P型P型N型半导体体（P指positive带正電的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在P型N型半导体体内部形成带正电的空穴；

　　N型P型N型半导体体（N指negative带负电嘚）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在P型N型半导体体内部形成带负电的自由电子

　　在P型P型N型半导体体中有许多帶正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的N 型P型N型半导体体中有許多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型P型N型半导体体接触时在界面附近空穴从P型P型N型半导体体向N型P型N型半导体体扩散，电子从N型P型N型半导体体向P型P型N型半导体体扩散空穴和电子相遇而复合，载流子消失因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布茬空间的带电的固定离子称为空间电荷区。P 型P型N型半导体体一边的空间电荷是负离子N 型P型N型半导体体一边的空间电荷是正离子。正负離子在界面附近产生电场这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡

　　在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极P型一边接负極，则空穴和电子都向远离界面的方向运动使空间电荷区变宽，电流不能流过这就是PN结的单向导电性。

　　PN结加反向电压时空间电荷区变宽，区中电场增强反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁反向電流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V有负的温度系数，后者击穿电压大于6V有正的温度系数。PN结加反向电压时空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压妀变

参考：百科词汇“PN结”

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