第一原理分子动力学模拟,First principle molecular dynamics simulation,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典
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1)&&First principle molecular dynamics simulation
第一原理分子动力学模拟
2)&&first principle molecular dynamics
第一原理分子动力学
A first principle molecular dynamics with density functional theory and ultra-soft pseudopotential has been performed on the bismuth nanotubes.
运用第一原理分子动力学方法系统研究了铋纳米管的稳定性和电子性质 。
3)&&all atom molecular dynamics simulation
全原子分子动力学模拟
We performed all atom molecular dynamics simulation to study of the aggregate behavior of surfactants at the gaseous-liquid and liquid-liquid interface and discussed the dynamic properties of these systems from microscopic scale, and obtained some creative results.
本文的主要内容是用全原子分子动力学模拟的方法,研究了表面活性剂在气/液和液/液界面体系的聚集行为,从微观尺度上探讨了这些体系的动力学性质,获得了一些创新性的结果。
4)&&first principle simulation
第一原理模拟
5)&&molecular dynamics simulation
分子动力学模拟
Flexible docking by molecular dynamics simulation;
分子动力学模拟的柔性对接(英文)
Structure characters of non-crystalline SrTiO_3 by molecular dynamics simulation;
非晶态SrTiO_3结构特征的分子动力学模拟
Study on the thermodynamic properties of Cu_N nanoclusters by molecular dynamics simulation;
铜原子纳米团簇热力学性质的分子动力学模拟研究
6)&&Molecular dynamics
分子动力学模拟
Investigation of short-range order in metallic melts Co and Fe by ab initi
钴和铁熔体短程序的分子动力学模拟研究(英文)
The Experiment Measurement and Molecular Dynamics Simulation of Diffusion Coefficients in Supercritical CO_2;
超临界CO_2体系扩散系数的实验研究和分子动力学模拟
Molecular Dynamics Simulation of Diffuse Properties in Supercritical Fluid & Extraction of Active Components from Antler V
超临界流体扩散性质的分子动力学模拟和鹿茸中活性成分的萃取
补充资料：分子反应动力学
&&&&　　化学动力学的一个分支，是研究化学反应基元过程分子机理的学科。它用理论物理的方法计算处于某一量子态的分子进行单次碰撞并发生化学反应的几率（或截面）和产物分子的量子态、空间分布及反应速率常数等。这些研究提供了如何控制和利用化学反应的理论依据。例如，为了使吸能反应I+HCl─→HI+Cl能够发生，增加 HCl的振动能比增加其平动能更为有效。它的逆反应　　　　 Cl+HI─→HCl+I是一个放能反应,分子反应动力学能够提供产物分子HCl振动态"布居反转"的信息，从而为寻找化学激光工作物质提供了依据。它还能提供反应体系"碰撞对"真实碰撞过程的信息──"碰撞对"是直接反应还是经过一个络合物的反应。　　　　理论计算方法
20世纪30年代，以美国物理化学家H.艾林为代表的学派，用海特勒－伦敦计算H2的方法建立了H+H2反应体系的第一个势能面，借助统计力学方法计算了在该势能面上的热平衡反应速率常数，称为绝对反应速率理论或过渡态理论。　　　　分子反应动力学的理论计算方法分为三部分：①化学反应体系势能面的量子化学计算；②反应截面（或几率）的计算;③由反应截面计算反应速率常数。因此,也可以说分子反应动力学是研究反应体系在热能面上运动过程的学科。在确定的势能面上求解核的运动方程，既可以用经典力学方法，也可以用量子力学方法。　　　　理论
严格的理论是量子力学散射理论。分子反应过程的全部信息包含在波函数中，在给定能量下，求解满足一定渐近条件的薛定谔方程得到波函数，借助入射波和出射波的几率流密度守恒的关系，就可以得到反应截面（或几率）。　　　　以A+BC─→AB+C双分子共线交换反应为例 (共线反应是指反应体系的三个原子沿直线相互接近的反应),该反应体系的坐标系见图1。　　　　　　在非相对论近似下，反应体系的哈密顿算符H 写作：　　　　　式中μA,BC和μBC分别为A和BC,B和C之间相对运动的约化质量；mA、mB、mC分别为原子A、B、C的质量;h为普朗克常数；Vα和Vγ为有效势函数。　　　　核运动的薛定谔方程为：　　　　Hψ＝Eψ
(3)　　渐近条件为：　　　　式中α为反应体系的初始排布,即A+BC；nα或n为BC的内量子数,nα为始态,n为反射态;γ表示终态排布,即C+AB；n为AB分子的内量子数,每一种排布和分子的一组内量子数（如α，nα）称为反应体系的一个通道；kα或kγ为原子与双原子分子相对运动的波数；为双原子分子的内态波函数；称为散射幅。能量守恒条件要求：　　 (5)　　式中啚＝h/2π;E 为能量。由入射波和出射波几率流密度守恒的条件,就可以得到由通道(α,nα)到通道(λ,nλ)的反应几率为：　　　　　式中v为(λ,nλ)通道中反应体系的相对运动速度。　　　　H+H2(n)─→H2+H共线交换反应几率的数值计算结果见图2。　　　　　　对于实际的三维化学反应，用上面的方法可以得到反应截面随碰撞能变化的关系。用量子散射理论求反应截面（或几率）的关键是求散射幅,一般是在自然反应坐标中用数值求解耦合微分方程。这是一项十分复杂的计算工作。　　　　当反应体系的质量较大，德布罗意波长很短时，用经典轨迹法或者用准经典轨迹法，即对反应物初态分布和产物终态分布作量子校正的经典轨迹法研究反应体系沿势能面的运动，往往也能得到比较满意的定性或半定量的结果。　　　　展望
由于分子反应动力学的深入发展，对分子反应散射的研究引起了人们极大的兴趣。一方面，分子化学反应的实验研究为化学反应机理的研究提供了详细的信息；另一方面，对反应散射的理论计算，既可以同实验结果互相对比，又可以给予实验结果以清楚的物理解释。例如，对F+H2反应体系的实验和理论研究，发现了产物分子振动态"布居反转"现象，导致了化学激光器的产生，从而推动了态-态反应速率的研究,使分子化学反应动力学发展到态-态分子反应动力学的新阶段。　　　　参考书目　　　R. D.
Levine and
R. B. Bernstein,Molecular Reaction Dynamics,Oxford Univ.Press,Oxford,1974.　　
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。第一性原理分子动力学
1985年，Car和Parrinello在传统的分子动力学中引入了电子的虚拟动力学，把电子和核的自由度作统一的考虑，首次把密度泛函理论与分子动力学有机地结合起来，提出了从头计算分子动力学方法(简称CP方法)，使基于局域密度泛函理论的第一原理计算直接用于统计力学模拟成为可能，极大地扩展了计算机模拟实验的广度和深度。近年来，这一方法已成为计算机模拟实验的最先进和最重要的方法之一，每年有几百篇(上百篇)有关从头计算分子动力学方法的文章被SCI收录。
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【求助】第一原理分子动力学都能计算什么性质呢？
一直存在个疑问，CASTEP、ABINIT、和PWSCF中的CPMD模块都能进行MD计算，一直想知道这种第一原理分子动力学计算能否得到晶体在不同温度下的电子态密度、介电常数、磁化强度等数据呢？也就是能不能计算出介电常数的温谱、磁化强度温度曲线，以及不同温度下的DOS和PDOS呢？谢谢！
那可否通过MD方法先计算出体系在给定温度T下的平衡态几何构型，然后利用DFT计算MD优化好的体系的介电常数作为该温度T下的介电常数呢？
很多人是这么做的。
您好，再请问一下，那文章中的自由能-温度关系以及热容温度关系是用什么模块获得的呢？输入的in文件是否有例子可以参照呢？谢谢您！
有声子谱按准谐近似算出来加上冷能就行了。
新的pwscf版本里面有QHA模块，可以处理这些性质。你可以看一下。
那新版QHA使用说明（输入文件例子）在哪可以找到呢？在user—guide中没找到QHA的说明呀
您好，那这样计算可得到介电常数随频率变化的曲线，对于频率趋近于0的直流电导，是取频率最小值对应的介电函数值计算电导率吗
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Si纳米结构的第一性原理研究
姓名：陈爱华
申请学位级别：硕士专业：材料学
指导教师：于金
Ｓｉ纳米结构的第一性原理研究
研究生姓名：陈爱华
导师姓名：于金教授
学校名称：东南大学
摘要硅纳米管同时兼备硅纳米线以及碳纳米管的性能，避免了碳纳米管易氧化的缺点，在纳米电子器件领域有着广泛的应用前景。由于硅纳米管的稳定性偏低，在实验上仅少数研究者制备出了硅纳米管。为了更进一步弄清硅纳米管的结构和物理特性，本文基于密度泛函理论的第一性原理，建立一维无限长石墨层状硅纳米管结构模型，对其稳定性、电子陛质以及弹性性能进行了探讨。单壁硅纳米管的稳定性随着管径的增加趋于稳定；当原子个数相同时，扶手椅型硅纳米管比锯齿型硅纳米管稳定；管径相同时，扶手椅型硅纳米管与锯齿型硅纳米管的稳定性相当。扶手椅型硅纳米管均呈现金属性质。ｎ＝１０，ｌｌ的锯齿型硅纳米管表现为半导体性质，其他低于ｎ＝ｉ０的则表现为金属性质。硅纳米管的弹性性能低于碳纳米管以及碳化硅纳米管。
多层硅石墨层在结构优化后，石墨层出现凹凸，层间距减小，形成相似于晶体硅的（１１１）面层状结构，表明硅石墨层间以成键方式结合。双壁和多壁硅纳米管模型的单点能计算表明，其管间距在２．１埃到３．２埃之间时，管间结合能较大，有利于纳米管的稳定，这一结果与报导的多壁硅纳米管管间距实测值基本吻合。双壁扶手椅型硅纳米管垂直管轴方向的平面内原子分布不均匀，在结构优化之后，管间较强的成键作用使能量降低的同时也使圆周结构出现较大变形：而双壁锯齿型硅纳米管垂直于管轴方向的平面内原子分布较均匀，在结构优化之后趋于保持较好的圆周结构。多壁硅纳米管均呈现金属性质。
对半导体性质的锯齿型硅纳米管进行掺杂，在单胞纳米管管壁处掺杂一个杂质原子，Ｐ、ＡＩ原子掺杂使得半导体性质纳米管呈现金属性质，而ｃ、Ｇｅ掺杂纳米管的半导体性质保持不变。在管壁掺入多个ｃ原子，特定的掺杂位置以及掺杂原子个数会使纳米管从半导体性质转变为金属性质。关键词：硅纳米管；第一性原理；稳定性：电子性质；弹性性能
Ａｂｓｔｒａｃｔ
ＴｈｅＦｉｒｓｔＰｒｉｎｃｉｐｌｅＳｔｕｄｙｏｆＳｉＮａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ
ＢｙＣｈｅｎＡｉ－ｈｕａ
ＳｕｐｅｒｖｉｓｅｄｂｙＰｒｏｆ．ＹｕＪｉｎ
ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ
Ａｂｓｔｒａｃｔ
ＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓｐｏｓｓｅｓｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｂｏｔｈＳｌｎａｎｏｗｌｒｅｓａｎｄＣｎａｎｏｔｕｂｅｓａｎｄｃａｎａｖｏｉｄｔｈｅｄｅｆｅｃｔｏｆ
ｎａｎｏＣｎａｎｏｔｕｂｅｓｐｒｏｎｅｔｏｂｅｏｘｉｄｉｚｅｄ．Ｔｈｅｙａｒｅｅｘｐｅｃｔｅｄｔｏｈａｖｅｇｒｅａｔａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｐｏｔｅｎｔｉａｌｉｎｆｕｔｕｒｅ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ．ＴｈｅｒｅａｒｅｆｅｗｒｅｐｏｒｔｓａｂｏｕｔｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｓｔｕｄｙｏｆＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｒｐｏｏｒｓｔａｂｉｌｉｔｙ．Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｐｒｏｖｉｄｅｆｕｒｔｈｅｒｉｎｓｉｇｈｔｉｎｔｏｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄｐｈｙｓｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，ｉｎｔｈｉｓｔｈｅｓｉｓ，ｗｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｔｈｅｓｔａｂｉｌｉｔｙ，ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓａｎｄｅｌａｓｔｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｏｎｅ?ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｉｎｆｉｎｉｔｅｇｒａｐｈｉｔｅ—ｌｉｋｅＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓｕｓｉｎｇｔｈｅｆｉｒｓｔ—ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｍｅｔｈｏｄｂａｓｅｄｏｎｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃｔｉｏｎｔｈｅｏｒｙ．
ｏｎＴｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｔａｂｉｌｉｔｙｏｆｓｉｎｇｌｅ?ｗａｌｌＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓｉｓｄｅｐｅｎｄｅｎｔｗｅｌｌｔｈｅｉｒｄｉａｍｅｔｅｒ．Ｗｈｅｎｔｈｅ
ｄｉａｍｅｔｅｒｉｎｃｒｅａｓｅｓ，ｔｈｅｎａｎｏｔｕｂｅｓｂｅｃｏｍｅｍｏｒｅｓｔａｂｌｅ．ＡｒｍｃｈａｉｒｎａｎｏｔｕｂｅｓａｒｅｍｏｒｅｓｔａｂｌｅｔｈａｎｚｉｇｚａｇｏｎｅｓｗｈｅｎｔｈｅｙｈａｖｅｔｈｅｓａｍｅａｍｏｕｎｔｏｆＳｉａｔｏｍｓ．ＡｌｌａｒｍｃｈａｉｒＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓ
ｎａｒｅｍｅｔａｌｌｉｃ．Ｔｈｅｚｉｇｚａｇｎａｎｏｔｕｂｅｔｈａｔｉｓ１０ｏｒ１ｌｉｓｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ｗｈｉｌｅｏｎｅｓｔｈａｔｎｉｓｌｏｗｅｒｔｈａｎ１０ａｒｅｍｅｔａｌｌｉｃ．Ｔｈｅｅｌａｓｔｉｃ
ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓａｒｅｐｏｏｒｔｈａｎｔｈａｔｏｆＣｎａｎｏｔｕｂｅｓａｎｄＳｉＣｎａｎｏｔｕｂｅｓ．
Ａｆｔｅｒｇｅｏｍｅｔｒｙｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ，ｔｈｅｇｒａｐｈｉｔｅ—ｌｉｋｅＳｉｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ，ｗｉｔｈｄｅｃｒｅａｓｉｎｇｓｐａｃｅｄｉｓｔａｎｃｅ，ｂｅｃｏｍｅｒｕｇｇｅｄｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｔｈａｔａｒｅｓｉｍｉｌａｒｔｏｔｈｅｌａｙｅｒｅｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＳｉ（１１１）ｓｕｒｆａｃｅ．Ｔｈｉｓｇｅｏｍｅｔｒｙｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ
ａｓｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｔｗｏｇｒａｐｈｉｔｅ—ｌｉｋｅＳｉｌａｙｅｒｓｈａｖｅｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｏｆｃｏｖａｌｅｎｃｅｂｏｎｄｉｎｇ
ｉｎｃｒｙｓｔａｌＳｉ．Ｔｈｅｓｉｎｇｌｅｐｏｉｎｔｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓｒｅｖｅａｌｔｈａｔｗｈｅｎｔｈｅｓｐａｃｅｄｉｓｔａｎｃｅｂｅｔｗｅｅｎｗａｌｌｓｉｓｆｒｏｍ２．１ｔｏ３．２ａｎｇｓｔｒｏｍｓｆｏｒｄｏｕｂｌｅ—ｗａｌｌａｒｍｃｈａｉｒｏｒｚｉｇｚａｇＳｉｔｕｂｅｓ，ｔｈｅｐａｒｔｉａｌｖａｌｅｎｃｅｂｏｎｄｓｍａｙｅｘｉｓｔｂｅｔｗｅｅｎｔｕｂｅｓ，ｍａｋｉｎｇｔｈｅｂｉｎｄｉｎｇｅｎｅｒｇｙｏｆｔｕｂｅｌａｙｅｒｓｇｒｅａｔｅｒａｎｄｔｈｅｔｕｂｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｍｏｒｅｓｔａｂｌｅ．ＴｈｉｓｒｅｓｕｌｔｉｓｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔｏｆｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｐｏｒｔａｂｏｕｔｔｈｅｌａｙｅｒｄｉｓｔａｎｃｅｏｆｍｕｌｔｉｐｗａｌｌＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓｉｎｔｈｅｌｉｔｅｒａｔｕｒｅ．Ｆｏｒｄｏｕｂｌｅ－ｗａｌｌａｒｍｃｈａｉｒＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ｔｈｅｓｈａｐｅｏｆｔｕｂｅｓｄｉｓｔｏｒｔｅａｓｉｌｙ
ａｒｅｉｎｔｈｅｐｌａｎｅｖｅｒｔｉｃａｌｔｏｔｈｅｎａｎｏｔｕｂｅａｘｉｓａｆｔｅｒｇｅｏｍｅｔｒｙｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ，ｂｅｃａｕｓｅＳｉａｔｏｍｓ
Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｉｎｔｈｉｓｓｉｔｕａｔｉｏｎ，ｉｔｉｓｌｉｋｅｌｙｅａｓｉｅｒｔｏ
ｔｈｅｔｏｔａｌｅｎｅｒｇｙｍｏｒｅ．Ｆｏｒｄｏｕｂｌｅｏｒｎｏｔｕｎｉｆｏｒｍｌｙｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｉｎｔｈｉｓｐｌａｎｅ．ｆｏｒｍｖａｌｅｎｃｅｂｏｎｄｓｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｔｕｂｅｓ，ｌｅａｄｉｎｇｔｏｄｅｃｒｅａｓｅａｒｅｍｕｌｔｉｗａｌｌｚｉｇｚａｇＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓ，Ｓｉａｔｏｍｓｗｅｌｌ－ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｏｎｔｈｅｐｌａｎｅｖｅｒｔｉｃａｌｔｏｔｈｅｎａｎｏｔｕｂｅａｘｉｓ，ＳＯｔｈｅｒｏｕｎｄｓｈａｐｅｏｆｔｈｅｔｕｂｅｓｋｅｅｐｓｗｅｌｌａｆｔｅｒｇｅｏｍｅｔｒｙｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ．ＡｎｔｈｅｍｕｌｔｉｗａｌｌＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓａｒｅｍｅｔａｌｌｉｃ．
ａＷｈｅｎｄｏｐｉｎｇａａｔｏｍｔｏｔｈｅｗａｌｌｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｚｉｇｚａｇＳｉｎａｎｏｔｕｂｅｓｉｎ
ｏｒｕｎｉｔｃｅｌｌ，ＰｏｒＡｌａｔｏｍｍａｋｅｓｔｈｅｄｏｐｅｄｎａｎｏｔｕｂｅｓｍｅｔａｌｌｉｃ，ｗｈｉｌｅＣＧｅｋｅｅｐｓｔｈｅｄｏｐｅｄｎａｎｏｔｕｂｅｓｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ．Ａｄｄｉｎｇ
ｍｕｌｔｉｐｌｅＣａｔｏｍｓｔｏｔｈｅｗａｌｌｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｎａｎｏｔｕｂｅ，ｔｈｅｓｐｅｃｉｆｉｃｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｎｕｍｂｅｒｏｆＣａｔｏｍｓｃａｎｍａｋｅｔｈｅｎａｎｏｔｕｂｅｓｃｈａｎｇｅｆｒｏｍｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｔｏｍｅｔａｌｌｉｃ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｓｉｎａｎｏｔｕｂｅｓ；Ｔｈｅｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅ；Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ＥｌａｓｔｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓⅡ
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