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