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第二章 计算机组成原理习题
第二章 计算机组成原理
一、判断题
1.在 PC 机中,硬盘与主存之间的数据传输必须通过 CPU 才能进行。 (____)
2. CPU 与内存的工作速度差不多,增加 cache 中是为了扩大内存的容量。 (____)
3.所有 CPU 都采用相同的芯片组。 (____)
4. PC 机采用 I/O总线结构有很多优点。例如,简化了系统设计、便于系统的扩充升级。 (____)
5.在计算机的输入设备中,只有键盘加以输入汉字。 (____)
6. CPU 主要由运算器、控制器和寄存器组三部分组成。 (____)
7. PC 机的所有外设必须通过在主板扩展槽中插入扩充卡才能与主机相联。 (____)
8. PC 机中,在 I/O控制器接收 CPU 的命令后,由其负责对 I/O设备进行全程控制,不再需要 CPU 过问和干 预。 (____)
9.键盘中的 F1-F12控制键的功能是固定不变的。 (____)
10.芯片组是 PC 机各组成部分的枢纽, CPU 类型不同,通常需要使用不同的芯片组。 (____)
11.当前正被 CPU 执行的程序必须全部保存在 Caahe 中。 (____)
12.主板上所能安装的内存最大容量、工作速度及可使用的内存条类型通常由芯片组决定。 (____)
13.在使用配置了触摸屏的多媒体计算机时,可不必使用鼠标器。 (____)
14. CPU 中控制器用于对数据进行各种算术和逻辑。 (____)
15. PC 机主板上有电池,主要作用是计算机断电后,给 CMOS 芯片供电。 (____)
16. PCI 总线常用于连接高速外部设备的 I/O控制器,它包含有 128位的数据线。 (____)
17.带宽是衡量总线性能的重要指标之一,它指的是总线中数据线的宽度,用二进位数目来表示 (如 16位、 32位总线 ) 。 (____)
18.计算机的发展经历了四代,分代通常是按照计算机的生产时间为依据的。 (____)
19.计算机在关机和断电时, ROM 中的的信息全部丢失。 (____)
20.不同的 I/O设备的 I/O操作往往是并行进行的。 (____)
21.主存储器在物理结构上由若干内存条组成,内存条上的存储芯片一般选用 DRAM 而不采用 SRAM 。 (____) 22.高速缓存 Cache 的存取速度比主存快得多。为了加快程序的运行速度,在软件开发时,应尽可能多地使 用 Cache 存储器。 (____)
23.近年来, PC 机中使用的 1394(i, Link /FireWire) 接口,比 USB 传输速度更快。 (____)
24.分辨率是扫描仪的主要性能指标,它反映了扫描仪扫描图像的清晰程度,用每厘米生成的像素数目 dpi 来表示。 (____)
25.大部分数码相机采用 CCD 成像芯片, CCD 芯片中有大量的 CCD 像素,像素越多,得到的影像分辨率(清 晰度)越高,生成的数字图像越小。 (____)
26. USB 接口是一种通用的串行接口,通常连接的设备有移动硬盘、优盘、鼠标器、扫描仪等。 (____) 27. 由于硬盘的外部传输速率要小于内部传输速率 , 所以外部传输速率的高低是评价一个硬盘整体性能的决定 性因素。 (____)
28.计算机启动时有两个重要的部件在发挥作用,即 BIOS 芯片和 CMOS 芯片,实际上它们是同一芯片,只是 说法不同而已。 (____)
29. RAM 按工作原理的不同可分为 DRAM 和 SRAM , DRAM 的工作速度比 SRAM 的速度快。 (____)
30. CPU 所执行的指令和处理的数据都是直接从磁盘或光盘中取出,处理结果也直接存入磁盘。 (____) 31. CPU 是影响计算机性能的重要因素, CPU 的运算速度取决于 CPU 的主频。在其他配置相同情况下,主频为 500MHz 的 PC 机比主频为 1GHz 的 PC 机运算速度要快。 (____)
32. 为了提高系统的效率, I/O操作与 CPU 的数据处理操作是并行进行的。 (____)
33. PCI 总线的速度比串行 PCI 总线 PCI — E 的速度快。 (____)
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计算机一级等级考试 判断题 题库答案
计算机等级考试(一级)考试题库,包括判断题 填空题 选择题
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手机、数码相机、MP3等产品中一般都含有嵌入式计算机。 数码相机的工作原理与扫描仪基本类似。 数码相机内部A/D转换部件的作用是将所拍摄影像的像素由模拟量转换成数字量。 刷新速率指显示器所显示的图像每秒钟更新的次数。通常，刷新速率越高图像的稳定性 越好。 为了方便地更换和扩充I/O设备，计算机系统中的I/O设备一般都是通过I/O接口(I/O控 制器)与主机连接的。 显示卡主要是由显示控制电路、显示存储器和接口电路三个部分组成。 显示屏的尺寸是显示器的主要参数之一，目前常用的显示器有15英寸、17英寸、19英寸 等，CRT显示屏的水平与垂直方向之比一般为4:3。 芯片组是PC机各组成部分的枢纽，CPU类型不同，通常需要使用不同的芯片组。
对 对 对 对 对 对 对 对
硬盘盘片上各磁道长度不同，若每圈磁道的存储容量相同，那么内圈磁道的存储密度比 对 外圈磁道的存储密度高。 在Windows系统的工作状态下，因为错误操作造成的死机，通常可以按主机上的“RESET 对 ”键重新启动，不必关闭主机电源后再开机。 主板上所能安装的内存最大容量、速度及可使用的内存条类型通常由芯片组决定。 对 由于计算机网络的普及，许多计算机系统都设计成基于计算机网络的客户/服务器工作模 错-对 式。巨型机、大型机和小型机一般都作为系统的服务器使用，个人计算机则用作客户机 PC机的所有外设必须通过在扩展槽中插入扩充卡的形式才能与主机相连。 错 USB接口是一种高速的并行接口。 存储在任何存储器中的信息，断电后都不会丢失。 错 错
分辨率是扫描仪的主要性能指标，它反映了扫描仪扫描图像的清晰程度，用每厘米生成 错 的像素数目dpi来表示。 计算机在关机或断电时，ROM中的信息全部丢失 错 计算机中的声卡可控制并完成声音
的输入与输出，但它只能获取波形声音不能处理MIDI 错 声音。 计算机中总线的重要指标之一是带宽，它指的是总线中数据线的宽度，用二进位数目来 错 表示(如16位，32位总线)。 在以Pentium4为CPU的PC机中，CPU访问主存储器是通过PCI总线进行的。 错 只有多CPU的系统才能实现多任务处理 。 错
CD(Compact Disc)是小型光盘的英文缩写，最早应用于数字音响领域，其代表产品是VCD 错 。 CD-ROM光盘记录信息的原理与磁盘一样，只是读出方法不同。 错 CD-ROM光盘只能在CD-ROM驱动器中读出数据。 CD-RW光盘采用在盘上压制凹坑的办法来记录信息。 CD-RW光盘记录信息采用在盘上压制凹坑的办法来完成。 PC机的主存储器包含大量的存储单元，每个存储单元都可以存放8个Byte。 PC机有许多I/O接口，它们用于连接不同种类的I/O设备，一种I/O接口只能连接同一种设 备。 PC机中常用外围设备的I/O控制器都做成适配卡插在主板上的PCI总线插槽中。 RAM按工作原理的不同可分为DRAM和SRAM,DRAM的工作速度比SRAM的速度快。 错 错 错 错 错 错 错
USB接口的最高传输速率为480Mbps,而1394接口的最高传输速率为400MBps,所以前者 错 较快。 拨号上网使用的外置式Modem一般通过并行接口与电脑连接。 错
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> ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
　　和指的都是半导体存储器，是Read Only Memory的缩写，是Random Access Memory的缩写。本文引用地址：
　　在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
　　有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/)，速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
　　DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
　　内存工作原理：
　　内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的&动态&，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电;若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
　　也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
　　举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
　　利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
　　利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
　　以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。
　　PSRAM ，假静态随机存储器。具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6TSRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。
　　基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。
　　PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。
　　PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。
　　存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
　　Flash ROM
　　是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。
　　目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
　　NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的&闪盘&，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
　　NAND Flash和NOR Flash的比较
　　NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象&flash存储器&经常可以与相&NOR存储器&互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
　　NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。
　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
　　1、性能比较:
　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：
　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
　　(注：NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6s。)
　　2、接口差别:
　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
　　NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
　　NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
　　3、容量和成本:
　　NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
　　4、可靠性和耐用性:
　　采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
　　A) 寿命(耐用性)
　　在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
　　B) 位交换
　　所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。
　　如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
　　C) 坏块处理
　　NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
　　5、易于使用:
　　可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
　　由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
　　在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
　　6、软件支持:
　　当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
　　NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但现在被NAND FLASH挤的比较难受。它的优点是可 以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵。
　　NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH拥有更大存储容量，而且便宜。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。
　　在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行，挺麻烦的。
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　　一、ROM介绍
　　ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。 一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像（ROM image）写入只读内存（ROM）的过程。 常见的 ROM image 有 img、zip 等格式，前者通常用 fastboot 程序通过数据线刷入（线刷），后者通常用 recovery 模式从 sd刷入（卡刷），故 img 镜像也被称为线刷包，zip 镜像也被称为卡刷包。 国内的定制系统开发者，经常会陷入自己的产品究竟是应该称为 OS还是 UI的争论，为了避免此类争论和表示谦虚，会自称为 ROM。很多定制系统玩家也会统一将定制系统称为 ROM。
　　因为 Android 系统的开放性，所以大多情况下 ROM 都是指代 Android 系统的各种发行版。
　　一般分为两大类，一种是出自手机制造商官方的原版 ROM，特点是稳定，功能上随厂商定制而各有不同；
　　另一种是开发爱好者利用官方发布的源代码自主编译的原生ROM，特点是根据用户具体需求进行调整，使ROM更符合不同地区用户的使用习惯。
　　二、RAM介绍
　　随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作&随机存储器&，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
　　存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：Stac RAM，SRAM）和动态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM）。
　　RAM特点：
　　随机存取
　　所谓&随机存取&，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequenal Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。
　　易失性
　　当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。
　　对静电敏感
　　正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。
　　访问速度
　　现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。
　　需要刷新（再生）
　　现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1（二进制），未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。
　　RAM有两大类，一种称为静态RAM（Stac RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
　　三、FLASH简介
　　Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准，由Adobe公司收购。做Flash动画的人被称之为闪客。网页设计者使用 Flash 创作出既漂亮又可改变尺寸的导航界面以及其他奇特的效果。Flash的前身是Future Wave公司的Future Splash，是世界上第一个商用的二维矢量动画软件，用于设计和编辑Flash文档。
　　目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
　　NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
　　NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
　　一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的&闪盘&，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
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( 发表人：姚远香 )
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