FDPF51N25用哪种代替

?低栅极电荷(典型的55 nC)

这些N沟噵增强型功率场效应晶体管

使飞兆半导体专有的平面条纹DMOS技术生产

这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻,提供卓越的开关性能

並在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。

这些器件非常适于高效开关电源和有源功率因数校正

MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司

地址:廣东省深圳市福田区华强北都会轩1913

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