我的DIY M8晶体管测试仪的经验 (amoBBS 阿莫电子论坛)
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我的DIY M8晶体管测试仪的经验 (amoBBS 阿莫电子论坛)
&最近好几个网站都在DIY晶体管测试仪。我前不久也用洞洞板做了一个，精度还可以
10K AE金属箔电阻
10K AE金属箔电阻 (原文件名:nEO_IMG_100_6739.jpg)
5K AE金属箔电阻
5K AE金属箔电阻测试 (原文件名:100_6743.JPG)
2.5KAE金属箔电阻
2.5K AE金属箔电阻测试 (原文件名:nEO_IMG_100_6741.jpg)
250RAE金属箔电阻
250R AE金属箔电阻 (原文件名:nEO_IMG_100_6740.jpg)
除了电容，其它类型元件的测试和电阻一样，但是我没有精度可靠的元件，加上晚上拍效果不好就不拍了。
另外安装的时候因为螺丝滑丝了，直接用万能胶粘上了就不放裸照了
这个晶体管测试仪也是根据一个德国人的开源项目做的，原始资料地址是 http://www.mikrocontroller.net/articles/AVR-Transistortester
这个网页有原理说明，原理图和源代码。
下面是我的其他元件的测试结果
红色发光LED： Diode: A=2;K=1
& && && && &&&Uf=1967mV
绿色发光LED： Diode: A=2;K=1
& && && && &&&Uf=2926mV
整流桥1-交流；2-交流；3-负电压端：Double Diode CA
& && && && && && && && && && && & A=3;K1=2;K2=1
SR360:Diode: A=2;K=1
& && &Uf=209mV
8050: NPN 1=E;2=B;3=C
& && &hFE=22 Uf=754mV
TIP35C: NPN 1=B;2=C;3=E
& && &&&hFE=46 Uf=603mV
BC557: PNP 1=C;2=B;3=E
& && & hFE=43 Uf=793mV
2N7000： N-E-MOS C=0.12n
& && && &GDS=231 Vt=1550m(V超出显示不出来了)
电容没有电容表，所以无法确定测量精度，不过经过多个测试，感觉还可以
104CBB： 100.23nF
105CBB： 1.00uF
104绿色WIMA：101.45nF
0.47uF红色WIMA：507.15nF
1uF红色WIMA：1.08uF
225CBB：2.20uF
47uF无极性电解电容：48.87uF
22uF电解：21.53uF
1000uF电解：1263.67uF （测试时间需10秒左右）
6800uF电解：7099.87uF （测试时间需30秒左右）
10000uF电解：9225.12uF （测试时间更长，其中几次还误报为小电阻，呵呵充电电流太小了）
下面说说我的制作过程中的几个小经验
原电路图：
电路图 (原文件名:Schaltplan_transistortester.png)
其原来的设计是使用9V电池，但是我不用考虑外出携带，不在乎功耗，所以那几个3级管构成的开机电路我就取消了，直接使用内置小变压器供电。整个设计使用元件极少，所以用洞洞板做也很方便。
不过我保留了检测供电电压的那两个电阻R11，R12用来校准M8内部ADC。根据实际测量值计算转换因子。
程序中查找“diodes[NumOfDiodes].Voltage = (adcv[1]*54/11);”将其中的54和11换成根据实际测量值得出的转换因子。例如我的是 diodes[NumOfDiodes].Voltage = (adcv[1]*1115UL/229UL);
测试使用AVCC作为基准电压，大家在制作时可以使用LM317供电，加上可调电阻调整供电电压为4.096V这样AD转换线性度较好。我恰好手上没有，用的7805。
采样电阻R1~R7对结果影响很大，我花4块钱买了1%精度的金属膜电阻各100个，从中挑选出3对阻值最接近的。没有1%的普通5%的也行，只要每种3个电阻的阻值尽量接近就行不用非要恰好是680和470K，可以通过程序中的
#define R_L_VAL 680
#define R_H_VAL 470000UL
这两个地方更改。最重要是的每种3个阻值要尽量一致，不然引脚和测试线的连接不同测试结果也会不同。
---------------------------------------------------------------------------
ReadADC我稍微更改了一下，不过其实对结果和精度影响应该不大或者说几乎没有。
unsigned int ReadADC(uint8_t mux) {
& & & & //ADC通道初始化
& & & & ADMUX = mux | (1&&REFS0); //采用内部基准，参考电压REFS0始终为1
& & & && && && && && && && && && &//采用AVCC或内部基准由参数mux引入
& & & & //第一次测量值抛弃
& & & & ADCSRA |= (1 && ADSC);
& & & & while((ADCSRA & (1&&ADSC)) != 0);
& & & & //对ADC采样22次去除最大值和最小值后返回20次有效采样的平均值
& & & & unsigned int adcx = 0;
& & & & unsigned int adcx_max = 0;
& & & & unsigned int adcx_min = 0;
& & & & unsigned int adcx_t = 0;
& & & & for(unsigned char ti = 0; ti& 22; ti++)
& & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & ADCSRA |= (1 && ADSC);
& & & & & & & & & & & & while((ADCSRA & (1&&ADSC)) != 0);
& & & & & & & & & & & & adcx_t = ADCW;
& & & & & & & & & & & & if( ti == 0)
& & & & & & & & & & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & adcx_max = adcx_t;
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & adcx_min = adcx_t;
& & & & & & & & & & & & & & & & }
& & & & & & & & & & & & if(adcx_t & adcx_max)
& & & & & & & & & & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & adcx_max = adcx_t;
& & & & & & & & & & & & & & & & }
& & & & & & & & & & & & if(adcx_t & adcx_min)
& & & & & & & & & & & & & & & & {
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & adcx_min = adcx_t;
& & & & & & & & & & & & & & & & }
& & & & & & & & & & & & adcx = adcx + adcx_t;
& & & & & & & & }
& & & & adcx = (adcx - adcx_max - adcx_min) / 20;
---------------------------------------------------------------------------------------
源程序的显示是德文的，我改成了英文，注意我加了几个我用到的字符串
unsigned char TestRunning[] EEMEM = "Testing...";
unsigned char Bat[] EEMEM = "Battery ";
unsigned char BatWeak[] EEMEM = "Weak";
unsigned char BatEmpty[] EEMEM = "Empty!";
unsigned char TestFailed1[] EEMEM = "No Component or ";
unsigned char TestFailed2[] EEMEM = "Damaged& && && &";
unsigned char Bauteil[] EEMEM = "Component";
unsigned char Unknown[] EEMEM = " Unknown";
unsigned char Diode[] EEMEM = "Diode: ";
unsigned char DualDiode[] EEMEM = "Double Diode ";
unsigned char TwoDiodes[] EEMEM = "2 Diodes";
unsigned char Antiparallel[] EEMEM = "Antiparallel";
unsigned char InSeries[] EEMEM = "in Serie A=";
unsigned char mosfet[] EEMEM = "-MOS";
unsigned char emode[] EEMEM = "-E";
unsigned char dmode[] EEMEM = "-D";
unsigned char jfet[] EEMEM = "-JFET";
unsigned char Thyristor[] EEMEM = "Thyristor";
unsigned char Triac[] EEMEM = "Triac";
unsigned char A1[] EEMEM = ";A1=";
unsigned char A2[] EEMEM = ";A2=";
unsigned char K1[] EEMEM = ";K1=";
unsigned char K2[] EEMEM = ";K2=";
unsigned char hfestr[] EEMEM ="hFE=";
unsigned char NPN[] EEMEM = "NPN";
unsigned char PNP[] EEMEM = "PNP";
unsigned char t1str[] EEMEM = " 1=";
unsigned char t2str[] EEMEM = ";2=";
unsigned char t3str[] EEMEM = ";3=";
unsigned char gds[] EEMEM = "GDS=";
unsigned char Uf[] EEMEM = "Uf=";
unsigned char vt[] EEMEM = "Vt=";
unsigned char mV[] EEMEM = "mV";
unsigned char Anode[] EEMEM = "A=";
unsigned char Gate[] EEMEM = "G=";
unsigned char TestTimedOut[] EEMEM = "Timeout!";
unsigned char DiodeIcon[] EEMEM = {4,31,31,14,14,4,31,4,0};& & & & //Dioden-Icon
unsigned char OrBroken[] EEMEM = "or Damaged ";
unsigned char Resistor[] EEMEM = "Resistance: ";
unsigned char NullDot[] EEMEM = "0,";
unsigned char GateCap[] EEMEM = " C=";
unsigned char Capacitor[] EEMEM = "Capacitor: ";
---------------------------------------------------------------------------------------------
源程序对3级管的显示是 B=?;C=?;E=?，我感觉不习惯改成了按测试引脚顺序显示
1=？；2=？；3=？
个人习惯而已，改不改无所谓
源程序是：
& && &&&lcd_eep_string(bstr);& & & & //B=
& && &&&lcd_data(b + 49);
& && &&&lcd_eep_string(cstr);& & & & //;C=
& && &&&lcd_data(c + 49);
& && &&&lcd_eep_string(estr);& & & & //;E=
& && &&&lcd_data(e + 49);
我替换成：
& && &&&lcd_eep_string(t1str);
& && &&&if(b==0)
& && && && &lcd_data('B');
& && &&&if(c==0)
& && && && &lcd_data('C');
& && &&&if(e==0)
& && && && &lcd_data('E');
& && &&&lcd_eep_string(t2str);
& && &&&if(b==1)
& && && && &lcd_data('B');
& && &&&if(c==1)
& && && && &lcd_data('C');
& && &&&if(e==1)
& && && && &lcd_data('E');
& && &&&lcd_eep_string(t3str);
& && &&&if(b==2)
& && && && &lcd_data('B');
& && &&&if(c==2)
& && && && &lcd_data('C');
& && &&&if(e==2)
& && && && &lcd_data('E');
MOS管的显示原设计也是按固定顺序而不是引脚顺序，但是我很少用MOS所以懒得改了
---------------------------------------------------------------------------------------
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　　　　　专利　
发明名称　
　　　　　　　　　　 >>
晶体管在线测试仪
“双极性脉冲输出互补多谐振荡电路”是电子技术中的常用电路。它使用一级晶体管双稳电路与一级自由多谐振荡电路互补联接，组成一个具有双极性脉冲输出的互补自由多谐振电路，采用达林顿管代替电路中的单管，可使用在大功率输出的场合。该振荡电路线路简单，元件数目少，成本低。其可广泛用于小型便携式电子仪器设备中，为其提供振荡电源、功率升压装置或变频装置，还可作为大功率逆变装置。
晶体管在线测试仪 晶体管在线测试仪，包括若干个稳压器和指示器，有一控制电压极性来回变化的双极性脉冲输出振荡电路，本实用新型的特征在于：双极性脉冲输出多谐振荡电路中有一级双稳电路，且双稳电路与一级多谐振荡器在输出中采取互补方式连接，全部电路由四只晶体管组成。
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