pmos开启电压压4.5V左右 N沟 Vds：110V 知道是什么MOS管的请说一下

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-11-30 05:54 标签： 开启电压
MOS管开关状态工作在哪个区？为什么VGS&4V只是开启条件，要达到9V才能完全导通？_百度知道
MOS管开关状态工作在哪个区？为什么VGS&4V只是开启条件，要达到9V才能完全导通？
1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么？那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看，饱和区需要VDS有一定压降，但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0？2.VGS&4v只是大于开启电压，并没有让管子完全导通，要9V以上才能完全导通？VGS和饱和区有个P关系啊，从...
我有更好的答案
到一定程度，这个沟道的大小就不再随着电压变宽了（类似于水龙头，Ugs(th)就相当于刚刚有水，但增加到一定程度，此时MOS管相当于工作在放大状态，外部电压大量加在DS上，导致UDS会很大，你需要仔仔细细看一下模电书，夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。2、MOS管的导通是一个过程，Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压，注意这里的定语——刚刚形成导电沟道。随着Ugs加强，导电沟道还会逐步变宽1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），一般来说，MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。3、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换（最佳），但也可以是恒流区和夹断区之间切换（不过不推荐，水流的粗细就不再变了），好好温习一下Ugs(th)的定义。对于N-MOSFET来说，再加上电流
采纳率：76%
来自团队：
1，MOS管开关与否与VDS没有关系，开状态并不对应MOS管的饱和区。2，你的理解正确，VGS只要大于阈值电压就算导通。
首先 我们看你给的mos管
vds和 id的关系图
。饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc
我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。4v是开启电压
1条折叠回答
为您推荐：
其他类似问题
mos管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包在MOS管这一章出现的V（下标）DS是什么电压的符号？_百度知道
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。
在MOS管这一章出现的V（下标）DS是什么电压的符号？
我有更好的答案
mos管中，D表示漏极，S表示源极，Vds就代表漏源电压。
为您推荐：
其他类似问题
mos管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包MOS管的参数怎么读懂_百度知道
色情、暴力
我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。
MOS管的参数怎么读懂
一直很纠结的一个问题，就是在选MOS管作为开关管使用的时候，我们一般关注的参数有哪些，我个人觉得重要的一个参数是Vgs开启电压，但是我看几个管子的SPEC都没有看到有这个参数
我有更好的答案
不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS·在增加栅源电压过程中. 低频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几mA&#47：1.1～1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，RON的数值在几百欧以内7，一般在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对一般的MOS管而言：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中;V的范围内6. 导通电阻RON·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大。5。2MOS管主要参数如下. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧增的原因有下列两个方面，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS，其沟道长度较短；·通过工艺上的改进. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0（增强型）的条件下 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1～3pF·CDS约在0.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V
电子电气工程师
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
mos管的相关知识
换一换
回答问题，赢新手礼包扫二维码下载作业帮
拍照搜题，秒出答案，一键查看所有搜题记录
下载作业帮安装包
扫二维码下载作业帮
拍照搜题，秒出答案，一键查看所有搜题记录
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题
作业帮用户
扫二维码下载作业帮
拍照搜题，秒出答案，一键查看所有搜题记录
增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V 4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值.
为您推荐：
其他类似问题
扫描下载二维码N沟道耗尽型MOS管
查看: 3851|
摘要: 1、结构和符号 vGS ↓→导电沟道 ↓vGS≤ VP →沟道夹断
2、特性曲线 (1)输出特性 iD=f (vGS)½vDS=常数
(2)转移特性 iD=f (vGS)½vDS=常数
1、结构和符号
vGS ↓→导电沟道 ↓vGS≤ VP& →沟道夹断
2、特性曲线
(1)输出特性& iD=f (vGS)½vDS=常数
(2)转移特性&&&&&& iD=f (vGS)½vDS=常数
增强型MOS管特性曲线小结
耗尽型MOS管特性曲线小结
双极型与场效应三极管的比较
&&&&&&&&&&&&&&& &双极型三极管&&&&& &&&&&&&&&&&&&场效应三极管
& 结构 &&&&&&&&&&&&&&&&NPN型&&&&&&&&&&&&& &&&&&结型&&&& N沟道 P沟道&&&&&
&& 与&&&& &&&&&&&&&&&&&& PNP型&&&&&&&&&& 绝缘栅& 增强型&& N沟道 P沟道
& 分类&&&&&&&&&&&&& C与E一般不可&&&&& 绝缘栅& 耗尽型& &N沟道 P沟道
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 倒置使用&&&&&&&&&&&&& D与S有的型号可倒置使用
&载流子&&&&&&& 多子扩散少子漂移&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 多子漂移
&输入量&&&&&&&&&&&& 电流输入&&&& &&&&&&&&&&&&&&&&&&电压输入
& 控制&&&&&&&&&&&& 电流控制电流源&&&&&&&&&&&&&&&&& 电压控制电流源
& 噪声&&&&&&&&&&&&&& 较大&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 较小
温度特性&&&&&& 受温度影响较大&&&&&&&&&&& 较小，且有零温度系数点
输入电阻&&&&&&& 几十到几千欧姆&&&&&&&&&&&&&&&&&& 几兆欧姆以上
静电影响&&&&&&& 不受静电影响&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 易受静电影响
集成工艺&&&&&& 不易大规模集成&&&&&&&&&& 适宜大规模和超大规模集成
使用MOSFET中注意事项
结构上漏极和源极可以互换，前提是衬底有引线引出。
原理上MOSFET是绝缘栅输入结构，没有电荷的泄放通道，极易造成静电击穿。存取时尤须注意，不使用时须将各电极短路。
MOSFET在焊接时，静电击穿的危险更大。所以无论器件内部是否有静电保护，均须接地良好焊接或断电后余热焊接。
结型场效应管的栅源电压不能接反。
上一篇：下一篇：
Powered by &
这里是—这里可以学习 —这里是。
栏目导航：

我要回帖

更多关于 开启电压 的文章

 

随机推荐