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列式计算（1）725加上475的和除以25，商是多少？（2）1784加上128除以8再乘23，和是多少？（3）16乘以12的积加上68，再除以4，得多少？
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（1）（725+475）÷25=1200÷25=48答：商是48．（2）×23===2152答：和是2152．（3）（16×12+68）÷4=（192+68）÷4=260÷4=65答：得65．
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（1）求商，就要知道被除数和除数分别是多少．根据题意，被除数是（725+475），除数是÷25，由此列式计算．（2）求和，就要知道两个加数．根据题意，一个是1784，另一个是128÷8×23，由此列式计算．（3）16乘以12的积是16×12，加上68是16×12+68，然后再除以4即可．
本题考点：
整数四则混合运算．
考点点评：
完成此题，要注意题中“和、除以、商、加上、乘”等体现运算顺序和运算方法的关键词．
扫描下载二维码STM8L中文参考手册-1,2,3,4(RM0031)
简介 本参考手册的目标应用程序开发人员。它提供了完整的信息如何使用 stm8l05xx，stm8l15xx 和 stm8l16xx 微控制器的存储器和外围设备。 该 stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx 是一个家庭的不同存储密度的微控制器和外围设备。 这些产品是专为超低功耗应用。可用的外设的完整列表，请参阅产品数据表。 订购信息，引脚说明，机械和电气设备的特点，请参阅产品数据表。 关于 STM8 SWIM 通信协议信息和调试模块，请参阅用户手册（um0470） 。 在 STM8 的核心信息，请参阅 STM8 的 CPU 编程手册（pm0044） 。关于编程，擦除和保护 的内部快闪记忆体，请参阅 STM8L 闪存编程手册（pm0054） 。 表一、 类型 控制器 零件号 价值线低密度 stm8l05xx 设备：stm8l051x3 8KB Flash 微控制器 价值线中密度 stm8l05xx 设备：stm8l052x6 微控制器与 32 闪光 价值线高密度 stm8l05xx 设备：stm8l052x8 64-KB 闪存微控制器 低密度 stm8l15x 设备：stm8l151c2 / K2 / G2／F2， stm8l151c3 / K3 / G3 / F3 微控制器与 4KB 或 8KB Flash 中密度 stm8l15xx 设备：stm8l151c4 / K4 / G4， 微控制器 stm8l151c6 / K6 / G6，stm8l152c4 / K4 和 stm8l152c6 / K6 微控制器与 16-KB 或 32 闪光 培养基+密度 stm8l15xx 设备：stm8l151r6 和 stm8l152r6 微控制器与闪存（32 比中密度器件广泛的外设范围） 高密度 stm8l15xx 设备：stm8l151x8 和 stm8l152x8 随着 64-KB 闪存微控制器（相同的外周设置为中等+） 高密度 stm8l16xx 设备：stm8l162x8 微控制器与闪存（相同的外周设置为 64-KB 高密度 stm8l152 设备加 AES 硬件加速器目录 1 1.1 1.2 1.2.1 1.2.2 1.3 1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.3.4中央处理单元（CPU） 。30。 引言 30 CPU 的寄存器。30。 描述 CPU 寄存器。..。30 STM8 CPU 寄存器图。..。34 全球配置寄存器（cfg_gcr） 。34。 激活水平。..。34 游泳禁用。..。35 描述全局配置寄存器（cfg_gcr） 。..。35 全局配置寄存器图及复位值。..。352 启动 ROM . . . 36 3 程序存储器和数据存储器。37。 3.1 引言 37 3.2 术语。37。 3.3 个主要的快闪存储器的特点。38。 3.4 记忆的组织。39。 3.4.1 低密度设备的存储器组织。39 3.4.2 介质密度的装置记忆的组织。..。40 3.4.3 介质+密度装置记忆的组织。..。41 3.4.4 高密度存储器组织。..。42 3.4.5 专有代码区（译） 。43 3.4.6 用户区（UBC） 。43 3.4.7 数据的 EEPROM（数据） 。..。46 3.4.8 主程序区。46 3.4.9 选项字节。..。46 3.5 内存保护。47。 3.5.1 读出保护。47 3.5.2 内存访问安全系统（质量） 。47 3.5.3 使写访问选项字节。49 3.6 内存编程 49 3.6.1 同时读写（读写网） 。..。49 2 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 3.6.2 字节编程。..。49 3.6.3 字编程。50 3.6.4 块编程。50 3.6.5 选项字节编程。52 Flash 3.7 的低功耗模式。52。 3.8 例 ICP 和 IAP。52。 3.9 闪光寄存器 57 3.9.1 闪光控制寄存器 1（flash_cr1） 。57 3.9.2 闪光控制寄存器 2（flash_cr2） 。583.9.3 Flash 程序存储器的解密密钥寄存器（flash_pukr） 。58 3.9.4 数据 EEPROM 解除保护关键寄存器（flash_dukr） 。..。59 3.9.5 闪光状态寄存器（flash_iapsr） 。..。59 3.9.6 Flash 寄存器图及复位值。60 4 单线接口模块（游泳）和调试模块（DM）61 4.1 引言 61 4.2 个主要特征。61。 4.3 游泳模式。61。 5 内存和寄存器图 62 5.1 寄存器描述缩写。62。 6 功率控制（PWR） 。63。 6.1 电源 63 6.2 上电复位（POR）/掉电复位（PDR） 。64。 6.3 掉电复位（BOR）65 6.4 可编程电压检测器（PVD） 。66。 6.5 的内部参考电压（vrefint）67 6.6 的电压调节器 68 6.7 压水堆寄存器 69 6.7.1 功率控制和状态寄存器 1（pwr_csr1） 。69 6.7.2 压水堆控制和状态寄存器 2（pwr_csr2） 。..。70 6.7.3 PWR 寄存器图及复位值。70 7 低功耗模式。71。 7.1 减速系统时钟 72 文件编号 15226 启 9 3 / 573 内容 rm 周门控时钟（PCG）72 7.3 等待模式（WFI 或 WFE 模式） 。72。 7.4 等待中断（WFI）模式。73。 7.5 等待事件（WFE）模式 73 7.5.1 WFE 寄存器。74 7.5.2 WFE 寄存器图及复位值。..。79 7.6 低功率运行模式。80。 7.6.1 进入低功率运行模式。..。80 7.6.2 退出低功率运行模式。..。80 7.7 低功率待机模式。80。 7.8 停止模式。81。 7.8.1 进入暂停模式。81 7.8.2 退出暂停模式。..。81 7.9 主动停止模式。82。 8 复位（RST） 。83。 8.1D复位状态‖和D下复位‖的定义。83。 8.2 外部复位（NRST 引脚）83 8.2.1 异步外部复位的描述。..。83 8.2.2 配置活动/ PA1 引脚作为通用输出。848.3 内部复位 84 8.3.1 上电复位（POR） 。..。84 8.3.2 独立看门狗复位。..。84 8.3.3 窗口看门狗复位。..。84 8.3.4 游泳复位。84 8.3.5 非法操作码复位。84 8.4 个寄存器。85。 8.4.1 复位引脚配置寄存器（rst_cr） 。..。85 8.4.2 复位状态寄存器（rst_sr） 。85 8.4.3 RST 寄存器图及复位值。..。86 9 控制的时钟（CLK） 。87。 9.1 引言 87 9.2 HSE 时钟。88。 9.3 个 HSI 时钟 90 4 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 9.4 LSE 时钟。90。 9.5 集成电路的时钟。91。 9.6 系统的时钟源。91。 9.6.1 系统启动。..。..91 9.6.2 系统时钟切换程序。..。..92 9.7 周门控时钟（PCG）95 9.8 时钟安全系统（CSS）95 9.8.1 时钟安全系统对 HSE。..。..95 9.8.2 时钟安全系统在伦敦经济学院。..。..96 9.8.3 CSS LSE 控制和状态寄存器（csslse_csr） 。..。..97 9.8.4 CSS LSE 寄存器图及复位值。..98 9.9 时钟和液晶时钟。98。 9.10 声钟。98。 9.11 可配置时钟输出能力（CCO） 。98。 9.12 个独立的系统时钟的时钟源 TIM2 / TIM3。99。 9.13 时钟中断 99 9.14 时钟寄存器。100。 9.14.1 系统时钟分频寄存器（clk_ckdivr） 。..。100 9.14.2 时钟 RTC 寄存器（clk_crtcr） 。..。100 9.14.3 内部时钟寄存器（clk_ickcr） 。..。102 9.14.4 周围门控时钟寄存器 1（clk_pckenr1） 。..。103 9.14.5 周围门控时钟寄存器 2（clk_pckenr2） 。..。104 9.14.6 周围门控时钟寄存器 3（clk_pckenr3） 。..。105 9.14.7 可配置时钟输出寄存器（clk_ccor） 。106 9.14.8 外部时钟寄存器（clk_eckcr） 。107 9.14.9 系统时钟状态寄存器（clk_scsr） 。..。108 9.14.10 系统时钟切换寄存器（clk_swr） 。..。109 9.14.11 开关控制寄存器（clk_swcr） 。1099.14.12 时钟安全系统寄存器（clk_cssr） 。..。..110 9.14.13 时钟嘀寄存器（clk_cbeepr） 。..。111 9.14.14 HSI 校准寄存器（clk_hsicalr） 。..111 9.14.15 HSI 时钟校准微调寄存器（clk_hsitrimr） 。..。..112 9.14.16 HSI 解锁寄存器（clk_hsiunlckr） 。..。..112 9.14.17 主调节器控制状态寄存器（clk_regcsr） 。..。..113 9.14.18 时钟寄存器图及复位值。..。..114 10 个通用 I / O 端口（GPIO） 。115。 10.1 引言 115 10.2 个 GPIO 的主要特点。115。 10.3 端口的配置与使用。116。 10.3.1 输入模式。..。117 10.3.2 输出模式。118 10.4 复位配置 118 10.5 未使用的 I / O 引脚。118。 10.6 低功率模式 118 10.7 输入模式的细节 118 10.7.1 函数输入。118 10.7.2 中断能力。119 10.8 个输出模式的详细介绍。119。 10.8.1 交替输出功能。119 10.8.2 斜率控制。119 10.9 个 GPIO 寄存器。120。 10.9.1 端口 X 输出数据寄存器（px_odr） 。120 10.9.2 端口 X 引脚输入寄存器（px_idr） 。120 10.9.3 X 口数据方向寄存器（px_ddr） 。121 10.9.4 端口 X 控制寄存器 1（px_cr1） 。..。121 10.9.5 端口 X 控制寄存器 2（px_cr2） 。..。122 10.9.6 外围函数映射。122 10.9.7 GPIO 寄存器图及复位值。..。122 11 路由接口（RI）和系统配置 控制器（syscfg） 。123。 11.1 引言 123 11.2 日的主要特点。123。 11.2.1 RI 功能描述。125 11.2.2 的 I / O 组。125 11.2.3 TIM1 输入捕捉路由。..。127 11.2.4 TIM2 和 TIM3 路由。128 11.2.5 比较器的路由。..129 11.2.6 DAC 的路由。..。..129 11.2.7 内部参考电压的路由。131 11.3 日 131 个中断 6 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容11.4 日寄存器。131。 11.4.1 定时器输入捕捉路由寄存器 1（ri_icr1） 。..。131 11.4.2 定时器输入捕捉路由寄存器 2（ri_icr2） 。..。132 11.4.3 I / O 输入寄存器 1（ri_ioir1） 。..。132 11.4.4 I / O 输入寄存器 2（ri_ioir2） 。..。132 11.4.5 I / O 输入寄存器 3（ri_ioir3） 。..。133 11.4.6 I/O 控制寄存器 1（ri_iocmr1） 。..。133 11.4.7 I/O 控制寄存器 2（ri_iocmr2） 。..。133 11.4.8 I/O 控制寄存器 3（ri_iocmr3） 。..。134 11.4.9 I/O 寄存器开关 1（ri_iosr1） 。..。134 11.4.10 I/O 寄存器开关 2（ri_iosr2） 。..。136 11.4.11 I/O 寄存器开关 3（ri_iosr3） 。..。137 11.4.12 IO 控制寄存器（ri_iogcr） 。..。138 11.4.13 模拟开关寄存器 1（ri_ascr1） 。140 11.4.14 模拟开关寄存器 2（ri_ascr2） 。140 11.4.15 电阻控制寄存器（ri_rcr） 。141 11.4.16 控制寄存器（ri_cr） 。142 11.4.17 IO 屏蔽寄存器 1（ri_iomr1） 。..。143 11.4.18 IO 屏蔽寄存器 2（ri_iomr2） 。..。143 11.4.19 IO 屏蔽寄存器 3（ri_iomr3） 。..。144 11.4.20 IO 屏蔽寄存器 4（ri_iomr4） 。..。144 11.4.21 I / O 输入寄存器 4（ri_ioir4） 。..。145 11.4.22 I/O 控制寄存器 4（ri_iocmr4） 。..。145 11.4.23 I/O 寄存器开关 4（ri_iosr4） 。..。146 11.4.24 RI 寄存器图及复位值。..。147 11.5 syscfg 寄存器。149。 11.5.1 syscfg 映射控制寄存器 1（syscfg_rmpcr1） 。..。149 11.5.2 syscfg 映射控制寄存器 2（syscfg_rmpcr2） 。..。150 软件 syscfg 映射控制寄存器 3（syscfg_rmpcr3） 。..。151 11.5.4 syscfg 寄存器图及复位值。..。152 12 中断控制器（ITC） 。153。 12.1 引言 153 12.2 中断屏蔽和处理流程。153。 12.2.1 服务等待中断。154 12.2.2 中断源。155 12.3 个中断和低功耗模式 156 文件编号 15226 启 9 7 / 573 内容 rm 的激活水平/低功率模式控制。157。 12.5 并行嵌套中断管理 157 12.5.1 并发中断管理模式。..。157 12.5.2 嵌套中断管理模式。..。158 12.6 个外部中断 15912.7 中断指令。160。 12.8 中断映射。160。 12.9 国贸 EXTI 寄存器。161。 12.9.1 CPU 条件码寄存器中断位（CCR） 。161 12.9.2 软件优先级寄存器 X（itc_sprx） 。..。162 12.9.3 外部中断控制寄存器 1（exti_cr1） 。..。162 12.9.4 外部中断控制寄存器 2（exti_cr2） 。..。164 12.9.5 外部中断控制寄存器 3（exti_cr3） 。..。165 12.9.6 外部中断控制寄存器 4（exti_cr4） 。..。166 12.9.7 外部中断状态寄存器 1（exti_sr1） 。166 12.9.8 外部中断状态寄存器 2（exti_sr2） 。167 12.9.9 外部中断端口选择寄存器（exti_conf1） 。..。168 12.9.10 外部中断端口选择寄存器（exti_conf2） 。..。169 12.9.11 ITC 和完全寄存器图及复位值。..。170 13 直接存储器存取控制器（DMA） 。171。 13.1 DMA 的介绍。171。 词汇。..。171 13.2 DMA 的主要特点。172。 13.3 的 DMA 功能描述 173 13.3.1 DMA 交易。173 13.3.2 DMA 仲裁者。..。174 13.3.3 DMA 通道。..。174 13.3.4 蛋白 Dma1 请求映射。..。..181 13.3.5 DMA 硬件要求描述。..。183 13.4 DMA 低功率模式 184 13.5 DMA 中断。185。 13.6 DMA 寄存器。185。 13.6.1 DMA 全球配置和状态寄存器（dma_gcsr） 。..185 13.6.2 DMA 全局中断寄存器 1（dma_gir1） 。186 13.6.3 DMA 通道配置寄存器（dma_cxcr） 。..。..186 8 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 13.6.4 DMA 通道状态和优先级寄存器（dma_cxspr） 。..。..188 13.6.5 DMA 数据传输寄存器（dma_cxndtr） 。..。..189 13.6.6 DMA 地址寄存器（外周高 dma_cxparh） 。..。189 13.6.7 DMA 地址寄存器（dma_cxparl）低周。..190 13.6.8 DMA 通道 3 周地址 1 地址的高高的记忆 寄存器（dma_c3parh_c3m1arh） 。190 13.6.9 DMA 通道 3 周地址低 1 低内存地址 寄存器（dma_c3parl_c3m1arl） 。..。191 13.6.10 DMA 存储器地址寄存器（dma_cxm0arh）高 0。..。191 13.6.11 DMA 存储器地址寄存器（dma_cxm0arl）低 0。..。192 13.6.12 DMA 通道 3 个内存 0 扩展地址寄存器 （dma_c3m0ear） 。..。19213.6.13 DMA 寄存器图及复位值。..。193 14 模拟到数字转换器（ADC） 。195。 14.1 引言 195 ADC 14.2 模数转换器的主要特点。195。 14.3 ADC 功能描述。196。 14.3.1 一般描述。196 14.3.2 数模拟通道。..。197 14.3.3 ADC 开关控制。..。197 14.3.4 单转换模式。..。197 14.3.5 连续转换模式。199 14.3.6 ADC 时钟。199 14.3.7 模拟看门狗。..。199 14.3.8 中断。200 14.3.9 信道选择（扫描模式） 。..。200 14.3.10 数据完整性。201 14.3.11 DMA 传输。..。201 14.3.12 配置分辨率。201 14.3.13 数据对齐。..。201 14.3.14 可编程采样时间。202 14.3.15 施密特触发器禁用。203 14.3.16 温度传感器。..。203 14.3.17 内部参考电压转换。204 14.4 ADC 低功耗模式。204。 14.5 ADC 中断。204。 文件编号 15226 启 9 9 / 573 内容 rm ADC 寄存器。205。 14.6.1 ADC 配置寄存器 1（adc_cr1） 。..。205 14.6.2 ADC 配置寄存器 2（adc_cr2） 。..。206 14.6.3 ADC 配置寄存器 3（adc_cr3） 。..。207 14.6.4 ADC 状态寄存器（adc_sr） 。..。208 14.6.5 ADC 数据寄存器高（adc_drh） 。..。209 14.6.6 ADC 数据寄存器低（adc_drl） 。..。209 14.6.7 ADC 的高门槛高（adc_htrh）寄存器。210 14.6.8 ADC 的高门槛低（adc_htrl）寄存器。210 14.6.9 ADC 低阈值寄存器高（adc_ltrh） 。210 14.6.10 ADC 低阈值寄存器低（adc_ltrl） 。211 14.6.11 ADC 通道序列 1 寄存器（adc_sqr1） 。211 14.6.12 ADC 通道序列寄存器 2（adc_sqr2） 。212 14.6.13 ADC 通道选择扫描 3（adc_sqr3） 。..。212 14.6.14 ADC 通道选择扫描 4（adc_sqr4） 。..。213 14.6.15 ADC 触发禁用 1（adc_trigr1） 。213 14.6.16 ADC 触发禁用 2（adc_trigr2） 。214 14.6.17 ADC 触发禁用 3（adc_trigr3） 。21414.6.18 ADC 触发禁用 4（adc_trigr4） 。214 14.6.19 ADC 寄存器图及复位值。..。215 15 个数字到模拟转换器（DAC） 。216。 15.1 引言 216 DAC 15.2 个 DAC 的主要特点。216。 15.3 的 DAC 功能描述。218。 1. X 使 DAC 通道。..。218 15.3.2 DAC 输出缓冲区启用。..。218 15.3.3 DAC 输出开关配置。218 15.3.4 数据格式。219 15.3.5 DAC 转换序列。..。219 15.3.6 DAC 输出电压。219 15.3.7 DAC 触发选择。..。219 15.3.8 DAC 的 DMA 请求。..。220 15.3.9 DAC DMA 下溢中断。..。220 15.3.10 噪声的产生。..。220 15.3.11 三角波的产生。..。221 15.3.12 双 DAC 转换。..。222 10 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 15.4 个 DAC 寄存器。226。 15.4.1 DAC 通道控制寄存器 1（dac_chxcr1） 。..226 15.4.2 DAC 通道控制寄存器 2（dac_chxcr2） 。..。..227 15.4.3 DAC 软件触发寄存器（dac_swtrigr） 。..。228 15.4.4 DAC 状态寄存器（dac_sr） 。..228 15.4.5 DAC 通道 X 右对齐的数据保持寄存器高 （dac_rdhrh） 。..。..229 15.4.6 DAC 通道 X 右对齐的数据保持寄存器低 （dac_chxrdhrl） 。..。..229 15.4.7 DAC 通道 X 左对齐数据保持寄存器高 （dac_chxldhrh） 。..。..229 15.4.8 DAC 通道 X 左对齐数据保持寄存器低 （dac_chxldhrl） 。..230 15.4.9 DAC 通道× 8 位数据保持寄存器 （dac_chxdhr8） 。230 15.4.10 DAC 通道 X 双模式右对齐的数据保持寄存器高 （dac_dchxrdhrh） 。231 15.4.11 DAC 通道 X 双模式右对齐的数据保持寄存器低 （dac_dchxrdhrl） 。..。231 15.4.12 DAC 通道 X 双模式左对齐数据保持寄存器高 （dac_dchxldhrh） 。..。232 15.4.13 DAC 通道 X 左对齐数据保持寄存器低 （dac_dchxldhrl） 。..。232 15.4.14 DAC 通道的双模式的 8 位数据保持寄存器（dac_dchxdhr8） 。..。..233 15.4.15 DAC 通道数据输出寄存器高 （dac_chxdorh） 。..。233 15.4.16 DAC 通道数据输出寄存器低 （dac_chxdorl） 。..。233 15.4.17 DAC 寄存器映射及复位值。..。..234 16 个比较器（COMP） 。237。 16.1 公司简介。237。 16.2 计算机的主要特点。239。 16.3 比较器 1（COMP1） 。240。 16.4 比较器 2（comp2） 。241。 16.5 使用比较器在窗口模式 242 16.6 公司的低功耗模式。243。 16.7 比赛中断 243 16.8 公司注册。244。 文件编号 15226 启 9 11 / 573 内容 rm.1 比较器控制和状态寄存器 1（comp_csr1） 。..。244 16.8.2 比较器控制和状态寄存器 2（comp_csr2） 。..。245 16.8.3 比较器控制和状态寄存器 3（comp_csr3） 。..。246 16.8.4 比较器控制和状态寄存器 4（comp_csr4） 。..。247 16.8.5 比较器控制和状态寄存器 5（comp_csr5） 。..。247 16.8.6 COMP 寄存器图及复位值。..。248 17 液晶显示控制器。249。 17.1 液晶显示控制器的介绍。249。 17.1.1 定义。249 17.2 液晶显示控制器的主要特点。250。 17.3 液晶显示功能描述。252。 17.3.1 一般描述。252 17.3.2 频率发生器。..。253 17.3.3 通用驱动程序。256 17.3.4 段驱动器。264 17.3.5 使一段。..。265 17.3.6 眨眼。..。265 17.3.7 复用 COM [ 7:4 ]和[ 43:40 赛格赛格]，[ 39:36 ]，或[ 31:28 赛格]。265 17.3.8 代 LCD 电压水平。266 17.3.9 LCD 缓冲区更新。..。269 17.4 液晶显示控制器的低功耗模式。269。 17.5 液晶显示控制器中断 269 17.6 的 LCD 控制寄存器。270。 17.6.1 控制寄存器 1（lcd_cr1） 。..。270 19.6.2 控制寄存器 2（lcd_cr2） 。..。272 17.6.3 控制寄存器 3（lcd_cr3） 。..。27317.6.4 频率选择寄存器（lcd_frq） 。..。274 17.6.5 端口掩码寄存器（lcd_pm） 。274 17.6.6 控制寄存器 4（lcd_cr4） 。..。275 17.6.7 LCD 显示存储器（lcd_ram） 。..。276 17.6.8 LCD 寄存器图及复位值。..。278 18 定时器的概述 280 18.1 定时器功能的比较 281 18.2 表 281 定时器信号名称 12 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 19 16 位先进控制定时器（TIM1） 。283。 19.1 引言 283 19.2 TIM1 主要特点 284 19.3 TIM1 时间单位。286。 19.3.1 阅读和写作的 16 位计数器。287 19.3.2 写序列的 16 位 tim1_arr 寄存器。..。287 19.3.3 分频器。287 19.3.4 了计数模式。..。288 19.3.5 向下计数模式。..。290 19.3.6 中心对齐方式（向上/向下计数） 。..。292 19.3.7 重复计数器。294 19.4 TIM1 时钟/触发控制器。296。 19.4.1 分频时钟（ck_psc） 。..。296 19.4.2 内部时钟源（fsysclk） 。..。297 19.4.3 外部时钟源模式 1。..。297 19.4.4 外部时钟源模式 2。..。299 19.4.5 触发同步。300 19.4.6 之间的同步定时器。304 19.5 TIM1 捕获/比较通道。310。 19.5.1 写序列的 16 位 tim1_ccri 寄存器。311 19.5.2 输入阶段。..。312 19.5.3 输入捕捉模式。313 19.5.4 输出级。315 19.5.5 强制输出模式。..。316 19.5.6 输出比较模式。..。316 19.5.7 PWM 模式。..。318 19.5.8 利用中断功能。325 19.5.9 清理 ociref 信号对外部事件。..。328 19.5.10 编码器接口模式。..。329 19.5.11 定时器输入异或函数。331 19.5.12 与霍尔传感器。331 19.6 TIM1 中断。333。 19.6.1 TIM1 等事件的能力。333 19.7 TIM1 DMA。333。19.7.1 DMA 单模式。333 19.7.2 DMA 突发模式。..。334 文件编号 15226 启 9 13 / 573 内容 rm TIM1 寄存器 335 19.8.1 控制寄存器 1（tim1_cr1）335 19.8.2 控制寄存器 2（tim1_cr2）337 19.8.3 从模式控制寄存器（tim1_smcr） 。338。 19.8.4 外部触发寄存器（tim1_etr） 。339。 19.8.5 DMA 请求使能寄存器（tim1_der）341 19.8.6 中断使能寄存器（tim1_ier） 。342。 19.8.7 状态寄存器 1（tim1_sr1）343 19.8.8 状态寄存器 2（tim1_sr2）344 19.8.9 事件生成寄存器（tim1_egr） 。345。 19.8.10 捕获/比较寄存器模式 1（tim1_ccmr1） 。346。 19.8.11 捕获/比较寄存器模式 2（tim1_ccmr2） 。349。 19.8.12 捕获/比较寄存器模式 3（tim1_ccmr3） 。350。 19.8.13 捕获/比较寄存器模式 4（tim1_ccmr4） 。351。 19.8.14 捕获/比较使能寄存器 1（tim1_ccer1）352 19.8.15 捕获/比较使能寄存器 2（tim1_ccer2）355 19.8.16 计数器（tim1_cntrh）355 19.8.17 计数器的低（tim1_cntrl）356 19.8.18 分频器高（tim1_pscrh） 。356。 19.8.19 分频器的低（tim1_pscrl） 。356。 19.8.20 自动重载寄存器高（tim1_arrh）357 19.8.21 自动重载寄存器低（tim1_arrl）357 19.8.22 重复计数器寄存器（tim1_rcr） 。357。 19.8.23 捕获/比较寄存器 1 高（tim1_ccr1h） 。358。 19.8.24 捕获 20 个 16 位通用定时器（TIM2，TIM3，tim5）368 20.1 引言 368 20.2 TIMx 主要特点。368。 20.3 TIMx 功能描述 369 20.3.1 时间单位。..。369 20.3.2 时钟/触发控制器。..。370 20.3.3 捕获/比较通道。..。371 20.3.4 定时器输入异或函数。373 20.4 TIMx 中断。373。 20.5 TIMx 寄存器。374。 20.5.1 控制寄存器 1（timx_cr1） 。374。 20.5.2 控制寄存器 2（timx_cr2） 。375。 20.5.3 从模式控制寄存器（timx_smcr） 。376。 20.5.4 外部触发寄存器（timx_etr） 。377。 20.5.5 DMA 请求使能寄存器（timx_der）37820.5.6 中断使能寄存器（timx_ier） 。379。 20.5.7 状态寄存器 1（timx_sr1）380 20.5.8 状态寄存器 2（timx_sr2）381 20.5.9 事件生成寄存器（timx_egr） 。382。 20.5.10 捕获/比较寄存器模式 1（timx_ccmr1） 。383。 20.5.11 捕获/比较寄存器模式 2（timx_ccmr2） 。385。 20.5.12 捕获/比较使能寄存器 1（timx_ccer1）386 20.5.13 计数器（timx_cntrh）387 20.5.14 计数器的低（timx_cntrl）388 20.5.15 分频寄存器（timx_pscr） 。388。 20.5.16 自动重载寄存器高（timx_arrh）388 20.5.17 自动重载寄存器低（timx_arrl）389 20.5.18 捕获/比较寄存器 1 高（timx_ccr1h） 。389。 20.5.19 捕获/比较寄存器 1 低（timx_ccr1l） 。390。 20.5.20 捕获/比较寄存器 2 高（timx_ccr2h） 。390。 20.5.21 捕获/比较寄存器 2 低（timx_ccr2l） 。390。 20.5.22 中断寄存器（timx_bkr） 。391。 20.5.23 输出空闲状态寄存器（timx_oisr） 。393。 20.5.24 TIMx 寄存器图及复位值。393。 文件编号 15226 启 9 15 / 573 内容 rm0031 21 个 8 位基本定时器（时间） 。395。 21.1 引言 395 TIM4 主要特点 395 21.2 21.3 tim4interrupts 395 21.4 时间时钟选择。396。 21.5 时间寄存器 396 21.5.1 控制寄存器 1（tim4_cr1） 。396 21.5.2 控制寄存器 2（tim4_cr2） 。397 21.5.3 从模式控制寄存器（tim4_smcr） 。..。397 21.5.4 DMA 请求使能寄存器（tim4_der） 。399 21.5.5 中断使能寄存器（tim4_ier） 。..。399 21.5.6 状态寄存器 1（tim4_sr） 。399 21.5.7 事件生成寄存器（tim4_egr） 。..。400 21.5.8 计数器（tim4_cntr） 。400 21.5.9 分频寄存器（tim4_pscr） 。..。401 21.5.10 自动重载寄存器（tim4_arr） 。401 21.5.11 Tim4 寄存器图及复位值。402 22 红外（irtim）接口 403 22.1 引言 403 22.2 个主要特征。403。 22.3 irtim 寄存器。404。 22.3.1 控制寄存器（ir_cr） 。404 22.3.2 irtim 寄存器图及复位值。..。40423 蜂鸣器（声） 。405。 23.1 引言 405 23.2 声功能描述。406。 23.2.1 寻呼操作。..。406 23.2.2 寻呼机的校准。406 23.2.3 LSI 时钟频率测量。..。406 23.3 声寄存器。407。 23.3.1 哔控制/状态寄存器 1（beep_csr1） 。407 23.3.2 哔控制/状态寄存器 2（beep_csr2） 。407 23.3.3 哔寄存器图及复位值。..。408 16 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 24 实时时钟（RTC） 。409。 24.1 引言 409 24.2 RTC 的主要特点。410。 24.3 RTC 功能描述。410。 24.3.1 时钟预分频器。..。411 24.3.2 实时时钟和日历。..。413 24.3.3 可编程报警。..。414 24.3.4 周期自动唤醒。414 24.3.5 RTC 初始化和配置。..。..415 24.3.6 看完日历。..。416 24.3.7 重置 RTC。..。417 24.3.8 时钟同步（低，中，高密度+设备） 。417 24.3.9 RTC 光滑的数字校准（低，中，高 密度的设备） 。..。418 24.3.10 篡改检测（低，中，高密度+设备） 。420 24.3.11 校准时钟输出。420 24.3.12 报警输出。421 24.4 时钟低功耗模式。421。 24.5 时钟中断 421 24.6 RTC 寄存器。422。 24.6.1 时间寄存器 1（rtc_tr1） 。..。422 24.6.2 时间寄存器 2（rtc_tr2） 。..。422 24.6.3 时间寄存器 3（rtc_tr3） 。..。422 24.6.4 数据寄存器 1（rtc_dr1） 。..。423 24.6.5 数据寄存器 2（rtc_dr2） 。..。423 24.6.6 数据寄存器 3（rtc_dr3） 。..。424 24.6.7 亚秒寄存器高（rtc_ssrh） 。..。424 24.6.8 亚秒寄存器低（rtc_ssrl） 。..。425 24.6.9 控制寄存器 1（rtc_cr1） 。..。425 24.6.10 控制寄存器 2（rtc_cr2） 。..。426 24.6.11 控制寄存器 3（rtc_cr3） 。..。427 24.6.12 初始化和状态寄存器 1（rtc_isr1） 。42824.6.13 初始化和状态寄存器 2（rtc_isr2） 。429 24.6.14 同步分频器寄存器高（rtc_sprerh） 。..。430 24.6.15 同步分频器寄存器低（rtc_sprerl） 。..。431 24.6.16 异步分频器寄存器（rtc_aprer） 。431 文件编号 15226 启 9 17 / 573 内容 rm.17 唤醒定时器寄存器高（rtc_wutrh） 。432 24.6.18 唤醒定时器寄存器低（rtc_wutrl） 。..432 24.6.19 写保护寄存器（rtc_wpr） 。..。433 24.6.20 RTC 换档控制寄存器高（rtc_shiftrh） 。..。433 24.6.21 RTC 换档控制寄存器低（rtc_shiftrl） 。..。434 24.6.22 报警寄存器 1（rtc_alrmar1） 。434 24.6.23 报警寄存器 2（rtc_alrmar2） 。435 24.6.24 报警寄存器 3（rtc_alrmar3） 。435 24.6.25 报警寄存器 4（rtc_alrmar4） 。436 24.6.26 报警子第二寄存器高（rtc_alrmassrh） 。..。436 24.6.27 报警子第二寄存器低（rtc_alrmassrl） 。..。437 24.6.28 报警的一秒的屏蔽寄存器（rtc_alrmassmskr） 。..。437 24.6.29 校准寄存器高（rtc_calrh） 。438 24.6.30 校准寄存器低（rtc_calrl） 。439 24.6.31 篡改控制寄存器 1（rtc_tcr1） 。..。439 24.6.32 篡改控制寄存器 2（rtc_tcr2） 。..。440 24.6.33 RTC 寄存器映射和复位值。..。441 25 个独立的看门狗（IWDG） 。444。 25.1 引言 444 25.2 独立看门狗功能描述。444。 25.3 IWDG 寄存器。446。 25.3.1 关键寄存器（iwdg_kr） 。..。446 25.3.2 分频寄存器（iwdg_pr） 。446 25.3.3 重装寄存器（iwdg_rlr） 。447 25.3.4 IWDG 寄存器图及复位值。..。447 26 窗口看门狗（wwdg） 。448。 26.1 引言 448 26.2 wwdg 主要特点 448 26.3 wwdg 功能描述 448 26.4 如何编程的看门狗超时。450。 26.5 wwdg，低功耗模式。450。 26.6 硬件看门狗的选择。451。 26.7 wwdg 中断。451。 26.8 wwdg 寄存器 451 18 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 26.8.1 控制寄存器（wwdg_cr） 。..。451 26.8.2 窗口寄存器（wwdg_wr） 。..。45226.9 窗口看门狗复位值寄存器图 452 27 AES 硬件加速器（AES） 。453。 27.1 引言 453 27.2 AES 的主要特点。453。 27.3 AES 的功能描述。454。 27.4 种操作模式。455。 27.4.1 模式 1：加密。455 27.4.2 模式 2：密钥推导。456 27.4.3 模式 3：解密。456 27.4.4 模式 4：导出密钥和解密。457 27.5 AES DMA 接口 458 27.6 错误标志。459。 27.7、处理时间为 459 27.8 AES 低功耗模式。460。 27.9 AES 中断 460 27.10 AES 寄存器。461。 27.10.1 AES 控制寄存器（aes_cr） 。..。461 27.10.2 AES 状态寄存器（aes_sr） 。462 27.10.3 AES 数据输入寄存器（aes_dinr） 。463 27.10.4 AES 数据输出寄存器（aes_doutr） 。463 27.10.5 AES 寄存器图及复位值。..。464 28 内部集成电路（I2C）接口 465 28.1 引言 465 28.2 的 I2C 总线的主要特点。466。 28.3 的 I2C 总线的一般描述。467。 28.4 的 I2C 功能描述。469。 28.4.1 I2C 奴隶模式。..469 28.4.2 I2C 主模式。..。471 28.4.3 错误条件。..478 28.4.4 SDA 和 SCL 线控制。..。479 28.4.5 SMBus。..。479 文件编号 15226 启 9 19 / 573 内容 rm.6 DMA 请求。..。482 28.4.7 分组错误检查。483 28.5 的 I2C 总线的低功耗模式。484。 28.6 的 I2C 中断 484 28.7 的 I2C 寄存器。486。 28.7.1 控制寄存器 1（i2c_cr1） 。..。486 28.7.2 控制寄存器 2（i2c_cr2） 。..。487 28.7.3 频率寄存器（i2c_freqr） 。..。489 28.7.4 自己的地址寄存器的 LSB（i2c_oar1l） 。490 28.7.5 自己的地址寄存器的 MSB（i2c_oar1h） 。..。490 28.7.6 自己的地址寄存器 2（i2c_oar2） 。..。49028.7.7 数据寄存器（i2c_dr） 。..491 28.7.8 状态寄存器 1（i2c_sr1） 。..。..491 28.7.9 状态寄存器 2（i2c_sr2） 。..。..493 28.7.10 状态寄存器 3（i2c_sr3） 。..。..494 28.7.11 中断和 DMA 寄存器（i2c_itr） 。..。496 28.7.12 时钟控制寄存器低（i2c_ccrl） 。..497 28.7.13 时钟控制寄存器高（i2c_ccrh） 。498 28.7.14 试寄存器（i2c_triser） 。..。499 28.7.15 PEC 寄存器（i2c_pecr） 。..。500 28.7.16 I2C 寄存器图及复位值。..。500 29 通用同步/异步接收器 （USART） 。502。 29.1 是介绍。502。 29.2 是主要特点。502。 29.3 串口功能描述 503 29.3.1 USART 特征描述。506 29.3.2 发射机。..。507 29.3.3 接收机。..。..510 29.3.4 高精度波特率发生器。..。..513 29.3.5 USART 接收时钟偏差的公差。..516 29.3.6 奇偶控制。516 29.3.7 多处理器通信。..。..518 29.3.8 USART 同步通信。519 29.3.9 单线半双工通信。..522 29.3.10 智能卡。522 20 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 内容 29.3.11 IrDA SIR 的 ENDEC 块。..。524 29.3.12 连续通信使用 DMA。..。526 29.4 是低功耗模式 529 29.5 串口中断。529。 29.6 串口寄存器 530 29.6.1 状态寄存器（usart_sr） 。..。530 29.6.2 数据寄存器（usart_dr） 。..。532 29.6.3 波特率寄存器 1（usart_brr1） 。532 29.6.4 波特率寄存器 2（usart_brr2） 。532 29.6.5 控制寄存器 1（usart_cr1） 。..。533 29.6.6 控制寄存器 2（usart_cr2） 。..。534 29.6.7 控制寄存器 3（usart_cr3） 。..。535 29.6.8 控制寄存器 4（usart_cr4） 。..。536 29.6.9 控制寄存器 5（usart_cr5） 。..。536 29.6.10 保护时间寄存器（usart_gtr） 。..。537 29.6.11 分频寄存器（usart_pscr） 。..。538 29.6.12 USART 寄存器图及复位值。53830 串行外设接口（SPI） 。540。 30.1 引言 540 30.2 SPI 的主要特点。540。 30.3 的 SPI 功能描述。541。 30.3.1 一般描述。541 30.3.2 配置 SPI 从属模式。..。545 30.3.3 配置 SPI 主模式。..。545 30.3.4 配置 SPI 单工通信。546 30.3.5 数据发送和接收程序。546 30.3.6 CRC 计算。..。553 30.3.7 状态标志。554 30.3.8 禁用 SPI。..。555 30.3.9 SPI 通信使用的 DMA（直接存储器寻址） 。557 30.3.10 错误标志。558 30.3.11 SPI 低功耗模式。559 30.3.12 SPI 中断。..。560 30.4 SPI 寄存器。560。 30.4.1 SPI 控制寄存器 1（spi_cr1） 。..。560 文件编号 15226 启 9 21 / 573 内容 rm.2 SPI 控制寄存器 2（spi_cr2） 。..。561 30.4.3 SPI 中断控制寄存器（spi_icr） 。..。..562 30.4.4 状态暂存器（spi_sr） 。..。563 30.4.5 SPI 数据寄存器（spi_dr） 。..。..564 30.4.6 SPI 多项式的 CRC 寄存器（spi_crcpr） 。..。564 30.4.7 SPI RX CRC 寄存器（spi_rxcrcr） 。..。564 30.4.8 SPI TX CRC 寄存器（spi_txcrcr） 。565 30.5 SPI 寄存器映射及复位值。565。列表 表 1 适用的产品。..。1 表 2 中断的水平。..。33 表 3 CPU 的寄存器映射。..。34 表 4 cfg_gcr 寄存器映射。..。..35 表 5 块大小。..。52 表 6 内存访问和编程方法。..（低密度的设备）53 表 7。记忆体存取与编程方法（中密度的装置） 。..。54 表 8 内存访问和编程方法。 （中+高密度器件） 。..。55 表 9 闪光寄存器映射。..。60 表 10 列出的缩写。..。62 表 11。内部参考电压状态时停止/主动停止模式。67 表 12 压水堆的中断请求。..。68 表 13 压水堆寄存器图及复位值。..。70 表 14 总结了低功率模式。..。71 表 15 WFE 寄存器映射。..。79 表 16 个寄存器图及复位值。..。86 表 17。CSS LSE 在低功率模式。..。97 表 18。CSS LSE 寄存器图。..。98 表 19 时钟中断请求。..。99 表 20。外周时钟门控位（pcken 10 pcken 17） 。103。 表 21。外周时钟门控位（ （pcken 20 pcken 27） 。104。 表 22。外周时钟门控位（pcken 30 pcken 35） 。105。 表 23。时钟寄存器图及复位值。114。 表 24 I / O 端口配置的总结。117。 表 25。对 GPIO 端口的低功耗模式的影响。118。 表 26 GPIO 寄存器映射。122。 表 27 I / O 组和选择。126。 表 28 TIM1 输入捕捉路由。128。 表 29 RI 的中断请求。131。 表 30 路由接口寄存器的地图。147。 表 31 寄存器映射。152。 表 32 软件的优先级别。154。 表 33。向量地址地图与软件优先位。159。 表 34 外部中断的敏感性。160。 表 35 专用的中断的指令集。160。 表 36。ITC 和完全寄存器图。170。 表 37 的源地址和目的地址。180。 表 38 蛋白 Dma1 信道请求映射。181。 表 39 依据/ usartx DMA 请求。183。 表 40 I2C1 DMA 请求。184。 表 41 TIMx DMA 请求。184。 表 42 在低功率模式的 DMA 行为。184。表 43 的 DMA 中断请求。185。 表 44 DMA 寄存器映射。193。 表 45 旗/中断配置。200。 表 46 采样周期的授权。202。 表 47 在低功率模式的行为。204。 文件编号 15226 启 9 23 / 573 表 rm0031 列表 表 48 中断请求。..。204 表 49 寄存器映射。..。215 表 50 DAC 输出的开关配置。..。218 表 51。DAC 输出开关配置（介质和介质+高密度 设备） 。..。218 表 52。转换触发源（介质，介质+高密度的设备） 。..。..220 表 53 转换触发源。..。220 表 54。DAC 寄存器地图（中，培养基+高密度的设备） 。..。..234 表 55 窗口中断/唤醒模式。..。..243 表 56。在低功率模式比较器的行为。..。..243 表 57 中断请求比较器。..。..243 表 58。比较器和路由接口寄存器图。..。248 表 59。16.384 千赫的输入频率，典型的帧速率的计算。..。255 表 60。500 千赫的输入频率，典型的帧速率的计算。..。..256 表 61 赛格和 COM 信号映射。..。..266 表 62 在低功率模式的液晶行为。..。..269 表 63 显示的中断请求。..。..270 表 64 显示寄存器映射。..。278 表 65 定时器的特性。..。280 表 66 定时器的功能比较。..。281 表 67 内部定时信号的词汇。..。281 表 68。indices'i‖的解释，Dn‖，和DX‖。282 表 69 计数方向与编码器的信号。..。..329 表 70。补充 OCI 和打破 OCIN 通道输出控制 feature353 表 71 TIM1 寄存器映射。..。366 表 72 TIMx 内部触发连接。..。376 表 73。具有断特征 OCI 频道输出控制点（断裂特征 实施，互补输出未实现） 。..。392 表 74 TIMx 寄存器映射。..。393 表 75 时间寄存器映射。..。402 表 76 红外寄存器映射。..。..404 表 77。嘟寄存器图。..。..408 表 78。对 RTC 的低功率模式的影响。..。421 表 79 中断控制位。..。421 表 80。RTC 寄存器映射和复位值。..。441 表 81。最小/最大独立看门狗超时（LSI 的时钟频率= 38 千赫） 。..。445表 82 IWDG 寄存器映射。..。..447 表 83 窗口看门狗定时的例子。..。..450 表 84。在 wwdg，低功率模式的影响。..。..450 表 85。wwdg 寄存器图及复位值。..。..452 表 86。处理时间（时钟周期） 。..。459 表 86。处理时间（时钟周期） 。..。459 表 87。低功率模式对 AES 的影响。..。460 表 88 AES 的中断请求。..。..460 表 89。AES 寄存器图及复位值。..。464 SMBus 或 I2C 表 90。..。..480 表 91。在低功率模式 I2C 接口的行为。..。484 表 92 的 I2C 中断请求。..。484 表 93。i2c_ccr 值频率表（SCL fsysclk = 10 MHz 或 16 MHz） 。..。499 表 94 的 I2C 寄存器映射。..。500 表 95。从采样数据中的噪声检测。..。512 表 96 波特率的设计和误差计算。..。..514 表 97。波特率的设计和误差计算。..。..515 表 98。波特率的设计和误差计算。..。..515 表 99。USART 接收的公差时 usart_div [3:0] 0。..。516 表 100。USART 接收的公差时 usart_div [3:0]不同于 0。..。516 表 101。帧格式。..。..516 表 102。在低功率模式 USART 接口的行为。..。529 表 103。USART 中断请求。..。529 表 104。USART 寄存器图。..。538 表 105。在低功率模式的 SPI 的行为。..。..559 表 106。SPI 中断请求。..。560 表 107。SPI 寄存器映射和复位值。..。..565 表 108。文件修订历史。..。..566图列表 图 1 编程模型。..。..31 图 2 堆叠顺序。..。32 图 3。低密度 stm8l05xx / 15xx Flash 的程序和数据存储器。..。..39 图 4。中密度 stm8l05xx / 15xx Flash 的程序和数据存储器 组织。..。40 图 5。介质的密度 stm8l05x / 15x 16x + / Flash 程序和数据存储器组织。41 图 6。高密度 stm8l05xx / 15xx / 16xx Flash 程序和数据存储器组织。..42 图 7。低密度 stm8l05xx / 15xx 设备 UBC 面积大小的定义。..。44 图 8。中密度 stm8l05xx / 15xx 设备 UBC 面积大小的定义。..。45 图 9。中型+ stm8l05xx / 15xx 设备 UBC 面积大小的定义。..。45 图 10。高密度 stm8l05xx / 15xx / 16xx 设备 UBC 面积大小的定义。..。46 图 11 游泳引脚连接。..。61 图 12 电源的概述。..。63 图 13。上电复位/掉电复位波形。..。65 图 14 VDD 的电压检测：博尔阈值。..。66 图 15 PVD 阈值。..。67 图 16。复位电路。..。83 图 17 时钟结构。..。87 图 18 HSE 时钟源。..。89 图 19。时钟切换流程图（自动模式的例子） 。..。93 图 20。时钟切换流程图（手动模式的例子不中断） 。..。94 图 21。时钟切换流程图（手动模式的例子，中断） 。..。94 图 22 GPIO 框图。116。 图 23。路由接口（RI）框图（介质，介质+高密度的设备） 。124。 图 24。路由接口（RI）框图（低密度的装置） 。125。 图 25 TIM2 TIM3 互连。129。 图 26 DAC 的互连。130。 图 27 的内部参考电压输出。131。 图 28 中断处理流程图 154。 图 29 优先决策过程的 155。 图 30。并发中断管理。158。 图 31 嵌套中断管理。159。 图 32 DMA 框图。173。 图 33 字节存储顺序在 16 位模式。175。 图 34。正规渠道（中密度的装置） 。177。 图 35。正规渠道（中+高密度器件） 。177。 图 36。用 MEM = 0 存储器通道（中密度的装置） 。178。 图 37。用 MEM = 0 存储器通道（中+高密度器件） 。178。 图 38。用 MEM = 1 存储器通道（中密度的装置） 。179。 图 39。用 MEM = 1 存储器通道（中+高密度器件） 。179。 图 40。蛋白 Dma1 请求映射（中密度的装置） 。182。 图 41。蛋白 Dma1 请求映射（中+高密度器件）182 图 42 ADC 的框图。196。图 43 ADC 外部触发。199。 图 44 序列的例子。201。 图 45 分辨率和数据对齐。202。 图 46 块图。DAC 通道（中等密度的装置） 。217。 图 47 块图。DAC 通道（中+高密度器件） 。217。 26 / 573 文档 ID 15226 转 9 rm0031 人物列表 图 48 DAC LFSR 寄存器计算算法。..。221 图 49 DAC 的三角波生成。..。..222 图 50 块图。比较器。..。..238 图 51 果品互连。..。240 图 52 comp2 互连。..。241 图 53 comp2 输出重定向。..。..242 图 54。在窗口模式配置比较器。..。..242 图 55。培养基+高密度的 LCD 控制器框图。252 图 56 中密度的 LCD 控制器的框图。253 图 57。1 / 3 偏置，1 / 4 的责任。..。257 图 58 静态的职责。..。259 图 59。液晶显示和终端连接（静态职责） 。..。260 图 60。液晶显示和终端连接（1 / 2 的责任，1 / 2 偏压） 。..。..261 图 61。液晶显示和终端连接（1 / 3 的责任，1 / 3 偏压） 。..。..262 图 62。液晶显示和终端连接（1 / 4 的责任，1 / 3 偏压） 。..。..263 图 63。液晶显示和终端连接（1 / 8 的责任，1 / 4 偏压） 。..。..264 图 64 电阻网络。..。267 图 65 的对比度控制。..。268 图 66 软中断信号。..。270 图 67 TIM1 总框图。285 图 68 时基单元。..。..286 图 69。16 位读计数器序列（tim1_cntr） 。..。287 图 70 计数器在计数模式。..。288 图 71。当计数器更新 ARPE = 0（ARR 没有预分频器= 2） 。..。..289 图 72。计数器更新事件时，ARPE = 1（tim1_arr 预装） 。..。289 图 73。反在向下计数模式。..。290 图 74。当计数器更新 ARPE = 0（ARR 没有预分频器= 2） 。..。..291 图 75。当计数器更新 ARPE = 1（ARR 预装）= 1，分频器。..。291 图 76 在中心对齐模式计数器。..。292 图 77。计数器的时序图，fck_cnt = fck_psc，tim1_arr = 06h，ARPE = 1。..。293 图 78 的例子。更新率取决于模式和 tim1_rcr 寄存器设置。..。..295 图 79 时钟/触发控制器框图。..296 图 80。在正常模式控制电路，fck_psc = fsysclk。..。..297 图 81 TI2 外部时钟连接的例子。..。..297 图 82。控制电路在外部时钟模式 1。..。298 图 83 块图。外部触发输入。..。299 图 84。控制电路在外部时钟模式 2。..。299图 85。在触发模式控制电路。..。300 图 86 中的触发器复位模式控制电路。..。301 图 87 在触发控制电路门控模式。..。302 图 88。在外部时钟模式 2 +触发方式控制电路。..。303 图 89 定时器链接系统的实现实例。..。304 图 90 触发/主模式选择块。..。..305 图 91 主/从定时器的例子。..。305 图 92。浇注定时器 B 与定时器 oc1ref。..。306 图 93 定时器与计数器。选 B 使定时信号（cnt_en） 。..。307 图 94。随着 UEV 定时器触发定时器 B（timera-uev） 。..。308 图 95。触发定时器 B 计数器使定时器 cnt_en。..。309 图 96。触发定时器 A 和 B 定时器 TI1 输入。..。310 图 97。1 频道的主要电路捕获/比较。..。310 图 98。16 位读在捕捉模式 tim1_ccri 寄存器序列。..。311 图 99 通道输入级的框图。..。312 图 100。提姆 1 通道 1 输入阶段。312。 图 101 PWM 输入信号的测量。314。 图 102 PWM 输入信号测量的例子。315。 图 103 通道输出级的框图。315。 图 104。与互补输出信道进行详细的输出级（1 频道） 。316。 图 105。输出比较模式，切换 OC1。317。 图 106。边缘对齐计数模式 PWM 模式 1 种波形（ARR = 8） 。319。 图 107。中心对齐的 PWM 波形（ARR = 8） 。320。 图 108 个脉冲模式的例子。321。 图 109。与死区时间插入的互补输出。323。 图 110。一个延迟大于负脉冲时间波形。323。 图 111。一个延迟大于正脉冲时间波形。323。 图 112。六步代，COM 组件的例子（OSSR = 1） 。325。 图 113。响应中断输出行为（无互补输出通道） 。327。 图 114。在响应中断输出行为（TIM1 互补输出） 。327。 图 115 ocrefclr 激活。328。 图 116。在编码器接口模式计数器操作实例。330。 图 117 的例子。用 IC1 的极性倒置编码器接口模式。330。 图 118。霍尔传感器接口的例子。332。 图 119 DMA 突发模式的例子。334。 图 120 TIMx 框图。369。 图 121 时基单元。370。 图 122 块图输入阶段。371。 图 123。提姆 2 通道 1 输入阶段。371。 图 124 输出阶段。372。 图 125。1 频道的输出级。372。 图 126 块图的时间。395。 图 127。内部硬件连接的 TIM2 TIM3。403。 图 128 块图。哔哔声。405。图 129 块图。RTC（低密度的装置） 。412。 图 130 块图。RTC（中等密度的装置） 。412。 图 131 块图。RTC（中+高密度器件） 。413。 图 132。独立的看门狗（IWDG）图 444 图 133 块图的看门狗。449。 图 134。窗口看门狗定时图。450。 图 135 块图。454。 图 136。模式 1：加密。455。 图 137。模式 2：密钥推导。456。 图 138。模式 3：解密。457。 图 139。模式 4：导出密钥和解密。457。 图 140。DMA 请求和数据传输在输入阶段（aes_in） 。458。 图 141。DMA 请求在输出相位（aes_out） 。459。 图 142 I2C 总线协议。..。467 图 143 I2C 框图。..468 图 144 从发射机传输序列图。..。470 图 145 从接收机传输序列图。..。..471 图 146 主发射机传输序列图。..。..473 图 147。方法 1：主接收机传输序列图。..。..474 图 148。方法 2：转移序列图主接收器当 n＞2。..。..475 图 149。方法 2：转移序列图的主接收器当 n = 2。..。..477 图 150。方法 2：转移序列图的主接收器当 n = 1。..。..477 图 151。stm8l05xx / 15xx / 16xx I2C 中断映射图。..。485 图 152。stm8l05xx / 15xx / 16xx USART 框图。..。..505 图 153 字长度的编程。..。..506 图 154 配置的停止位。..。508 图 155 TC / TXE 的行为时，发送。..。509 图 156 起始位的检测。..。510 图 157 数据采样噪声检测。..。..512 图 158。如何在 BRR 寄存器代码 usart_div。514 图 159。静音模式使用空闲线检测。..。518 图 160。静音模式使用地址标记检测。..。..519 图 161 是同步传输的例子。..。..520 图 162。串行口数据时钟时序图（M = 0） 。..。521 图 163。串行口数据时钟时序图（M = 1） 。..。521 图 164 接收数据的建立/保持时间。..。521 图 165 ISO 7816-3 异步协议。..。522 图 166。使用 1.5 个停止位奇偶校验错误检测。..。..524 图 167。IrDA SIR 的 ENDEC 框图。..。526 图 168。IrDA 数据调制（3 / 16）正常模式。..。526 图 169 使用 DMA 传输。..。527 图 170 接收使用 DMA。..。528 图 171 串口中断映射图。..。530 图 172 SPI 框图。..。541图 173。单一的主/单从应用。..。..542 图 174 数据时钟的时序图。..。..544 图 175。在全双工模式下 TXE / rxne /忙行为（rxonly = 0） 。 连续传输的情况下。..。549 图 176。TXE / rxne /忙行为的奴隶/全双工模式 （BDM = 0，rxonly = 0） 。连续传输的情况下。..。549 图 177。TXE /忙在主只传输模式 （BDM = 0 和 rxonly = 0） 。连续传输的情况下。..。550 图 178。TXE /忙奴隶只传输模式（BDM = 0 和 rxonly = 0） 。 连续传输的情况下。..。551 图 179。rxne 行为在接收模式（BDM = 0 和 rxonly = 1） 。 连续传输的情况下。..。552 图 180。TXE /忙的行为时，发送（BDM = 0 和 rxlony = 0） 。 非连续传输的情况下。..。553 图 181 使用 DMA 传输。..。557 图 182 接收使用 DMA。..。5581 中央处理单元（CPU） 本节适用于低密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质+密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备 高密度 stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx 设备，除非另有规定。 1.1 引言 CPU 有一个 8 位的结构。 六内部寄存器允许高效的数据操纵。 CPU 可以执行 80 条基本指令。 它具有 20 的寻址方式，可以解决六个内部寄存器。对指令集的完整描述，指 STM8 系列单 片机的编程手册（pm0044） 。 1.2 CPU 的寄存器 六 CPU 寄存器是在图 1 所示的编程模型。继 中断，寄存器的值推到堆栈上在图 2 所示的顺序。他们突然从以相反的顺序栈。中断程序必 须处理它，如果需要的话，通过 pop 和 push 指令。 1.2.1 描述 CPU 寄存器 蓄电池（一） 蓄能器是一个 8 位通用寄存器用来存放操作数的算术和逻辑运算的结果以及数据操作。 索引寄存器（X 和 Y） 这些都是 16 位寄存器，用来创建有效的地址。他们也可能被用来作为一个 和数据操作的临时存储区有一些固有的使用 指令（乘法/除法） 。在大多数情况下，交叉汇编程序生成 伪指令（预）指出下列指令指的是 Y 寄存器。 程序计数器（PC） 程序计数器是一个 24 位寄存器，用来存放下一条指令的地址是由 CPU 执行。 它是自动刷新 指令后，各处理的。作为一个结果，STM8 核心可以访问最多 16 个字节的内存。堆栈指针（SP） 堆栈指针是一个 16 位寄存器。它包含的下一个空闲位置的地址 栈。根据产品，最重要的位可以设置预设值。 堆栈是用来保存 CPU 上下文在子程序调用或中断。用户也可以直接使用它通过 pop 和 push 指令。 堆栈指针可以通过安装 C 编译器启动函数初始化。用 C 语言写的应用程序的初始化，然后 根据执行地址 C 用户在连接指定的文件。如果你使用你自己的链接的文件或启动文件，确保正确的 初始化堆栈指针（在数据表上提供的地址） 。用汇编写的应用程序，您可以使用启动功能由 ST 或写下你自己的正确地址初始化堆栈指针。 堆栈指针减后的数据已被压进堆栈 增加后的数据从堆栈中弹出。它是由应用程序，以确保较低的不超过限制。 一个子程序调用占据两个或三个位置。一个中断占九的位置来存储所有的内部寄存器（除 SP） 。更多细节参见图 2。 注：WFI 和 HALT 指令节省下前进。如果一个中断发生时，CPU 在其中的一个模式，降低了延迟。条件码寄存器（CC） 条件码寄存器是一个 8 位寄存器说明只是执行以及处理器的状态的指令的结果。第六位 （MSB）这个寄存器 保留。 这些碎片可以单独测试的程序和规定采取行动， 由于他们的状态。 以下描述了每一位： ●V：溢出 当设置，V 表示，去年签署的算术操作期间发生溢出，在 MSB 结果位。看到公司，INCW， 12 月，decw，NEG，negw，添加，addw，ADC，子，地铁，SBC，CP，和 CPW 指令。●I1：中断屏蔽 1 级 I1 标志作品与 I0 旗一起定义当前可中断性水平如表 2 所示。这些标记可以设置和清除的软 件通过轮辋，SIM 卡，停止，WFI，WFE，中断返回，陷阱，和流行的指示和自动设置的硬 件时，进入中断服务程序。●H：半进位 H 位设置为 1 时，进行时 3 位和 4 的 ALU 之间添加或 ADC 指令时。H 位 BCD 算术子程序 是有用的。 ●I0 中断屏蔽 0 级 看到国旗 I1。 ●N：负 当设置为 1，这一点表明，最后的运算结果，逻辑或数据操作是负的（即最重要的位为逻辑 1） 。 ●Z：零 当设置为 1，这一点表明，最后的运算结果，逻辑或数据操作是零。 ●C：携带 当设置，C 表示一个携带或借出去的 ALU 在过去发生的 在高位运行结果的位运算。这一点也在测试的影响， 分支，移位，旋转和负荷指令。看到添加，ADC，子，和 SBC 指令。 在除法运算中，C 表示如果在执行过程中发生故障（商溢出或零部） 。看到 DIV 指令。 在钻头试验操作，C 的测试点的副本。看到 BTJF 和 btjt 指令。 在移位和旋转操作，进行更新。看到 RRC，RLC，SRL，SLL，和 SRA 指令。 这一点可以设置，复位或辅以软件使用的 SCF，RCF，与 CCF 的指令。1.2.2 STM8 CPU 寄存器图 CPU 的寄存器映射在 STM8 地址空间如表 3。这些 寄存器只能通过调试模块，但不是由存储器访问指令执行的核心访问1.3 全局配置寄存器（cfg_gcr） 1.3.1 激活水平 单片机的激活水平是由编程的 Al 点在 cfg_gcr 寄存器配置。 在这一点的使用参见 12.4 节信息激活水平/低功率模式 在 157 页的控制。 1.3.2SWIM（单线接口模块）禁用 默认情况下，一个单片机复位后，游泳引脚配置为允许通信与外部的调试工具或闪光 / EEPROM 编程。该引脚可以使用的应用程序作为一个通用 I / O。这是通过设置在 cfg_gcr 注册署点进行配置。 1.3.3 描述全局配置寄存器（cfg_gcr） 偏移地址：0x00 重置价值：0x00位 7:2 保留 点 1：激活水平 该位设置和清除软件。它的配置主要或只中断激活。 0： 主要激活水平。 一个中断返回指令引起的上下文是从堆栈和主程序检索继续 WFI 指令后。 1：只中断激活水平。一个中断返回指令使 CPU 回到 WFI /停止不恢复上下文模式。 0 位游泳社署：禁用 0：游泳模式启用 1：游泳模式禁用 当游泳模式被启用，游泳引脚不能作为通用 I/O。 1.3.4 全局配置寄存器图及复位值 是的 cfg_gcr STM8 的地址空间映射。的基地址参阅相应的数据表。2 启动 ROM 本节适用于低密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质+密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备 高密度 stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx 设备，除非另有规定。 内部 2 字节的引导 ROM 包含 bootloader 代码。它的主要任务是把应用程序下载到内部的 Flash / EEPROM 通过 USART1，USART2，usart3（在异步模式下，串行外设接口） ，SPI1 或 SPI2 界面和程序代码，数据，选择字节和中断向量在内部 Flash EEPROM。在可用的通 讯端口，详情请参阅产品说明书。 执行 bootlloading 林模式，不同的通信协议，对 Bootloader UART2 / uart3 和 UART1 实现。 引导装载程序开始执行复位后。指 STM8 引导用户手册（um0560）详情。 3 程序存储器和数据存储器 本节适用于低密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质+密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备 高密度 stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx 设备，除非另有规定。 3.1 引言 嵌入式 Flash 程序存储器和数据的 EEPROM 存储器是由一套共同控制寄存器。使用这些寄 存器，可编程或擦除的应用 记忆内容和设置写保护。也可以应用程序的装置 选项字节。 3.2 术语 ●块 一块是一组字节可编程或在一个单一的编程操作删除。这是块级进行操作的速度比标准 编程和擦除。在块尺寸，详见表 5。 ●页 一个网页是一组块。 选择专用字节可用于配置，通过增量的一页，用户代码和专有的代码的大小（可用时） 。 3.3 个主要的快闪存储器的特点 ●低密度 stm8l05xx / 15xx EEPROM 是分成三个内存阵列（参见 3.4 部分：对内存映射的细节记忆的组织） ： 多达 8 字节的嵌入式 Flash 程序 256 字节的数据存储器 C多达 64 选择字节（一块） Flash 的程序和数据的 EEPROM 寄存器区由一套共同控制，允许存储器内容进行编程或擦 除，写保护被激活。 没有读写网是支持这些设备。 ●介质和介质+密度 stm8l05xx / 15xx EEPROM 分为三 存储器阵列（见 3.4 节：在内存映射的细节记忆的组织） ： 多达 32 字节的嵌入式闪存程序到 1 字节的数据存储器 - 128 选择字节（一块）Flash 的程序和数据的 EEPROM 寄存器区由一套共同控制，允许存储器内容进行编程或擦 除，写保护被激活。 ●高密度 stm8l05xx / 15xx / 16xx EEPROM 是分成三个内存阵列 （见 3.4 节：在内存映射的细节记忆的组织） ： 64 字节的嵌入式 Flash 程序 C多达 2 字节数据存储器 - 128 选择字节（一块） Flash 的程序和数据的 EEPROM 寄存器区由一套共同控制，允许存储器内容进行编程或擦 除，写保护被激活。 ●编程模式 字节编程和自动快速字节编程（没有擦除操作）字编程 块编程和快速编程模式（没有擦除操作）-中断程序结束或擦除操作和非法程序生成 操作。 ●读而写能力（读写网） ●在应用编程（IAP）和在电路编程（ICP）的能力 ●保护功能 存储器读出保护（ROP） 程序存储器的存储器访问安全系统的写保护（质量 键） 数据存储器的存储器访问安全系统的写保护（质量键）-可编程写保护用户代码区（UBC） 。 -专有代码可用时自动读出保护区 ●记忆状态配置为运行或电源关闭模式（IDDQ）在等待模式（低 功率等）和运行方式（低功率运行） 3.4 记忆的组织 3.4.1 低密度设备的存储器组织 低密度 stm8l05xx / 15xx EEPROM 是分成三个内存阵列： ●多达 8 字节的 Flash 程序存储器分为 128 页，每个 64 字节。的 内存阵列是由 32 位字（每字 4 个字节） 。它包括两个方面： -用户启动代码区（UBC） 的主要程序区 第一块（128 字节）的 Flash 程序存储器（从 8000 开始地址 0 x00）包含中断向量。 ●256 字节的数据 EEPROM 组织在 4 页的 64 个字节。 ●一块选择字节（64 字节）坐落在一个单独的存储器阵列。 看下面的图描述的存储器组织。3.4.2 介质密度的装置记忆的组织 中密度 stm8l05xx / 15xx EEPROM 是分成三个内存阵列： ●多达 32 字节的 Flash 程序存储器分为 256 页，每个 128 字节。 内存阵列是由 32 位字（每字 4 个字节） 。它包括两个 地区： -用户启动代码区（UBC）的主要程序区 第一块（128 字节）的 Flash 程序存储器（从 8000 开始地址 0 x00）包含中断向量。 ●多达 1 个字节的数据存储器组织 8 页的 128 个字节。 ●一块选择字节（128 字节）坐落在一个单独的存储器阵列。 看下面的图描述的存储器组织。3.4.3 介质+密度装置记忆的组织培养基+密度 stm8l05xx / 15xx EEPROM 是分成三个内存阵列： ●32 字节的 Flash 程序存储器分为 128 页，每个 256 字节。的 内存阵列是由 32 位字（每字 4 个字节） 。它包括三个方面： -用户启动代码区（UBC） -专有代码区（PCODE）的主要程序区 第一块（128 字节）的 Flash 程序存储器（从 8000 开始地址 0 x00）包含中断向量。 ●多达 1 个字节的数据存储器组织 4 页的 256 个字节。 ●一块选择字节（128 字节）坐落在一个单独的存储器阵列。 图 6 描述的存储器组织。3.4.4 高密度存储器组织 高密度 stm8l05xx / 15xx / 16xx EEPROM 是分成三个内存阵列： ●64 字节的 Flash 程序存储器分为 256 页，每个 256 字节。的 内存阵列是由 32 位字（每字 4 个字节） 。它包括三个方面： -用户启动代码区（UBC） -专有代码区（PCODE）的主要程序区 第一块（128 字节）的 Flash 程序存储器（从 8000 开始地址 0 x00）包含中断向量。 ●达 2 字节的 EEPROM 中数据组织的 8 页的 256 个字节。 ●一块选择字节（128 字节）坐落在一个单独的存储器阵列。 图 6 描述的存储器组织。3.4.5 专有代码区（译） 专有的代码区（PCODE）可以用来保护专有软件库 用于驱动设备。只有在低，中，高密度器件。 的适合区域的大小可以通过 pcode 选项字节配置 （pcodesize）在 ICP 模式（使用游接口） 。此选项字节指定 数页（256 字节粒度）分配给适合面积从 8000 地址 0x00。一旦编程，Pcode 选项字节不能 被删除，并对适合面积的大小是固定的。 的适合面积最小的有意义的大小是 1 页（256 字节） ，128 个字节是用来存放中断向量。 而 pcode 启用陷阱中断向量是写保护。 在培养基+密度器件的面积，适合的最大尺寸是 128 页从 8000 到 FFFF 地址 0 x00 0x00。在 高密度的设备，适合区域的最大尺寸是 255 页从地址 0x00 0x01 7eff 8000。 Pcode 面积自动读出保护除了陷阱中断向量 （见第 3.5.1：读出保护，表 6：内存访问与编程 方法（低密度的装置） ，表 7：内存访问与编程方法 （中密度的设备）和表 8：内存访问与编程方法 （中+高密度器件） ） 。读出保护不能在这个被禁用 面积。这意味着 Pcode 区的内容不能读取或修改。 Pcode 地区只能通过陷阱向量访问。 3.4.6 用户区（UBC） 用户引导区（UBC）包含复位和中断向量。它可以用来 商店的 IAP 和通信例程。UBC 区具有保护的第二级 为了防止意外擦除或修改在 IAP 编程。这意味着它 总是写保护，写保护，无法利用大众的钥匙开启。 UBC 的面积大小可以通过阅读 UBC 选项字节得到。 UBC 的面积的大小，可以配置在 ICP 模式（使用游接口）通过 UBC 选项字节。UBC 选项字节指定分配的页数为 UBC 面积从 8000 地址 0x00。 在中密度 stm8l05xx / 15xx 设备，UBC 的面积最小的有意义的大小是 2 页，其中 1 是用来存 放中断向量。 在低，中，高密度器件，UBC 的面积最小的有意义的大小是 1 页，其中 128 字节用于存储 中断向量。 注意：当一个适合地区已被定义，UBC 的最小尺寸应 pcodesize + 1。可用存储启动代码 UBC 的部分地区位于 Pcode 区端和所定义的 UBC 区端之 间。 在高密度 stm8l05xx / 15xx / 16xx 装置，对引导区的最大大小为 255 从 8000 页地址 0 x00 0x01 7eff（包括中断向量） 。 在培养基+密度 stm8l05xx / 15xx 装置，对引导区的最大大小为 128 从 8000 页地址 0 x00 0x00 FFFF（包括中断向量） 。 在中密度 stm8l05xx / 15xx 装置，对引导区的最大大小为 255 从 8000 页地址 0 x00 0x00 ff7f（包括中断向量） 。 参考图 7，图 8，图 9 和图 10 的不列颠哥伦比亚大学的区域描述 内存映射和在数据表选项字节段在 UBC 选项字节的更多细节。
3.4.7 数据的 EEPROM（数据） 数据 EEPROM 面积可用于存储应用程序数据。默认情况下，数据区是写保护来防止意外修 改时，主程序是在 IAP 模式更新。写保护只能使用特定的质量关键解锁 序列（参阅启用写入访问的数据区） 。 数据区的大小是低密度 stm8l15xx 装置 256 字节，1 字节在 媒介和媒介+密度 stm8l15xx 器件和高密度 2 字节 stm8l15xx / 16xx 设备。从地址 0x00 1000（见图 4，图 5 和 图 6） 。 数据区域的大小限制为 256 字节 stm8l05xx 价值线装置。 3.4.8 主程序区 主程序的区域，开始在 UBC 或 pcode 结束（当 可用） ，在地址 0x00 9fff 对低密度 stm8l05xx / 15xx 两端的设备， 0x00 FFFF 中介质+密度 stm8l05xx / 15xx 0x01 7fff 设备和高密度 stm8l05xx / 15xx / 16xx 设 备。它是用来存储程序代码（见图 4，图 5 和图 6） 。 3.4.9 选项字节 选项字节用于配置设备的硬件功能和内存保护。 他们都位于一个专用存储器阵列的一块。 选项字节可以修改 ICP /游泳和 IAP 模式， 除了 ROP 和 UBC 和 pcodesize（可用时） 。 在选择字节的更多信息是指在数据表选项字节段，和 STM8 游泳协议和调试模块用户手册 （um0470）有关细节，它们如何编程。 3.5 内存保护 3.5.1 读出保护 读出的保护是通过编程删除 0xAA ROP 选项字节。什么时候 读出启用保护，阅读或修改 Flash 程序存储器和数据 在 ICP 模式区（使用游接口）是被禁止的，不管写保护 设置。 即使没有保护可以被视为完全牢不可破，读出功能提供了很高的水平保护一个通用微控制器。 读出保护可以在程序存储器，禁用 UBC，pcode（可用时）和数据区，通过 ICP 的 ROP 选 项字节编程模式。 在这种情况下， 闪存程序存储器， 数据区域， 选择自动擦除和字节可编程。 默认情况下，该地区一直是适合读出保护除中断向量的陷阱（见第 3.4.5：专有的代码区 （PCODE） ） 。 参考表 7：内存访问与编程方法（中密度的设备）的细节时，读出存储器访问保护启用或禁 用。 3.5.2 内存访问安全系统（质量） 复位后，主程序和数据的区域，防止无意的写操作。他们必须解锁之前试图修改其内容。这 个解锁机构由存储器访问安全系统管理（质量） 。 在 UBC 选项字节指定 UBC 区域总是写保护（见第 3.4.6：用户区（UBC） ） 。 曾经的记忆已被修改，建议启用写保护又保护存储内容的反腐败。 启用写入访问主程序存储器 设备复位后， 可以禁用主程序存储器写连续两个值称为质量的关键 flash_pukr 寄存器写保护 （见第 3.9.3：Flash 程序存储器解密密钥寄存器（flash_pukr） ） 。这些编程键，然后比较两个 硬件键值： ●第一硬件的关键：0b（0x56） ●二硬件关键：0b（0xae） 下面的步骤是必需的禁用写主程序保护区： 1。写一个第 8 位输入 flash_pukr 寄存器。当这个寄存器写 复位后的第一时间，数据总线的内容不锁存到寄存器，但相比于第一硬件键值（0x56） 。 2。如果该键可在数据总线上是不正确的，这是 flash_pukr 寄存器 锁定，直到下一个复位。任何新的写命令发送到这个地址是 丢弃的。 3。如果第一个硬件的关键是正确的当 flash_pukr 寄存器写的 第二次，数据总线的内容还不锁存到寄存器，但相对于第二硬件键值（0xae） 。 4。如果该键可在数据总线上是不正确的，写保护程序 记忆保持锁定状态，直到下一个复位。任何新的写命令发送到这个地址被丢弃。 5。如果第二硬件的关键是正确的，主要是未受保护的程序存储器的写 并对 flash_iapsr 普勒位设置（见第 3.9.5：闪光状态寄存器（flash_iapsr） ）登记。 在开始编程，应用程序必须确认普勒位有效集。应用程序可以选择，在任何时候，禁用再次 通过清除脉冲点写访问 Flash 程序存储器。 使写入数据区 设备复位后， 可以禁用数据区的连续两个值称为大众写作的关键 flash_dukr 寄存器写保护 （见 部分 3.9.6：闪光寄存器映射和复位值） 。这些编程键，然后比较两个硬件键值： ●第一硬件的关键：0b（0xae） ●二硬件关键：0b（0x56） 需要下列步骤禁用写数据区域的保护： 1。写一个第 8 位输入 flash_dukr 寄存器。当这个寄存器写 复位后的第一时间，数据总线的内容不锁存到寄存器，但相比于第一硬件键值（0xae） 。 2。如果该键可在数据总线上是不正确的，应用程序可以输入两个质量 尝试取消数据区键。 3。如果第一个硬件的关键是正确的，flash_dukr 寄存器编程与 第二个关键。数据总线的内容还不锁存到寄存器，但相对于第二硬件键值（0x56） 。4。如果关键的可用数据总线上的数据是不正确的，是写 EEPROM 区 直到下一个复位保护。任何新的写命令发送到这个地址被忽略。 5。如果第二硬件的关键是正确的，数据区是写不安全和 DUL 位的 flash_iapsr 寄存器设置（见第 3.9.5：闪光状态寄存器（flash_iapsr） ） 。 在开始编程，应用程序必须确认数据区域不写 通过检查， 有效地保护 DUL 点集。 应用程序可以选择， 在任何时候， 禁用再次通过清除 DUL 点写入数据区。 3.5.3 使写访问选项字节 写访问选项字节区域可以通过设置选择点闪光控制寄存器 2 启用（flash_cr2） 。 3.6 存储器编程 主程序存储器，和数据区必须解锁之前 执行任何程序操作。 解锁机制取决于内存区被编程为在 3.5.2 节描述： 内存访问安全系统 （质 量） 。 注：Pcode 区域总是读出保护。唯一的办法是重新改编 ROP 选项字节，因此擦除 Flash 程序存储器，数据区，并选择字节。 3.6.1 同时读写（读写网） RWW 特征可以对数据进行读写操作，EEPROM 和执行程序存储器。因此，优化的执行时间。相反的 操作是不允许的：数据存储器时不能被写入程序存储器读。 该读写网特征是始终启用的，随时可以用。 注：RWW 特征对低密度的设备不可用。参考表 附加信息。 3.6.2 字节编程 主程序存储器和数据区域可以在字节级程序。程序一个字节，应用直接写入目标地址。 ●在主程序存储器： 对字节的程序运行时间的应用程序停止。●在数据区： -停止执行程序在D高电压‖操作，即当 该 hvoff 标志设置，和字节进行编程操作使用 同时读写（读写网）在 IAP 模式的能力。 删除一个字节 0x00，简单地写在相应的地址。 应用程序可以读取 flash_iapsr 注册验证，编程或擦除操作已被正确地执行： ●EOP 标志设置一个成功的编程操作之后 ●wr_pg_dis 设置当软件试图写一个受保护的页面。在这 的情况下，写不执行程序。 当其中一个标志被设置，一瞬间中断如果先前已设置的 flash_cr1 寄存器 IE 点使产生。 自动快速字节编程 编程时间可以根据目标地址的初始含量变化。 如果字 （4 字节） 包含字节进行编程不是空的， 整个世界被自动删除该程序运行之前。相反，如果这个词是空的，没有执行擦除操作和编程 时间短（见 tprog 表 DFlash 程序存储器在数据表） 。 然而，在编程的时候可以通过设置的 flash_cr1 固定点固定 注册程序的操作系统力擦除字节无论其内容（见第 3.9.1：闪光控制寄存器 1（flash_cr1） ） 。 编程时间 因此，固定的和相等的擦除和写入时间总和（见表DFlash 程序存储器在数据表 tprog） 。注：写一个字节的快速（没有删除） ，整个字（4 字节）为其书写必须 删除以前的。因此，它是不可能做的两种快速写入同一个词（不擦除前二写） ：第一次写会 快但二写的其他字节需要擦除。 3.6.3 字编程 一个字写操作可以在一个镜头一个 4 字节编程的话，从而最大限度地减少编程时间。 对于字节编程，word 操作都可以为主要的程序存储器和数据存储器。读而写（读写网）的 能力也可以当一个词 编程操作在数据 EEPROM 进行。参考表 附加信息。 ●在主程序存储器： 对字节的程序运行时间的应用程序停止。●在数据区： 程序执行不停止，和字节进行编程操作 使用同时读写（读写网）在 IAP 模式的能力。 程序一词，在 flash_cr2 寄存器 WPRG 位必须预先设定 使字编程模式（见第 3.9.2：闪光控制寄存器 2 （flash_cr2） ） 。然后，4 个字节的字进行编程，必须加载启动 与第一个地址。编程周期开始时自动 4 字节，有 被写。 对于字节操作，EOP 和 flash_iapsr 的 wr_pg_dis 控制标志，结合 Flash 中断，可以用来确定 是否已正确完成操作。 3.6.4 块编程 块程序操作比字或字节编程操作要快得多。 在一块的程序操作， 一块是整个程序或在一个单 一的编程周期擦除。请参考表 5 的块的大小根据设备。 块可以执行的操作都在主程序存储器和数据区：●在主程序存储器： 块程序操作主程序存储器必须完全从 RAM 中执行。 ●在数据区 数据块的操作可以从主程序存储器执行。不过， 数据加载阶段（见下文）已被处决的 RAM。 有三种可能的块操作： ●块编程，也被称为标准块编程：块 自动擦除之前被编程。 ●快速块编程：不执行任何先前抹除操作。●块擦除 在块编程，硬件中断屏蔽。 标准块编程 标准块程序操作允许整个块被写在一个镜头。块擦除之前自动编程。 程序一块在标准模式下，在 flash_cr2 PRG 点必须登记 预先设置为启用标准块编程（见第 3.9.2：闪光控制 寄存器 2（flash_cr2） ） 。然后，数据被编程的块必须加载 依次向目的地地址在主程序存储器或数据区域。这 使所有数据的字节被锁定。开始编程整个街区，所有字节 数据必须写。用编程序列中的所有字节必须在同一 块。这意味着，它们必须有相同的高地址：只有六个最重要的 的地址位可以改变。当目标块的最后一个字节加载的， 程序自动启动。它是由一个自动擦除操作的整个街区。 EOP 和 wr_pg_dis 控制标志的 flash_iapsr 一起闪光中断可以用来确定是否已正确完成操作。 快速编程 快速编程可编程不先擦除存储器内容。快速编程是两倍的标准编程一样快。 该模式仅用于已擦除编程部分。这是非常 可编程的空白部分的完整的应用程序代码，为节省时间是重要的。 快速编程是通过使用相同的序列作为标准块进行 编程。为了使快速块编程模式，在 flash_cr2 注册财务计划与报表生成点必须预先设定。 EOP 的 flash_iapsr 寄存器 wr_pg_dis 比特可以检查以确定是否快速块编程操作已完成。 注意：在块中编程的数据并不能保证当块不是空白之前 快速块程序操作。 块擦除 一块擦除允许整个块被删除。 擦除整个块，擦除位在 flash_cr2 寄存器必须预先设置为使块擦除（见第 3.9.2：闪光控制寄 存器 2（flash_cr2） ） 。块然后被写作D0x00 00 00 00‖块内的任何字。单词开始 地址必须以D0‖，D4‖，D8‖，或DC‖。 EOP 和 wr_pg_dis 控制标志的 flash_iapsr 一起闪光中断可以用来确定是否已正确完成操作。3.6.5 选项字节编程 选项字节编程的数据字节的 EEPROM 编程非常相似。 应用直接写入到目标地址。程序不停止写操作使用能力进行读写网。 期权的字节内容详见数据表。 Flash 3.7 的低功耗模式 所有 stm8l05xx / 15xx / 16xx Flash 程序存储器和数据存储器有一个低 消费模式，IDDQ。在静态电流模式，记忆是关闭的。它是用于任何设备的低功耗模式：主 动停止，停止，低功耗等，和低功率运行。 当 eepm 位设置在 flash_cr1 寄存器，Flash 程序存储器和数据 EEPROM 的 IDDQ 模式时自动进入执行代码从 RAM 或当设备处于待机模式。 请参阅第 3.9.1：闪光控制寄存器 1（flash_cr1）有关 waitm 和 eepm 位。 当闪存程序存储器和数据存储器退出 IDDQ 模式，恢复时间小于 2.8? 和取决于电源电压和 温度。 3.8 例 ICP 和 IAP 在电路编程（ICP）方法用于更新内存中的全部内容，用游泳的用户界面的应用程序负载到 微控制器。ICP 提供快速、高效的设计迭代和消除不必要的包装处理设备或镶嵌。游泳接口 （单线接口模块）使用游泳引脚连接到编程工具。 在对比的方法， 在应用编程 （IAP） 可以使用任何通信接口的微控制器支持 （I / O ， I2C， SPI， 串行口……）下载的数据将在内存的程序。IAP 允许 Flash 程序存储器的内容被重新执行应用程序期间。然而，应用程序的一部分必须是以前的编程使用 ICP 的 Flash 程序存储器。 参阅 STM8L 闪存编程手册（pm0054）和 STM8 游泳协议和调试手册（um0470）在规划程 序的更多信息。1。R / W / E =读，写，和执行 的 R / E =读取和执行（写操作被禁止的） （R =读写和执行操作的禁止） P =该地区无法访问（读和写操作，执行禁止）P / wrop =写保护，禁止除 ROP 选项字节。 2。当没有 UBC 地区已被定义，中断向量，除了陷阱，可以修改用户/ IAP 模式。 3。如果一个适合地区已被定义，陷阱向量不能在用户和 IAP 模式修改，否则陷阱如下 其他的中断向量相同的规则。 4。Flash 程序存储器的写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_pukr。它是 可以锁定的记忆再次被重置的 flash_iapsr 寄存器等位。解锁只能做一次两个复位。如果提供 了不正确的键，设备必须重置和新钥匙编程。 5。数据存储器的写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_dukr。这是可能的 锁的记忆再次被重置的 flash_iapsr DUL 位寄存器。如果提供了不正确的键，另一个关键 程序序列可以不重置设备进行。 6 的面积。PCODE 可以读取和执行只有在特权模式通过陷阱向量。Pcode 不能 直接通过游泳访问。 7。选项字节写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_dukr（与选择设置为 1。可以锁定记忆再次被重置的 flash_iapsr DUL 位寄存器。如果提供了不正确的键，另一个 关键的程序序列可以不重置设备进行。 8。当 ROP 被删除，整个存储器被清除，包括选择字节。1。R / W / E =读，写，和执行 的 R / E =读取和执行（写操作被禁止的） （R =读写和执行操作的禁止） P =该地区无法访问（读和写操作，执行禁止）P / wrop =写保护，禁止除 ROP 选项字节。 2。当没有 UBC 地区已被定义，中断向量，除了陷阱，可以修改用户/ IAP 模式。 3。Flash 程序存储器写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_pukr。它是 可以锁定的记忆再次被重置的 flash_iapsr 寄存器等位。解锁只能做一次 两个复位。如果提供了不正确的键，设备必须重置和新钥匙编程。 4。数据存储器的写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_dukr。这是可能的 锁的记忆再次被重置的 flash_iapsr DUL 位寄存器。如果提供了不正确的键，另一个关键 程序序列可以不重置设备进行。 5。哥伦比亚地区的应用程序必须首先明确 UBC 选项字节。 6。选项字节写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_dukr（与选择设置为 1。可以锁定记忆再次被重置的 flash_iapsr DUL 位寄存器。如果提供了不正确的键，另一个 关键的程序序列可以不重置设备进行。 7。当 ROP 被删除，整个存储器被清除，包括选择字节。1。R / W / E =读，写，和执行 的 R / E =读取和执行（写操作被禁止的） （R =读写和执行操作的禁止） P =该地区无法访问（读和写操作，执行禁止）P / wrop =写保护，禁止除 ROP 选项字节。 2。当没有 UBC 地区已被定义，中断向量，除了陷阱，可以修改用户/ IAP 模式。 3。如果一个适合地区已被定义，陷阱向量不能在用户和 IAP 模式修改，否则陷阱如下 其他的中断向量相同的规则。 4。Flash 程序存储器的写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_pukr。它是 可以锁定的记忆再次被重置的 flash_iapsr 寄存器等位。解锁只能做一次两个复位。如果提供 了不正确的键，设备必须重置和新钥匙编程。 5。数据存储器的写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_dukr。这是可能的 锁的记忆再次被重置的 flash_iapsr DUL 位寄存器。如果提供了不正确的键，另一个关键程序序列可以不重置设备进行。 6 的面积。PCODE 可以读取和执行只有在特权模式通过陷阱向量。Pcode 不能 直接通过游泳访问。 7。不列颠哥伦比亚地区的应用程序必须首先明确 UBC 选项字节。 8。选择字节写保护（锁定）直到正确的质量关键是写在 flash_dukr（与选择设置为 1。可以锁定记忆再次被重置的 flash_iapsr DUL 位寄存器。如果不正确的钥匙 提供，另一个关键的计划的顺序可以不重置设备进行。 9。当 ROP 被删除，整个存储器被清除，包括选择字节。 3.9 闪光寄存器 3.9.1 闪光控制寄存器 1（flash_cr1） 偏移地址：0x00 重置价值：0x007 位：保留 3 位 eepm：Flash 的程序和数据的 EEPROM 的 IDDQ 模式选择在运行，低功率运行 低功率待机模式 0：eepm 被硬件清除后，闪光的程序或数据 EEPROM 存储器 访问。通过软件清除该位不退出的记忆从 IDDQ 模式。 1：当执行代码从 RAM，EEPROM 的 Flash 程序和数据输入的 IDDQ 模式如果 eepm 设置。 Flash 的程序和数据的 EEPROM 保持 IDDQ 模式到下一个程序或数据 EEPROM 存储器访问。 参考 7.6 节：低功率运行模式 80 页。 2 位 waitm：Flash 的程序和数据的 EEPROM 的 IDDQ 模式在等待模式 该位设置和清除软件。 0：Flash 的程序和数据的 IDDQ 模式不 EEPROM 当装置处于等待模式 1：Flash 的程序和数据的 EEPROM IDDQ 模式当设备处于待机模式。 1 位即：Flash 中断使能 该位设置和清除软件。0：禁止中断 1：中断使能。中断如果在 flash_iapsr 寄存器 EOP 或 wr_pg_dis 标志设置生成。 0 位固定：固定的字节编程时间 该位设置和清除软件。 0：标准的编程时间（1 / 2 tprog）如果记忆已经删除，否则 tprog。 1：规划时间固定在 tprog。 3.9.2 闪光控制寄存器 2（flash_cr2） 偏移地址：0x01 重置价值：0x007 位字节写选择：选择 该位设置和清除软件。 0：写访问选项字节残疾1：写访问选项字节启用 6 位 WPRG：字编程 这一点是由软件设置和清除的硬件操作完成时。0：Word 程序运行的残疾 1：Word 程序操作启用 5 位（1） ：擦除块擦除 这一点是由软件设置和清除的硬件操作完成时。 0：块擦除操作禁用 1：块擦除操作启用 4 位财务计划与报表生成（1） ：快速块编程 这一点是由软件设置和清除的硬件操作完成时。 0：快速程序操作禁用 1：快速程序操作启用 位 3:1 保留 0 位 PRG：标准块编程 这一点是由软件设置和清除的硬件操作完成时。 0：标准块编程操作禁用 1：操作标准块编程功能（自动擦除） 1。擦除和财务计划与报表生成位被锁定的内存是忙时。 3.9.3 Flash 程序存储器的解密密钥寄存器（flash_pukr） 偏移地址：0x02 重置价值：0x00位 7:0 PUK [7:0]：主程序存储器解锁钥匙 这个字节写的软件（所有模式） 。它返回 0x00 阅读时。 是指能写 47 页上的描述于主程序的内存访问 主写程序区解除保护机制。 3.9.4 数据 EEPROM 保护关键寄存器（flash_dukr） 偏移地址：0x03 重置价值：0x00位 7:0 DUK [7:0]：数据的 EEPROM 写解锁钥匙 这个字节写的软件（所有模式） 。它返回 0x00 阅读时。 指允许写访问的数据区 48 页主要描述 写程序区解除保护机制。 3.9.5 闪光状态寄存器（flash_iapsr） 地址偏移寄存器 重置价值：0x407 位保留。 6 位 hvoff：高电压端 该位设置和清除的硬件。 0：高压，实际编程开始 1：高压下，端电压高 3 位 DUL：数据 EEPROM 区打开国旗 这一点是通过硬件和软件的编程，它通过 0。0：数据的 EEPROM 写保护功能区 1：数据的 EEPROM 写保护区已被禁用写下正确的质量 键 2 位 EOP：端编程（写入或擦除操作）旗 这一点是由硬件。它是通过软件通过读取寄存器，或当一个新的写/擦除操作开始。 0：没有 EOP 事件发生 1：一个 EOP 操作发生。中断如果 IE 的位被设置在 flash_cr1 寄存器产生。 1 位普勒：Flash 程序存储器解锁旗 这一点是通过硬件和软件的编程，它通过 0。0：写保护功能的主程序区 1：写主程序保护区已被禁用写下正确的质量 键。 0 位 wr_pg_dis：写试图保护的页面标记 这一点是由硬件和软件通过读取寄存器清除。0：没有 wr_pg_dis 事件发生 1：写一写保护的页面出现的尝试。中断如果 IE 的位被设置在 flash_cr1 寄存器产生。 3.9.6 Flash 寄存器图及复位值 在 Flash 寄存器边界地址的详细信息，参见通用硬件寄存器 图中的数据表。4 单线接口模块（SWIM）和调试 模块（DM） 本节适用于低密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备，介质+密度 stm8l05xx / stm8l15xx 设备 高密度 stm8l05xx / stm8l15xx / stm8l16xx 设备，除非另有规定。 4.1 引言 在电路调试模式或在电路编程模式是通过一个单一的线的硬件接口具有超快存储器编程管 理。再加上一个在电路调试模块，它还提供了一种非侵入性的仿真模式，使电路 调试极其强大的，接近的性能的一个全功能的仿真器。 4.2 个主要特征 ●基于异步，高汇（8 毫安） ，漏极开路，双向通信。●允许读取或写入内存空间的任何部分。 ●获得 CPU 寄存器（A，X，Y，CC，SP） 。他们是内存映射为读或写 访问。 ●非侵入性的读/写上飞到内存和外设寄存器。 游泳引脚可以作为一个标准的 I / O 的一些限制，如果你还想用它来调试。最安全的方式是 提供 PCB 上的一个带选项。4.3 游泳模式 上电复位后，游泳是复位并进入关闭模式。 1。关：上电复位后的默认状态。游泳引脚不能使用的 应用作为一个 I / O。 2。I / O：这种状态是由软件编写在全局配置社会福利署点进入 寄存器（cfg_gcr） 。在这种状态下，游泳引脚可以作为一个标准的 I / O 引脚的应用。在复位 的情况下，游