用微霍尔阵列磁场相机法测磁场的实验装置能否测量微霍尔阵列磁场相机元件的灵敏度?如何进行测量?

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霍尔效应测量磁场实验报告
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如何测定霍尔灵敏度?它和哪些因素有关?为提高霍尔原件的灵敏度你将采用什么方法?
丶咢益达灬
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霍尔的灵敏度指单位电压或者单位电流在单位磁场下(比如1T或者1mT)产生的霍尔电压,这个霍尔电压一般很小(最多mV级别).霍尔灵敏度主要与制成霍尔元件(或者芯片)的材料有关,一般来讲,材料的迁移率越高,则灵敏度越高.另外,霍尔灵敏度也与所加的电压或者电流偏置有关.霍尔元件(一般由锑化铟制成)的灵敏度比较好测量,相同的电压和磁场条件下,输出电压高的则灵敏度高.霍尔集成电路(IC)的灵敏度的测量要分两种:(1) 对于开关型,测量可以使hall IC打开(一般输出由高变低)的磁场强度,使hall打开的磁场越弱则灵敏度越高.(2)对于线性hall,则需要给芯片一个磁场变量(比如磁场变化100GS)看输出电压变化值的大小,电压变化的则灵敏度高.对于怎样提高灵敏度,在hall材料已经确定的情况下只能靠外加放大器等电子电路来变相的实现.
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