为什么用宽带隙隙半导体的优点

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导读:投资者提问:据报道,氮化镓半导体材料具有为什么用宽带隙隙、高擊穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质

据报道,氮化镓半导体材料具有为什么用宽带隙隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化學性质成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件和电路的关键材料,特别适合于高频率、大功率、高温囷抗辐照电子器件与电路的研制公司是否有氮化镓、碳化硅相关技术?





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