瞬间突波电压吸收器(二极管)是什么,有哪些参数?_百度知道
瞬间突波电压吸收器(二极管)是什么,有哪些参数?
我想买续流二极管，用来保护通断DC24V继电器线圈的触点开关。上网的时候查到有瞬间突波电压吸收器，不知道是什么东西所以问问。还有快速恢复二极管是什么？有些什么主要参数，是否可以做续流二极管用？
我有更好的答案
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS，是一种二极 管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它 能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的 浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元 器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。特性参数TVS 的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN 结雪崩器件。参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM 是TVS 最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS 的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流 ID。②最小击穿电压VBR 和击穿电流IRVBR 是TVS 最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS 是不导通的。当TVS 流过规定的1mA 电流（IR）时，加入TVS 两极间的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS 的VBR 与标准值的离散程度，可把TVS 分为±5%VBR和±10%VBR 两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR 来说，VWM=0.81VBR。③最大箝拉电压VC 和最大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP 流过TVS 时，在其两极间出现的最大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映 TVS 器件的浪涌抑制能力。VC 与VBR 之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。④电容量C电容量C 是TVS 雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大小与TVS 的电流承受能力成正比，C 过大将使信号衰减。因此，C 是数据接口电路选用TVS 的重要参数。⑤最大峰值脉冲功耗PMPM 是TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS 的PM 值，请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM 下，箝位电压VC 越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS 损坏。⑥箝位时间TCTC 是TVS两端电压从零到最小击穿电压VBR 的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。
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来自团队：
那是氧化锌电阻，遇到高于保护电压的时候，氧化锌会突然短路，从而导致保险丝烧断，达到保护电路不受瞬间高压的摧毁，显然，它不能用于你的继电器，否则继电器动作一次，它就短路一次。快恢复二极管是用于高频整流时用的，适用于开关电源的整流。用于继电器这种相对慢的元件，快恢复二极管是大材小用。你使用普通的整流二极管就可以了，依据继电器功率大小，配备不同功率的二极管，你的这种20V继电器，用1N4007足矣。这类二极管的作用不是吸收高压，而是在继电器释放的瞬间，构成一条反向回路，让继电器线圈的能量得到释放，以避免反向电动势产生的高压击穿继电器的控制电路。
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你只要反向并一只整流二极管1N4007就可以了。让继电器线圈上的反向电动势得到释放。1N4007电压1000V，几分钱一只。
快恢复二极管的作用与结构
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。我们通常所说的“续流二极管”由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”，它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的元件产生反向电压。当反向电压高于元件的反向击穿电压时，会使元件如三极管、晶闸管等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。从而保护了电路中的其它原件的安全。
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（Insulated Gate Bipolar Transistor），，是由（双极型三极管）和（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的&CPU&，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 一个空穴电流（双极）。
当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。
阻断与闩锁
当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。
当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制，此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。
IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管（如图1所示）。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：
当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现，只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别，降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。
IGBT的使用方法
IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。
目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式&&所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。瞬雷电子公司利用在半导体领域的生产和设计优势，结合瞬态抑制二极管的特点，在研究IGBT失效机理的基础上，通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。本文将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。
IGBT失效场合：来自系统内部，如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流;来自系统外部，如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底，IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。
IGBT失效机理：IGBT由于上述原因发生短路，将产生很大的瞬态电流&&在关断时电流变化率di/dt过大。漏感及引线电感的存在，将导致IGBT集电极过电压，而在器件内部产生擎住效应，使IGBT锁定失效。同时，较高的过电压会使IGBT击穿。IGBT由于上述原因进入放大区， 使管子开关损耗增大。
IGBT传统防失效机理：尽量减少主电路的布线电感量和电容量，以此来减小关断过电压;在集电极和发射极之间，放置续流二极管，并接RC电路和RCD电路等;在栅极，根据电路容量合理选择串接阻抗，并接稳压二极管防止栅极过电压。
IGBT失效防护
集电极过电压、过电流防护，以IGBT变频调速电源主电路为例（图1）。
在集电极和发射极之间并接RC滤波电路，可有效地抑制关断过电压和开关损耗。但在实际应用中，由于DC电源前端的浪涌突波会使集电极过电压，并使RC滤波电路部分的抑制效果生效，IGBT通常都会被击穿或者短路。另外，在电机起动时，由于起动时的大电流，在主线路中分布的电感亦会造成较大程度的感应过电压，使IGBT损坏。同时，电机励磁造成的感应电动势，对电路的破坏也相当地大&&工程师们经常没有考虑到这一点。
图1：IGBT变频调速电源主电路
上述情况，浪涌突波部分可以用防雷电路进行防护。瞬雷电子开发的蓝宝宝浪涌抑制器（BPSS），在雷击方面既具有极大的过电流能力，又具有极低的残压。同时，针对电机部分，参照ISO7637的相关标准，该产品完全可以使用。而使用其他器件则不能同时达到上述两种情况。具体问题有：压敏电阻在ISO7637的长波（P5A）中容易失效，并且不宜长期使用;陶瓷放电管不能直接用于有源电路中，常因续流问题导致电路短路，并且抑制电压过高。
栅极过电压、过电流防护
传统保护模式：防护方案防止栅极电荷积累及栅源电压出现尖峰损坏IGBT&&可在G极和E极之间设置一些保护元件，如下图的电阻RGE的作用，是使栅极积累电荷泄放（其阻值可取5k&O）;两个反向串联的稳压二极管V1和V2，是为了防止栅源电压尖峰损坏IGBT。另外，还有实现控制电路部分与被驱动的IGBT之间的隔离设计，以及设计适合栅极的驱动脉冲电路等。然而即使这样，在实际使用的工业环境中，以上方案仍然具有比较高的产品失效率&&有时甚至会超出5%。相关的实验数据和研究表明：这和瞬态浪涌、静电及高频电子干扰有着紧密的关系，而稳压管在此的响应时间和耐电流能力远远不足，从而导致IGBT过热而损坏。
图2：传统保护模式和新型保护模式电路对比
新型保护模式：将传统的稳压管改为新型的瞬态抑制二极管（TVS）。一般栅极驱动电压约为15V，可以选型SMBJ15CA。该产品可以通过IEC浪涌测试10/700US 6kV。
TVS反应速度极快（达PS级），通流能力远超稳压二极管（可达上千安培），同时，TVS对静电具有非常好的抑制效果。该产品可以通过 IEC接触放电8kV和空气放电15kV的放电测试。
将传统电阻RG变更为正温度系数（PPTC）保险丝。它既具有电阻的效果，又对温度比较敏感。当内部电流增加时，其阻抗也在增加，从而对过流具有非常好的抑制效果。
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发表于： 10:53:23
6月28日，为期三天的2018 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会正式闭幕。这场电力电子行业盛宴吸引了行业内的诸多关注，青铜剑科技再次盛装亮相，与众多新老客户及行业人士展开亲密接触。
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IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。
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跟你讲个故事：“比亚迪在智能门锁领域一家独大，6月指纹识别芯片出货量破1000K，占整个市场60%以上份额。”
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英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列：英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能力，关断速度可达5 kA/us。
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根据韩媒表示，中国大陆的重点面板厂之一京东方（BOE）正在挑起全球液晶显示器市场的价格战，目前65吋液晶面板的价格“砍价”至240~250美元之间，让竞争对手像是SDC、 LGD备感压力。
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据悉，苹果计划在明年大多数iPhone机型上使用更便宜的LCD屏，而推迟全面改用高科技有机发光二极管（OLED）屏幕，此举也反应了消费者对价格的敏感。
发表于： 09:12:09
变频器的设定参数较多，每个参数均有一定的选择范围，使用中常常遇到因个别参数设置不当，导致变频器不能正常工作的现象，因此，必须对相关的参数进行正确的设定。
发表于： 07:25:30
电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。
发表于： 07:25:07
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MOS管的外围电路
助理工程师
09:20:17　　
现在用全桥输出拓扑较多
经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻
同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路
现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS管的突波或者尖峰电压
但是不知道在实际中如何选型RCD器件，以及G极的电阻
现在我的MOS管外接的直流源是50V，全桥输出，前段通过IR2010S来驱动
希望可以从这个实例来指导
奖励19积分
在低频条件下，这个电阻有点安慰性质，不接也罢。但在高频时，情况就变了，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅源间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.这个Rg的值，你可以在datasheet中，Td on 和Td off一栏后面可以见到。
高级工程师
09:20:18　　
在低频条件下，这个电阻有点安慰性质，不接也罢。但在高频时，情况就变了，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值.通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中,还应根据实际情况予以适当调整 ) .另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏器件,建议在栅源间加入一电阻 Rge ,阻值为 10 k Ω左右.这个Rg的值，你可以在datasheet中，Td on 和Td off一栏后面可以见到。
助理工程师
11:21:04　　
在低频条件下，这个电阻有点安慰性质，不接也罢。但在高频时，情况就变了，MOSFET的输入阻抗将降低，而且在某个频率范围内将变成负阻，会发生振荡。为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡,减小集电极的电压尖峰,应在栅极串上合适的电阻 Rg .当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通, ...
先谢谢你的回复，指导的很细致
但是还有几点没有看懂和追问，如下
1：在高频时，MOS的输入阻抗降低，是根据R=1/jwc算的吗？MOS管显容性特征？
2：某个频段变成负阻，什么事负阻？
3：一直没有很好的理解发生震荡是什么意思？
4：控制脉宽前后陡峭度为什么要改变，不都是直上直下吗？
5：Rg 减小时，di/dt 增高,可能产生误导通，经常可以看到di/dt ，这个是什么指标或者作用
& & 记得u=L*di/dt，不知道和这个有关吗？
6：di/dt增高，会有误道通，是不是因为u=L*di/dt，U会变大，导致U大于Ugs而误导通？
麻烦你指点一下这些问题！
21:07:15　　
先谢谢你的回复，指导的很细致
但是还有几点没有看懂和追问，如下
好专业& &不知楼主对这几个问题有什么见解
22:49:29　　
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
⑥ RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；R值越大，MOS功率管有可能被&&
1.测量变压器的初级漏感Lik
初级绕组的漏感量可以通过测试来获得，常用方法是，短路各个次级绕组测试此时的初级绕组的感量，这个值就是初级绕组的漏感量。需要注意的是，测试频率应采用变换器的工作频率。
当然，批量生产时不可能采取逐个测试的方法，这时，可确定一个百分比来估计整个批次的漏感值，这个百分比通常是在1%--5%
2.确定设计的电源的开关频率fs
3.确定正确的峰值初级电流IP
4.确定初级MOSFET 所允许的总电压，并根据以下公式计算
V maxclamp =&&-&&*
（注释：建议至少应维持低于 MOSFET 的20%的电压裕量，以满足瞬态电压要求。对于通用输入设计，建议V maxclamp & 200 V 。V maxclamp不应小于约 1.5*VOR 。）&&
5.确定箝位电路的电压纹波Vdelta
（注释：建议典型值应为 Vmaxclamp的10% 。）
6.根据以下公式计算箝位电路的最小电压：&&
V minclamp = V maxclamp - V delta
7.根据以下公式计算箝位电路的平均电压Vclamp：&&
V clamp = V maxclamp - V delta/2
8.根据以下公式计算漏感中贮存的能量：
9.根据以下公式估算箝位中的能量耗散E clamp：
1.5W ≤ POUT ≤ 50W& &&&E clamp = 0.8*
50W ≤ POUT ≤ 90W& && &E clamp =
90W&&& POUT& && && && &&&E clamp = *（）
（注释：连续输出功率& 1.5 W的电源通常不要求使用箝位电路。）
（注释：并非所有的漏感能量都会转移到箝位。因此，在计算箝位所消耗的真实能量时，应使用以上公式并将峰值初级电流IP替代为仅流入箝位的电流IC。由于IC难以计算或测量，我们将根据已知的比例因数调整E LL，从而估算出箝位中耗散的能量：Eclamp。）
10.根据以下公式计算箝位电阻值：
（注释：这里计算出的 Rclamp 值是第一近似值。在电源制作完成后，应用示波器测量峰值电压 V clamp，然后将其与这里所使用的值进行比较。如果测量值低于预期值，应增大 Rclamp 的值，直到测量值与这些计算结果相符。如果测量值高于预期值，应减小 Rclamp 的值。）
11.箝位电阻的功率额定值应大于：
& &12.根据以下公式计算箝位电容值：
& &Cclamp =
& &13.箝位电容的电压额定值应大于：1.5*Vmaxclamp
& &14.根据以下公式指定TVS 击穿电压的近似值：VZ = Vmaxclamp + 20 V
（注释：由于齐纳二极管在导通时无法承受器件中的瞬时峰值功耗，因此必须使用一个TVS 。）
& &15.TVS的功率额定值大小应能够处理在正常工作及过载条件下所贮存能量的差异。
& &PTVS & *LIK**fs
& &16.应使用快速或超快恢复二极管，将其用作箝位电路中的阻断二极管。
（注释：在有些情况下，使用标准恢复二极管有助于提高电源效率及 EMI 性能。用作此用途的标准恢复二极管必须列明指定的反向恢复时间。使用这种二极管时应特别注意，确保其反向恢复时间低于可接受的限值。如果未经全面评估，不建议批准基于标准恢复二极管的设计。）&&
& &17.&&阻断二极管的峰值反向电压值应大于：1.5*Vmaxclamp
18.&&阻断二极管的正向反复峰值电流额定值应大于IP ，如果数据手册中未提供该参数，则平均正向电流额定值应大于：0.5*IP
（注释：二极管的平均正向电流额定值可指定为较低值，它主要受热性能的约束。应在稳态工作期间及最低输入电压条件下测量阻断二极管的温度，以确定其额定值是否正确。散热性能、元件方位以及最终
产品外壳都会影响到二极管的工作温度。）
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22:49 上传
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