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2406: C语言习题 求n阶勒让德多项式 Description 用递归方法求n阶勒让德多项式的值，递归公式为 n=0 pn(x) =1 n=1 pn(x) =x n&1 pn(x) =((2n-1)*x* pn-1(x) -(n-1)* pn-2(x))/n 结果保留2位小数。 用递归方法求n阶 ...
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可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产 ...
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电路基础 电路基础 电路基础里面关键是要知道MOS管（由电压控制导通的这样一种器件是各种门电路的基础）分为pMOS和nMOS。pMOS和nMOS形成各种门点路的方法在后面有 P型半导体：主要靠空穴导电 N型半导体：主要靠自由电子导电 PN结：p端负电荷。n端正电荷。 二极管：单向导通性 晶体三极管（ ...
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二极管由PN结组成，P和N都是半导体，因此要了解P型半导体和N型半导体，这两个都属于杂质半导体，先从最原始的本征半导体讲起 本征半导体：普通的半导体就是由半导体元素组成，如硅和锗（zhe第三声），最外层四个电子形成共价键，电子受热等便摆脱共价键成为自由电子，原来的位置因为走了一个电子就带正电，变成空 ...
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P（positive）型半导体 空穴（共价键上流失一个电子）浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体，在纯净硅晶体中掺入三价元素 N（negative）型半导体 自由电子浓度远大于空穴（共价键上流失一个电子）浓度的杂质半导体，在纯净硅晶体中掺入五价元素 PN结 注意：P型半导体呈电中性，空穴主要由杂质原子 ...
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1. 半导体，重要的是在一定条件下才导电，比如一定的温度或者外加电压，在电子电路里，则一般是外加电压，并且其导电性能随着外电压变化。 2. PN结，P端空穴多，N端电子多；不加外电压时，PN结没有什么意义；加正向偏置电压时，导通，加反向偏置电压时，不导通，这是PN结的重大特定，也是其能做开关电路的本 ...
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1、CMOS中哪些制造步骤中用到了离子注入，需要注意哪些？2、有哪些薄膜制备方法？各有什么优缺点？3、COMS的制作步骤，简要叙述。4、载流子的输运方式有哪些，简要叙述。5、半导体中缺陷种类，杂质的类型，缺陷杂质的危害，如何避免杂质缺陷。6、为何固体有超导体，导体，半导体，绝缘体？7、缓变PN结和突 ...
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输入特性曲线 当Uce=0V时，相当于集电极与发射极短路，因此，输入特性曲线与PN结伏安特性曲线类似。 当Uce增大时，曲线将右移。这是因为由于发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流ic，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大而减小，因此要获得同样的Ib就必须加大 ...
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PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时，外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，PN结导通。PN结的压降只有零点几付，所以在其回路里应串联一个电阻。 PN结加反向电压 当PN结加反向电压时，外电场使空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止了扩散运动的进 ...
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P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 ...
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第七章 LED将为我们闪烁：控制发光二极管 发光二极管的工作原理：发光二极管 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能;常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米 ...
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一、很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合（如图1）。这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管。我们以 NPN 型三极管为例（见图 2 ），两个 PN 结共用了一个 P 区 —— 基区，基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两个 PN 结有机地结合成一个不可分割的整 ...
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电路基础电路基础
电路基础里面关键是要知道MOS管（由电压控制导通的这样一种器件是各种门电路的基础）分为pMOS和nMOS，pMOS和nMOS形成各种门点路的方法在后面有
P型半导体：主要靠空穴导电
N型半导体：主要靠自由电子导电
PN结：p端负电荷，n端正电荷。 二极管：单向导通性
晶体三极管（NPN、PNP），三个电极分别为基极，集电极，发射级——具有电流分配和放大作用
场效应管（field-...
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最近一周开发一个LED球泡灯可控硅调光项目，现总结如下：项目要求：1、使用RCC调光方案2、输入电压Ui=120V(60HZ)，输出电压Uo=66V，输出电流Io=120mA(恒流)什么是可控硅：单向可控硅由4层半导体组成，有3个PN结：阳极A，阴极K，控制极G，如下图：单向可控硅文字符号：SCR(...
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##二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。##实物图片：##二极管分类+ 点接触型：结面积小，结电容小，故允许的电流小，最高工作频率高。+ 面接触型：结面积大，结电容大，故允许的电流大，最高工作频率低。+ 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的允许的电流大。&二极管是单向导...
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一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。P型和N型紧密结合在一起形成PN结时，每有一个自由电子进入P型区域和空穴结合，就多了一个真正的负离子（那个结合了自由电子...
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大二学的模电，现在又拿起来，感叹自己学的实在太差，所以结合一些资料开始总结笔记pn结即空间电荷区杂质半导体中的多子一般都是由杂质原子提供，少子是本征激发产生P型半导体和n型半导体结合后，交界处p区的多子（空穴）向n区扩散，n区多子（电子）向p区扩散前者是因为n区的空穴少产生了浓度差，后者是因为p区电...
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电场力作用下载流子的运动即漂移运动pn结中内电场会抑制载流子扩散运动，而加强漂移运动内电场方向是由n区指向p区，因此p区空穴以及n区电子均会受到与扩散运动方向相反的电场力，由此扩散运动被抑制，而p区少子电子和n区少子空穴会因为电场力而运动，即漂移运动，空穴会由n区向p区移动，电子由p区向n区移动漂移...
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晶体三极管分为NPN和PNP型两种结构形式，除了电源极性的不同工作原理是大致相同的。对于NPN管，它是由2块N型半导体夹着一块P型半导体所组成的，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区所形成的PN结称为集电结，三条引线分别为发射极（Emitter）、基极（Base)和集电极c（Col...
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三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不...
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PN结是什么
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PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 　　P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； 　　N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 　　在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，达到平衡。 　　在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。 　　PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 　　根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个 　　PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。 　　PN结的平衡态,是指PN结内的温度均匀、稳定,没有外加电场、外加磁场、光照和辐射等外界因素的作用,宏观上达到稳定的平衡状态.PN结的形成　　 　　在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 　　因浓度差 　　↓ 　　多子的扩散运动&由杂质离子形成空间电荷区 　　↓ 　　空间电荷区形成形成内电场 　　↓ ↓ 　　内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 　　最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。PN结形成的过程可参阅图01.06。 　　图01.06 PN结的形成过程（动画1-3）如打不开点这儿（压缩后的）PN结的单向导电性　　 　　PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。 　　如果外加电压使： 　　PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，简称正偏； 　　PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，简称反偏。 　　(1) PN结加正向电压时的导电情况 　　外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。 　　(2) PN结加反向电压时的导电情况 　　外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 　　在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 　　PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PN结的电容效应　　 　　PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。一是势垒电容CB ，二是扩散电容CD 。 　　(1) 势垒电容CB 　　势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图见图01.09。 　　图01.09 势垒电容示意图 　　(2) 扩散电容CD 　　扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图01.10所示。 　　当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。编辑本段击穿特性　　当反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加，这种现象称为PN结的击穿，反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压，如上图所示， PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种。1、雪崩击穿　　阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急 　　剧增加，象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。2、齐纳击穿　　当PN结两边掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，不易产生碰撞电离，但当加不大的反向电压时，阻挡层中的电场很强，足以把中性原子中的价电子直接从共价键中拉出来，产生新的自由电子—空穴对，这个过程 称为场致激发。 　　一般击穿电压在6V以下是齐纳击穿，在6V以上是雪崩击穿。3、击穿电压的温度特性　　温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。6V左右两种击穿将会同时发生，击穿电压的温度系数趋于零。4、稳压二极管　　PN结一旦击穿后，尽管反向电流急剧变化，但其端电压几 乎不变（近似为V(BR)，只要限制它的反向电流，PN结 就不会烧坏，利用这一特性可制成稳压二极管，其电路符号及伏 　　安特性如上图所示：其主要参数有： VZ 、 Izmin 、 Iz 、 Izmax 　　编辑本段电容特性　　PN结除具有非线性电阻特性外，还具有非线性电容特性，主要有势垒电容和扩散电容。1、势垒电容　　势垒区类似平板电容器，其交界两侧存储着数值相等极性相反的离子电荷，电荷量随外加电压而变化，称为势垒电容，用CT表示。 　　CT = - dQ/dV 　　PN结有突变结和缓变结，现考虑突变结情况（缓变结参见《晶体管原 理》），PN结相当于平板电容器，虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄 但这个变化比较小可以忽略， 　　则CT=εS/L，已知动态平衡下阻挡层的宽度L0，代入上式可得： 　　CT不是恒值，而是随V而变化，利用该特性可制作变容二极管。2、 扩散电容　　多子在扩散过程中越过PN结成为另一方的少子， 当PN结处于 平衡状态（无外加电压）时的少子称为平衡少子 可以认为阻挡层以外的区域内平衡少子浓度各处是一样的，当PN结处于正向偏置时，N区的多子自由电子扩散到P区成为 P区的非平衡少子，由于浓度差异还会向P 区深处扩散，距交界面越远，非平衡少子浓度越低，其分布曲线见[PN 结的伏 安特性]。当外加正向电压增大时，浓度分布曲线上移，两边 非平 衡少子浓度增加即电荷量增加，为了维持电中性，中性区内的非平衡多子浓度也相应增加，这就是说，当外加电压增加时，P区和N区各自存储的空穴和自由电子电荷量也增加，这种效应相当于在PN结上并联一个电容，由于它是载流子扩散引起的，故称之为扩散电容CD，由半导体物理推导得 CD=（ I + Is）τp/VT 推导过程参见《晶体管原理》。 　　当外加反向电压时 I = Is ， CD趋于零。3、 PN结电容　　PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ，外加正向电 压CD很大， Cj以扩散电容为主（几十pF到几千pF） ，外加反向电压CD趋于零，Cj以势垒电容为主（几pF到几十pF到）。4、变容二极管　　PN结反偏时，反向电流很小，近似开路，因此是一个主要由势垒电容构成的较理想的电容器件，且其增量电容值随外加电压而变化 利用该特性可制作变容二极管，变容二极管在非线性电路中应用较广泛， 如压控振荡器、频率调制等。
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首先你要知道PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多，因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片
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带电灭火应使用不导电的灭火剂，不得使用（)灭火剂。A.二氧化碳B.1211C.干粉灭火剂D.泡沫灭火
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提问人：匿名网友
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带电灭火应使用不导电的灭火剂，不得使用()灭火剂。A.二氧化碳B.1211C.干粉灭火剂D.泡沫灭火剂请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
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1晶体二极管正偏导通时，外电场(
)。A.与PN结内电场方向相反，扩散运动加强B.与PN结内电场方向相同，漂移运动加强C.与PN结内电场方向相同，扩散运动减弱D.与PN结内电场方向相反，漂移运动减弱2硅二极管正向导通，其管压降为(
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)。A.稳压管不具有单向导电性B.稳压管可工作在击穿区，整流二极管不允许C.整流二极管可工作在击穿区，稳压管不能D.稳压管击穿时端电压稳定，整流管则不然4硅稳压管加正向电压时，(
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PN结，什么是正向电压？是P向N？还是N向P？能具体说明下什么是PN结吗？
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采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。P型半导体（P指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体（N指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。 　　PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。
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正向电压就是PN结的P侧接电源的正极，N侧接电源的负极;PN结就是P型半导体与N型半导体通过工艺结合一起,结合部就形成PN结,外接正向电压PN结呈低阻导通,外接反向电压PN结呈高阻不通
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先跟你解释一下PN结形成的过程吧，PN结的形成分为三步：1、多子的扩散运动，形成空间电荷区。由于N型半导体中的自由电子与P型半导体中的自由电子浓度不同，自由电子会在浓度梯度的作用下由N区向P区扩散；同理空穴也在浓度梯度的作用下由P区向N区扩散。这两种载流子在N区和P区的交界处复合以后，就在交界处的P区留下不能移动的负空间电荷、在N区留下不能移动的正空间电荷。这个区域只有空间电荷，所以称为空间电荷区，又因为两种载流子在这里复合耗尽了，所以又叫耗尽区。 2、少子的漂移运动。空间电荷区的N区是正的空间电荷，P区是负的空间电荷，由于空间电荷不能移动，因此空间电荷在这里产生了从N区指向P区的内建电场，这个电场会将N区的少子，即空穴，拉到P区，同时将P区的少子，即自由电子，拉到N区。这种在内电场的作用下少数载流子产生的运动称为漂移运动。3、扩散运动和漂移运动达到动态平衡——形成PN结。漂移运动最初的时候是没有的，但随着扩散运动的进行，空间电荷区从无到有，逐渐加宽，内电场随之增大，内电场一方面使少子的漂移运动从无到有逐渐增强，另一方面削弱了多子的扩散运动。经过一段时间，这两种运动达到动态平衡，这时候空间电荷区也不再增加，于是形成了一个具有一定宽度的空间电荷区，这个空间电荷区就叫PN结。正向电压（正向偏置）：PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极；反向电压（反向偏置）：PN结的P区接电源的负极，N区接电源的正极；PN结加正向电压时，在PN结上会形成方向从P指向N的外电场，这个外电场的方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，使漂移运动和扩散运动的平衡被打破，扩散运动加强。由于这时扩散了的多子可以由外电场得到源源不断的补充，形成了流入P区的电流，称为正向导通电流。又因为这个电流是由多子形成的，其值比较大，此时PN结的内阻较小，类似于开关闭合。PN结加反向电压时，PN结上形成了方向从N指向P的外电场，而且电场方向与PN结内电场方向相同，增强了内电场的作用，漂移运动和扩散运动的平衡被打破，漂移运动加强。这时形成了一个流出P区的电流，称为反向饱和电流。但由于这个电流是少子形成的，其值比较小，而且大小与环境温度有关，此时PN结的等效内阻很大，类似于开关断开。总结一下就是：当PN结正向偏置时，其等效内阻小，导通电流大，PN结导通：当PN结反向偏置时，其等效内阻大，导通电流小，PN结截止。这个特性称为PN结的单向导电性。希望我的答案对你有用~~~
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