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当前位置: > > 《电子技术基础》 电子图书排行 电子图书推荐 电子技术基础 图书作者:小兰 浏览次数: 图书分类:[] 连载完成:已完成连载 上架时间: 最新章节: 图书介绍: 本书主要讲解逻辑电路和数字电子,共分七章,第一第四章为逻辑电路,第五六七章为数字电子。 逻辑电路部分主要介绍数字逻辑基础、晶体管开关与逻辑门电路、组合逻辑电路的分析、时序逻辑电路。数字电子部分主要半导体存储器和可编程逻辑器件,脉冲波形的产生与变换、集成数模和模数转换器的原理和组成。前部分以基本概念、基本方法为主;后部分以应用和使用方法为主。 第一章 数字逻辑基础 第二章 晶体管开关与逻辑门电路 第三章 组合逻辑电路的分析 第四章 时序逻辑电路 第五章 半导体存储器和可编程逻辑器件 第六章 脉冲波形的产生与变换 第七章 集成数模和模数转换器的原理和组成 章节列表: 第1章 数字逻辑基础 第2章 晶体管开关与逻辑门电路 第3章 组合逻辑电路的分析 第4章 时序逻辑电路 第5章 半导体存储器和可编程逻辑器件 第6章 脉冲波形的产生与变换 第7章 集成数模和模数转换器的原理和组成 Powered by: 电子发烧友 ( . .All Rights Reserved 粤ICP备号更多频道内容在这里查看 爱奇艺用户将能永久保存播放记录 过滤短视频 暂无长视频(电视剧、纪录片、动漫、综艺、电影)播放记录, 使用您的微博帐号登录,即刻尊享微博用户专属服务。 使用您的QQ帐号登录,即刻尊享QQ用户专属服务。 使用您的人人帐号登录,即刻尊享人人用户专属服务。 按住视频可进行拖动 &正在加载... 请选择打赏金额: 把视频贴到Blog或BBS 当前浏览器仅支持手动复制代码 视频地址: flash地址: html代码: 通用代码: 通用代码可同时支持电脑和移动设备的分享播放 收藏成功,可进入 查看所有收藏列表 用爱奇艺APP或微信扫一扫,在手机上继续观看: 一键下载至手机 限爱奇艺安卓6.0以上版本 使用微信扫一扫,扫描左侧二维码,下载爱奇艺移动APP 其他安装方式:手机浏览器输入短链接http://71.am/udn 下载安装包到本机: 设备搜寻中... 请确保您要连接的设备(仅限安卓)登录了同一爱奇艺账号 且安装并开启不低于V6.0以上版本的爱奇艺客户端 连接失败! 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全国2012年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共l5小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( )  A.P型半导体,其少子为自由电子 B.N型半导体,其多子为自由电子<......      全国2011年7月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的( )  A.三价元素 B.四价元素  C.五价元素 D.六价......      全国2011年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.P型杂质半导体中,多数载流子是( )  A.自由电子 B.空穴   C.正离子 D.负离子  2.理想二极管构成......      全国2010年7月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.N型杂质半导体中,少数载流子是( )  A.自由电子 B.空穴  C.正离子 D.负离子  2.理想二极管构成的......      全国2010年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.N型杂质半导体中,多数载流子是( )  A.正离子 B.负离子  C.空穴 D.自由电......      全国2010年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.N型杂质半导体中,多数载流子是( )  A.正离子      全国2009年7月自考电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加反向电压,PN结的厚度将(   )  A.变宽 B.变窄  C.不变 D.不能确定  2.理想二极管构成的电路如题2图......      全国2009年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加反向偏置其耗尽层将(   )  A.不变 B.变窄  C.变宽 D.不能确定  2.理想二极管构成的电路如题2图所......      全国2009年4月自学考试电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加反向偏置其耗尽层将(   )  A.不变 B.变窄 &......      全国2008年4月自考电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.N型半导体中少数载流子是( )  A.正离子 B.负离子  C.空穴 D.自由电子  2.理想二极管构成的电路如题2......      全国2007年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加正偏,其耗尽层的厚度将( )  A.变宽 B.变窄  C.不变 D.不能确定  2.理想......      全国2007年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加反向偏置时,其PN结的厚度将(   )  A.变宽 B.变窄  C.不变 D.不能确定  2.理想......      全国2007年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.PN结加反向偏置时,其PN结的厚度将(   ) &......         全国2006年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的(   )  A.三价元素 B.四价......        全国2006年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( )  A.三价元素 B......      全国2005年7月电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分)  1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示,当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?  ( )。  A.3V B.6V  C.9......      全国2005年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的( )  A.三价元素      全国2005年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的(      浙江省2004年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分)  1. 对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是 ( )。  A. 最大整流电流大,最高工作频率高   B. 最大整流电流小,最高工......      全国2004年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)  在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(   )  A.本征半导体 B.温度  C.杂质浓度......      浙江省2003年7月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分)  1. 在图所示的二极管中,当温度上升时,电流I将( )。     A. 增大   B. 减小   C. 不变   D. 不确定<......      全国2003年4月高等教育自学考试  电子技术基础(一)试题  课程代码:02234  一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。  1.半导体三极管处在放大状态时是( )  A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏

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