单晶硅变送器系列
单晶硅变送器系列
名称: A 到 Z
名称: Z 到 A
稳定可靠，长期漂移新能最优为±0.1%/年，极宽的测量范围100Pa～60MPa，最高100:1 的可调节量程比。
稳定可靠，长期漂移新能最优为±0.1%/年，极宽的测量范围100Pa～60MPa，最高100:1 的可调节量程比。
微量程表压/绝压变送器采用全球领先的抗高过载保护芯片，6kPa 量程单向过压保护压力达300kPa，40kPa 量程单向过压保护压力达1MPa，即最大能力达满量程的50 倍，稳定可靠，长期漂移新能最优为±0.1%/年，极宽的测量范围100Pa～60MPa，最高100:1 的可调节量程比。
全不锈钢316L 硅油充灌焊接密封结构，传感器内部集成高灵敏度温度传感器，变送器温度性能极佳，静压性能极佳， 静压误差最优≤ ±0.1%/10MPa。
微量程表压/绝压变送器采用全球领先的抗高过载保护芯片，6kPa 量程单向过压保护压力达300kPa，40kPa 量程单向过压保护压力达1MPa，即最大能力达满量程的50 倍，稳定可靠，长期漂移新能最优为±0.1%/年，极宽的测量范围100Pa～60MPa，最高100:1 的可调节量程比。
微量程表压/绝压变送器采用全球领先的抗高过载保护芯片，6kPa 量程单向过压保护压力达300kPa，40kPa 量程单向过压保护压力达1MPa，即最大能力达满量程的50 倍，稳定可靠，长期漂移新能最优为±0.1%/年，极宽的测量范围100Pa～60MPa，最高100:1 的可调节量程比。电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别_百度百科
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电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别
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电容式变送器有一个可变电容的传感组件，称为“δ&室。该传感器是一个完全封闭的组件。过程压力、差压通过隔离膜片和灌充液硅油传到传感膜片引起位移，传感膜片和两电容极板之间的电容差由电子部件转换成(4～20)mA的两线制输出的电信号。电子放大电路由解调器、振荡器、振荡控制放大器、电流检测器、电流控制放大器、电流限制控制器、基准电压、稳压器等组成。通过它们对电容信号进行检测，从而控制振荡频率，再将其转换为电流输出。% b) z* _2 Y
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电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别电容变送器性能
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别优点：
1.可做到极低压力
2.抗过载能力强
3.精度高) H, r! V( F% }+ H
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别缺点：
高压测量缺乏优势
传感器封装工艺要求高
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别扩散硅压力变送器概述
工作原理 & V2 D @7 ~# E6 X; h1 B J. F　　仪表通过温度传感器把温度信号变为电信号，再由前置放大器把此电信号放大滤波，送往CPU的A/D 转换模块进行模拟量到数字量的变换。最后由CPU进行数据处理并显示及PWM输出。
被侧介质---〉传感器---〉电子线路---〉输出信号 8 P$ M9 G, u: C/ q　　被测介质的压力直接作用于传感器的陶瓷/扩散硅膜片/上，使膜片产生与介质压力成正比的微小位移，正常工作状态下，膜片最大位移不大于0.025毫米，电子线路检测这一位移量后，即把这一位移量转换成对应于这一压力的标准工业测量信号。超压时膜片直接贴到坚固的陶瓷基体/扩散硅上，由于膜片与基体的间隙只有0.1毫米，因此过压时膜片的最大位移只能是0.1毫米，所以从结构上保证了膜片不会产生过大变形，该传感器具有很好的稳定性和高可靠性。
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别扩散硅压力变送器的主要特点
　　- i! _& }, [. S7 @4 s* e3 T k　1、稳定性高-每年优于0.1%满量程。 ! X1 P7 ]& _% ?! ?　　2、温度偏移小-由于取消了测量元件中的中介液，因而传感器不仅获得了很高的测量精度.6 @3 s) Q& a+ w5 Y0 S　　3、可靠性好-采用大规模IC，电路可靠性好，抗干扰性能强。 　　/ t* x* T3 b4 _9 I- p1 h# p　4、适用性广-产品具有多种型号，多种过程连接形式，可适应工业测量中的各种介质。 6 O5 E8 k: Q1 M+ X3 _　　5、安装维护简便产品结构合理，体积小,重量轻，可直接任意位置安装。* x0 O7 V8 S3 }# ~2 g7 @7 F
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别缺点是：
低于0℃后，温度稳定性大幅度降低
不能承受动态压力
膜片较易损伤
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别扩散硅压力变送器
　　　　20世纪90年代中期，美国Icscnsor，公司,Nova公司应用硅品石和硅品片益合两项尖端科技生产了新型扩散硅压力传感器并开发出具有精度高、重复性小、抗腐蚀的扩散硅压力变送器
过程压力通过隔离膜片、密封硅油传输到扩散硅膜片上，同时参考端的压力（大气压）作用于膜片的另一端。这样膜片两边的压差产生一个压力场，使膜片的一部分压缩。另一部分拉伸，在压缩区和拉伸区分别有两个应变电阻片，以感受压力引起的阻值的变化，从而将压力信号转换为电信号.扩散硅在低温零度以下、高温85℃以上难以正常使用，也不适用于20MPa以上的高压。
电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别电容薄膜式压力变送器
电容薄膜式绝对压力变送器自20世纪80年代诞生至今己有20多年历史，由于它精度高，耐腐蚀，耐污染，稳定性好，是冈内外公认的检渊低真空压力的理想仪表。美国的M.K.S公司是全球生产电容式压力变送器的主要生产厂家，涉及民用工业的各个领域，并在航天工业、核工业等军事工业中发挥着独特的作用。这种压力变送器是利用弹性薄膜在压差作用下产生压变引起电容变换的原理制成的，它由检测部分和转换电路组成，如图7一34所示.检测部分有真空腔和检测腔两个腔体。真空腔为全密封结构，经质谱检漏仪检漏合格后，通过长时间排气，最后将排气管密封而形成，井备有消气剂以消除残余气体，长期保持高真空.固定极板位于真空腔中，由极板引出线引至腔外.检测膜片置于高真空的真空腔及连接低真空待测系统的检测腔之间，检测膜片为可动极板，其与固定极板形成一个平板电容器，有一定的电容（J.。被测的低真空压力通过检测孔进人检测腔，检测膜片产生挠曲，改变了其与固定极板的距离，电容值也随之改变。不同的低真空压力值决定不同的电容值。最后电容信号被输送到电路转换部分，电路转换部分将电容信号通过变换、整理、放大等环节，输出一个标准电压或电流信号，它与真空压力成正比。该类型压力变送器为高灵敏度差压测量，零点稳定。动态响应特性好，适应性强，一般适用于静压力的测最.电容式压力变送器和扩散硅压力变送器的区别是什么？_百度知道
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电容式压力变送器和扩散硅压力变送器的区别是什么？
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扩散硅压力变送器的敏感元件是扩散型硅压阻芯片，当压力改变时，敏感元件的电容容量发生变化，压力改变时电容式压力变送器的传感器也就是敏感元件是电容
采纳率：48%
由于膜片与基体的间隙只有0、差压通过隔离膜片和灌充液硅油传到传感膜片引起位移，传感膜片和两电容极板之间的电容差由电子部件转换成(4～20)mA的两线制输出的电信号，送往CPU的A&#47。超压时膜片直接贴到坚固的陶瓷基体/扩散硅上。该传感器是一个完全封闭的组件。过程压力、稳压器等组成。通过它们对电容信号进行检测，从而控制振荡频率;D 转换模块进行模拟量到数字量的变换。最后由CPU进行数据处理并显示及PWM输出。原理框图如下，再将其转换为电流输出。电容变送器优点：1.可做到极低压力 2.抗过载能力强
3.精度高缺点：1.高压测量缺乏优势
2.传感器封装工艺要求高扩散硅压力变送器通过温度传感器把温度信号变为电信号，再由前置放大器把此电信号放大滤波： 　　被侧介质---〉传感器---〉电子线路---〉输出信号 被测介质的压力直接作用于传感器的陶瓷&#47。缺点是，电路可靠性好，抗干扰性能强，使膜片产生与介质压力成正比的微小位移，正常工作状态下，膜片最大位移不大于0、温度偏移小-由于取消了测量元件中的中介液，因而传感器不仅获得了很高的测量精度.3、可靠性好-采用大规模IC;扩散硅膜片&#47.1毫米，可直接任意位置安装。4;上.不能承受动态压力
3.025毫米，电子线路检测这一位移量后，即把这一位移量转换成对应于这一压力的标准工业测量信号，体积小、适用性广-产品具有多种型号，因此过压时膜片的最大位移只能是0.1毫米，所以从结构上保证了膜片不会产生过大变形，该传感器具有很好的稳定性和高可靠性。扩散硅压力变送器的主要特点1，多种过程连接形式，可适应工业测量中的各种介质。5、安装维护简便产品结构合理、稳定性高-每年优于0.1%满量程。 2,重量轻;室. 低于0℃后，温度稳定性大幅度降低
2电容式变送器有一个可变电容的传感组件。电子放大电路由解调器、振荡器、振荡控制放大器、电流检测器、电流控制放大器、电流限制控制器、基准电压：1，称为“δ&quot
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扩散硅压力变送器 2088
扩散硅经济型压力变送器是昌晖仪表制造公司压力变送器系列中的经济型产品，产品高可靠性、长期稳定性和易于维护的设计。结构安全、可靠、耐用。
2088经济型变送器特点
1、绝压和表压测量范围-0.1至40MPa
2、0.20%参考精度（包括线性、迟滞性和重复性）、高可靠性、高稳定性
3、零点和量程可调；激光调阻温度补偿
4、可选的液晶表头(刻度可调)
5、小巧,质轻,易于安装和运输
6、稳定，可靠，易于维护，抗射频干扰
7、无安装位置影响
主要技术指标
1、变送器应用场合 & & &适用于对316L膜片无腐蚀性液体、气体压力和液位测量
2、安装螺纹&&&&&&&&&&&&&&&&M20×1.5（标准出厂配置）和 1/2NPT阳螺纹可选
3、过程密封 & & & & & &&&& 产品的设计保证即使传感器膜片损坏或故障时，变送器仍能安全地工作。电子线路侧（室）有两级密封与
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 过程隔离，第三级密封实现了与现场接线端子和导线管入口相隔离。过程密封的设计及其位置使变送器壳
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 体耐压，并防止过程杂质由接线端子侧通过导线管进入。
4、双室结构外壳&&&&&&&&&产品为双室外壳设计。双室外壳令电子线路与外部环境相隔离，可防止由于环境潮湿或导线管冷凝损坏变
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 送器。一般不要求导线管密封。另外，即使在传感器膜头完全损坏时，双室结构也可以保证接线端子及导
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 线管与过程相隔离。
5、压力传感器膜片 & & &隔离膜片将压力传给硅压阻式压力传感器，传感器内充有硅油。对于表压变送器，传感器的参考压力为大
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 气压；对于绝压变送器，传感器的参考压力是一个密封的真空参考源；过程压力加在传感器的传感膜片上，
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 使膜片产生一个微小变形，这会给予传感器内的惠斯登电桥施加一个应力，使惠斯登电桥产生应变电阻变
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&化，电阻变化被测量,并转换为一个4-20mA直流电流变化被输出。
6、电子线路板模块 & & &电子线路采用ASIC（专用集成电路）和表面封装技术。电子板接收传感器膜头的经温度补偿的电阻变化信
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& 号后，对信号进行修正和线性化，输出一个直流电流信号。
7、参考精度 & & & & & &&&& ±0.5%校验量程,包括线性,迟滞性和重复性影响&
8、环境温度影响&&&&&&&&&在-40～85℃范围内总体影响：±(0.3%URL+0.3%校验量程）/56℃
9、量程范围 & & & & & &&&& -0.1至40MPa
10、过压极限&&&&&&&&&&&&&&2倍FS(＜3.5MPa)；2.5倍FS(≥3.5MPa)
11、过程温度极限 & & && 硅油传感器：-40至120℃
12、电气接口 & & & & &&&&& M20×1.5&
13、过程接液件&&&&&&&&&&&隔离膜片: 316L不锈钢；过程接头: 316不锈钢
14、电子外壳 & & & & &&&& 低铜合金铝，符合NEMA4X
15、标牌 & & & & & & &&&&&&& 变送器将按OEM用户要求免费打不锈钢标牌。
扩散硅压力变送器同压力表的安装一致，使用截止阀和引压管，无须安装支架。安装时应尽量将变送器安装在温度变化小、冲击和震动小的场所才能获得最佳性能。
& & & & & & & & & & & &&
2088使用须知
1、扩散硅压力变送器外形变送器使用在对硅和不锈钢无蚀害的介质中。
2、请按扩散硅变送器接线方法正确接线。若电源反接，变送器将无信号输出（内部采用了保护措施）。扩散硅变送器接通电源即可工作，但预热30分钟后的输出信号较稳定可靠。
3、将屏蔽线与测控仪表屏蔽线（或大地）相连接，有利于提高扩散硅变送器抗干扰能力。
4、严禁将尖而硬的东西伸入压力输入孔，以免损坏变送器膜片。
2088变送器选型表
&YR801①②③④⑤⑥⑦
&变送器类型
&扩散硅压力变送器
&0～100Pa～1kPa
&0～1kPa～10kPa
&0～10kPa～35kPa
&0～35kPa～100kPa
&0～100kPa～350kPa
&0～200kPa～700kPa
&0～500kPa～2.1MPa
&0～1MPa～2.1MPa
&0～3MPa～7MPa
&0～15MPa～35MPa
&0～25MPa～60MPa
&绝压0～25kPa～3500kPa
&绝压变送器专用选型代码
&二线制4-20mA模拟信号输出
&二线制4-20mA+HART模拟信号输出
&M20×1.5外螺纹
&1/2NPT外螺纹
&其他规格，按照用户需要生产
&标准出厂配置
&标准出厂配置
&0-100%指针刻度显示
&0-100%液晶数字显示
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