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硅管是ＮＰＮ型，锗管ＰＮＰ型，是固定的吗？
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3秒自动关闭窗口判断晶体管V1=5.8V V2=6V V3=2V.请判断是硅管还是锗管,是NPN型还是PNP型,并确定,e,b,c级,说
判断晶体管V1=5.8V
V3=2V.请判断是硅管还是锗管,是NPN型还是PNP型,并确定,e,b,c级,说明原因
v1:BV2:EV3:CPNP锗管Uc
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与《判断晶体管V1=5.8V V2=6V V3=2V.请判断是硅管还是锗管,是NPN型还是PNP型,并确定,e,b,c级,说》相关的作业问题
怎么是V1、V2、V3而不是Ve、Vb、Vc啊?假设你说的V1是发射极电压Ve,V2是基极电压Vb、V3是集电极电压Vc吧.如此的话,电流应该是从发射极分流到集电极和基极,是PNP管
因为这个系统不受外力,所以满足动量定理,得：3mv=3mv1+mv2 1由楞次定律可知,阻碍磁通量的变化,所以1与2的电动势抵消,得E=B*2L*V1=B*L*V2 2联立1、2,得,V1=3/7 V2=6/7电阻是没用的
一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚.对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下：1.正测与反测 将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,再红黑表笔互换仍测这两脚电阻,两次测量电阻读数不同,我们把电阻读数较小的那次测量叫正测,我们把电阻读数较大的那次测量叫
怎么不给分啊!（1）检测阳.阴极、正反向是否短路.可用万用表R*1K电阻档,测试阳、阴极的正反向电阻,都应该很大,（表针基本不动）否则管子内部有短路或者性能不好.（2）检测控制极是否短路或断开.因控制阳极与阴极之间是一个PN结判断的原则与测普通晶体二极管饿方法相同应当指出的是,以上只是粗略检测,实际上用万用表不可能对晶
6V,1.8V和6V 1.2v?是不是写错了 应该是6W?5个,那两种灯泡,分别有几个?
不能得出该物种偏好该群落的生境条件这个结论.因为,在一个群落生态系统中,群落成员型可分为优势种和建群种、亚优势种、伴生种和罕见种或偶见种.不同的群落成员型在群落中的地位和作用是有所不同的.通过该原理可以得出你的结论未必成立.简单举个例子来说,如果那个物种是群落中的偶见种,那么它可能是残遗种或外来种,仅通过它在此出现不能
测试的第一步是判断哪个管脚是基极,从数据看2是基极当万用表是数字表时为：NPN 当万用表是指针表时为：PNP
对比,通过泰山和鸿毛的对比来说明一个人消失的价值.还有比喻把有的人的死比作泰山,把有的人的死比作鸿毛.这道题我们做过,老师是这么讲的
这个题目,你可以这样分析,把电压表全部去掉,那就是本来的电路.1.去掉所有的电压表,可以看出灯L1和L2就是个串联的关系.2.如果只把V1加上去,那么V1就是测试电源的电压表,所以V1的读数就是6V3. 如果只把V2加上去,那么V2就是测试L2的两端电压的电压表,如果只加V3 ,那很清楚的V3就是测L1 两端的电压表,
v1=V2-10 V2=V3-15 V3=V1+25任意两式都可得到第三式 方程不够 有无穷多组解
最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位,如果集电极电位约等于电源电压,就是截至的,如果约等于饱和压降Uces,就是饱和的,介于这两个电压之间的就是线性放大区,约接近这两个电压之间的中心位置,线性就越好.Uces就是集电极-发射极件饱和压降,指的是三极管处于饱和状态时,集电极-发射极之间出现的一个电压,饱和之后,不管
一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚.对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下： 1. 正测与反测 将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,再红黑表笔互换仍测这两脚电阻,两次测量电阻读数不同,我们把电阻读数较小的那次测量叫正测,我们把电阻读数较大的那次测
你是不是写错了这不可能啊
测得某正常线性放大电路中晶体管三个引脚x、y、z对地的静态电压分别为1.5V、1.8V、6V,则可判断它们分别为三极管的（ e ） 极、（ b ）极、（ c ） 极.分析：基极（b）与发射极（e）之间的电压是0.3V,集电极（c）电压最高.本题所说的三极管应是NPN型锗管.
A、R1和R2组成并联电路，电压表V1测R2的电压，电压表V2测R1的电压，电压表V3测R1和R2并联的总电压，根据并联电路电压的特点，三个电压表的示数应该相等，不符合题意，该选项错误；B、R1和R2组成串联电路，电压表V1测R2的电压，电压表V2测R1的电压，电压表V3测R1和R2串联的总电压，由于R1＞R2，所以V
v1+v2=6v2+v3=5v1+v2+v2+v3=11所以v2=1 v1=5 v3=4初中物理不用考虑电池内阻这些吧,然后是串联,电流都是0.5
由电路图可知，两灯泡串联，电压表V1、V2分别测两灯泡两端的电压，电压表V3测电源的电压，两电流表均测电路中的电流．因串联电路中各处的电流相等，所以，I1=I2；因串联电路中总电压等于各分电压之和，所以，U3=U1+U2；故C正确．故选C．
①电压表在的电路相当于开路，因此将电压表去掉后，会发现三个灯泡依次连接，所以它们是串联的；②V1并联在灯L1和L2两端，所以V1测的是L1和L2两端电压；V2并联在灯L2和L3两端，所以V2测的是L2和L3两端电压；③因L1、L2、L3是三盏相同的灯泡，V1、V2的示数都为6V，所以每盏灯两端的电压为3V，则根据串联电有简单的方法吗？
除醉卧梅林答的外，可以从型号判别。lue答的不对。
1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)、D -低频大功率管（f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN...
除醉卧梅林答的外，可以从型号判别。lue答的不对。
1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)、D -低频大功率管（f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、± 2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。
其他答案（共2个回答）
的型号,如何用万用表来判断判断三极管是锗管还是硅管?
因为万用表的电组挡本身有电池.无须加电来量PN结的正向压降
正向电组是从 P 到 N. 数值较小. 下面用"通'来表示.
反向电组是从 N 到 P. 数值较大. 下面用"不通'来表示.
用万用表来量三极管的两的脚. 电流的方向是从黑色表笔经三极管的两个脚到红色表笔.
用万用表来判断三极管是锗管还是硅管.
将万用表放在...
如果看不出三极管的型号,如何用万用表来判断判断三极管是锗管还是硅管?
因为万用表的电组挡本身有电池.无须加电来量PN结的正向压降
正向电组是从 P 到 N. 数值较小. 下面用"通'来表示.
反向电组是从 N 到 P. 数值较大. 下面用"不通'来表示.
用万用表来量三极管的两的脚. 电流的方向是从黑色表笔经三极管的两个脚到红色表笔.
用万用表来判断三极管是锗管还是硅管.
将万用表放在电组挡(Rx10 或 Rx100).
黑色表笔放在三极管的一个脚上. 将红色表笔依次放在三极管的另外两个脚上.
如果一个通一个不通.将黑色表笔放在三极管的另一个脚上.
直到两个都通或都不通.
那么两个都通是硅管.
两个都不通是是锗管.
答: 什么是倾销和反倾销
答: 没有必要培训
，如果你会的情况下，一般卖收割机的都会有专门的培训，要是你足够了解就不必要培训了。
答: 不太一样 如果您对我的答复满意，请点击下方“好评”，谢谢！
答: 而博士课程则更侧重专题的研究，经常被视为是电机工程师学术生涯的起点
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如何用万用表判断出一个晶体管是NPN型还是PNP型？如何判断出管子的三个引脚？又如何通过实验来区别锗管还是硅
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如何用万用表判断出一个晶体管是NPN型还是PNP型？如何判断出管子的三个引脚？又如何通过实验来区别锗管还是硅管？
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1在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运算放大器作放大电路的原因是其上限截止频率太低，难以产生高频振荡信号。
)2当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
)3一般情况下，电压比较器的集成运算放大器工作在开环状态，或者引入了正反馈。
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确认密码：关于判断三极管pnp和npn的问题
关于判断三极管pnp和npn的问题我想问一下倘若已经知道基极,那么如果电流表红表笔(正)连接基极,黑表笔(负)连接其他极,电阻很小,那么该三极管的类型不应该是npn吗?根据正向导通电阻很小,倘若不是请详细说一下,
红表笔(正)连接基极,黑表笔(负)连接其他两极,电阻很小,那么该三极管的类型是PNP；若黑表笔连接基极,红NPN.表笔连接其他两极,电阻很小,那么该三极管的类型是NPN. 再问： 这是为什么？ 再答： PN结正向导通。再问： 正是因为PN结的正向导电性，如果红表笔接基极，黑表笔接集电极（或发射极），假设电阻是小的，那么该三极管型号不应该是NPN吗？为什么是PNP？谢谢！ 再答： 因为磁动式万用表的红表笔是电池的负极，测量发射极或集电极与基极就呈正向导电性，是PNP。
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与《关于判断三极管pnp和npn的问题》相关的作业问题
首先先看A管,从这三个电压可以发现,都是正电压,所以该管是NPN的三极管.其中有两个电压差为0.2V,因为该三极管处于放大状态,所以Vbe=0,2V的只有锗管,所其中+3.2V电压的这个极就是B,+3V的就是E了,那剩下的+9V的那个极自然就是C了.再来看B管,三个电压都是负的,所以可以判断这个三极管是PNP管.再看这
最大的区别就是多数载流子的不同,PNP空穴,NPN电子工作方式四种：放大,饱和,截止,反置.空穴带正电喜欢低电压,电子相反.npn举例放大：Uc>ub>ue通过基极电流控制集电极电流的大小,且两者变化一致,要大都大,要小都小.发射区向基区发射电子,基区中电子的扩散与复合,集电区收集电子.ie=ic+ib.饱和：随着集电
NPN放大电路图!5个三极管
晶体管导通,不论是PNP还是NPN,电位差最小的两个电极是基极B和发射极E,电位在中间的是基极B.如果是差0.7V左右,是硅管,差0.3V左右,是锗管.很明显,U1和U2一定是B和E,那么剩下的就是U3,肯定是集电极C.根据使用规则,PNP型是发射极E电位最高,集电极C电位最低；NPN正好相反.根据上述内容,此管是PN
中间量Vc是集电极c,Va则是基极b,Vb则是发射机e,是PNP管
用数字万用表测判三极管总结首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管.看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点.数字万用表处于二极管档时,红表笔代表正电极.选数字万用表的二极管挡,用红表笔去接三极管的某一管脚,用黑笔分别接另外两个管脚,如果表的液晶屏上两次都显示有零点几伏的
一、判断三极管基极 对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大一小,相差很大,则第一次测量中黑表笔接的不是基极,应更换其他电极重测.二、判断三极管发射极e和集电极c 三极管基极确定
图有箭头不啦,箭头向外的是npn,向内就是pnp喽.知道了类型,电压大的那端为c极.另外告诉你晶体三极管的检测方法：基极判别：将万用表打到千欧姆档,用表笔搭接三极管的任意两管脚,如果阻值很大（几百千欧姆以上）,将表笔对调再测一次,如果阻值也很大,则剩下的那只管脚为B极.类型判别：B极确定后,用万用表黑表笔接基极,红笔接
NPN硅管：如果B比E高0.55－0.75V,CE极电压小于0.5V,则可以认为是饱和状态；如果CE极电压高于1V,可以认为是放大状态或截止状态,然后再测BE极电压：高于0.6V可认为是放大状态,低于0.5V可认为是截止状态.
1.vbe=ub-ue=-0.2V,uc>ue,因此判断为截止状态的npn管；2.vbe=ub-ue=0.74V,vce=uc-ue=0.3V0.7V,再看ce结是否正偏,如果vce大于vbe则肯定处于正向放大态,如果vce小于vbe则有可能处于饱和态.本题中的几组数据都是各个工作状态的典型参数.
一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc
12V的为E,12.7的为B,15V的为C,这个是NPN三极管.－9V的为C,－6.2为B,－6为E,这个是PNP三极管.－2MA为C,0.004MA为B,2.04MA为E,这个是PNP三极管. 再问： 请问是根据什么公式判断出来的哦，谢谢 再答： 这个没有公式，对于三极管。B和E的电压差不多的，不能超过0.7V的。然
首先,-6.2V介于-9v和-6.2V之间 ,为b极；|-6.2-（-9）|>|-6.2-(-6)|,可以断定-9V 为c极；-6V为e极；|-6.2-(-6)|=0.2v,即|Ube|=0.2V,为锗型；电压有负号,为pnp.我上学考试时都是这么判断的.经写作业、考试的实践,还没有错过.
E电压高于B的0.7V,显然,这是个工作在放大状态的硅材料NPN管. 再问： 意思是说判断PNP和NPN是看UB和UE大小么？还有工作在什么状态是看哪里呢？ 再答： 硅管导通之后有0.7V压差，由此可以判断PN结方向。 高于0.7V就说明不在截止状态，然后看BC电压，集电节正偏的是饱和，反偏是放大。 显然，B>C，是反
通常使用的晶体三极管都是硅材料三极管,其PN结的导通压降一般在0.6 -- 0.8V之间.1、对于PNP管Vbe = -0.6 -0.8V,Vbc > 0时,为放大工作状态；Vbe = -0.6 -0.8V,Vbc ≈ 0时,为饱和工作状态；Vbe ≥ -0.6,为截止工作状态；1、对于NPN管Vbe = 0.6 0.
三极管的管型及管脚的判别 为了帮助读者迅速掌握测判方法,我们总结出四句口诀：“三颠倒,找基极；PN结,定管型；顺箭头,偏转大；测不准,动嘴巴.”下面让我们逐句进行解释吧.一、 三颠倒,找基极 大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件.根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图
我来说吧,三极管要放大,有两个条件：发射结正偏,集电结反偏.对于NPN管来说,发射结是基极（P）指向发射极（N）,集电结是基极（P）指向集电极（N）.而且对于半导体来说,多子是携带电荷的主流,代表主要电流的方向.先看发射极,由于是N区,多子是电子（负电）.由于发射结正偏,PN结内电场的方向从基极指向发射极,电子在电场内
NPN电路中,电源负极为公共端（地）,三极管的集电极电位总是高于发射极电位.PNP电路中,正好相反.电源正极为公共端（地）,三极管的集电极电位总是低于发射极电位.
有三个焊点的不一定就是三极管.有很多东西跟三极管很像.封装也差不多.例如 12806跟三极管用的是一模一样的封装..最好的办法是.如果你的板子上有元件.看看原件上的字.如果没有元件.那么你就把它的外围元件 甚至整个电路中你能识别出来的部分画上.然后根据推理和分析.判断.当然图简单一点的而且是典型电路就很好判断.如果复杂