简述采用提拉法制备单晶硅柱柱工艺过程，为提高单晶硅柱柱的尺寸需要采取哪些措施

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--------------------------Page1------------------------------大连理工大学博士学位论文新型取代基酞菁与酞菁晶体的合成及光学性质研究姓名：夏道成申请学位级别：博士专业：微电子学与固体电子学指导教师：杜国同--------------------------Page2------------------------------新型取代基酞菁与酞菁晶体的合成及光学性质研究摘要本论文主要是对新型取代基酞菁和酞菁晶体的合成和光学性质进行了研究。因为酞菁在信息、医疗、化工等众多领域有很广泛的应用，所以近百年来一直是科学家研究的热点课题。酞菁经过近百年的研究，科学家已经合成了上万种酞菁衍生物，但是，随着科技的不断进步，人类社会不断发展的需求，具有新特性的新型酞菁的获得仍是相关科技工作者孜孜以求的目标。为此，在本论文中，我们改进了合成方法，合成了几种新型酞菁，还制备了其电致发光器件。我们首次合成了九个新型不对称酞菁。它们分别是2(3)一(对叔丁基苯氧基)酞菁、异吲哚啉(B)和金属盐(--水乙酸合铜和二水乙酸合镍)为起始原料合成的。合成方法简述如下：原料在不同的有机溶剂(正戊醇，喹啉，N，N一二甲基甲酰胺)中加热搅拌，反应。反应完毕后，在减压下除去溶剂，首先产物用甲醇在索氏提取器中索提24h，然后产物用柱层析分离两次后，最后得到目标化合物。不对称酞菁经过元素分析、红外、紫外可见光谱和质谱的表征证明其结构，从而证实产物就是目标化合物。我们首次用喹啉为溶剂的溶剂热合成法直接合成了酞菁铜晶体。我们使用三种原料合成酞菁铜晶体：一是邻苯二腈、钼酸铵和二水乙酸合铜为起始原料；二是1，3．二亚胺基异吲哚啉和二水乙酸合铜为起始原料；三是邻苯二腈、氧化铜和钼酸铵为起始原料。在实验中我们得到了2mm'-'-'10．5illnl长的酞菁铜晶体，适合四元衍射测量。通过四元晶空间群是PA3，根据XRD图与标准的图卡，比较峰的强度胪121．04(2)，’，=90，单元体积是1179．91mm。与位置，证实该晶体是∥型晶体。在实验中得到的最长针状酞菁铜单晶尺寸是10．5我们还讨论了酞菁铜晶体产率与反应温度、反应时间和反应时所用溶剂体积的关系(原料质量固定时)。以l，3．二亚胺基异吲哚啉和二水乙酸合铜为起始原料时，发现合成酞菁铜晶体的产率最高，为52．3％；最佳的反应条件是：反应温度为270℃，反应溶h。剂为10ml，反应时间为8--------------------------Page3------------------------------火连理工大学博士学位论文本文还首次以喹啉为溶剂的溶剂热合成法直接合成了酞菁镍晶体。我们使用两种原料合成酞菁镍晶体：一是邻苯二腈和二水乙酸合镍为起始原料；二是1，3．二亚胺基异吲哚啉、钼酸铵和二水乙酸合镍为起始原料。在合成中得到酞菁镍晶体尺寸也在2mm～10．5mm，适合四元衍射测量。通过四元衍射和XRD的测试证明，晶体是四环非氮杂酞菁镍。酞菁镍分子式是CuN8C32H16，单晶空间群是P图与标准的图卡，比较峰的强度与位置，证实该晶体也是声型晶体。然后我们研究了酞菁镍晶体产率与反应温度、反应时间和反应时所用溶剂体积的关系。我们又研究发现，以l，3．二亚胺基异吲哚啉、钼酸铵和二水乙酸合镍为起始原料合成酞菁镍晶体时的产h。ml，时间是8率最高，为56．84％，最佳的反应条件是：在270℃下，溶剂为14用上述方法合成酞菁，其优点是可以直接合成酞菁铜(镍)晶体，十分方便。我们相信，在不久的将来，该方法可以推广到酞菁铜晶体的工业化生产中。我们以三种新型不对称酞菁铜为发光层制作了电致发光器件。三种新型不对称酞菁基)酞菁铜；三是以2(3)，16(17)．二．(对叔丁基苯氧基)酞菁铜。酞菁铜为发光层的器件结构为：ITO／NPB(40nm)／Pc(30nm)／AlQ(43．8nm)／LiF(O．5nm)／A1(120的方法，把各个有机材料依次蒸镀到清洗过的ITO玻璃衬底上，其中NPB生长速度为20A／miniPc[2(3)一(对叔丁基苯氧基)酞菁铜】生长速度为3A／mira三一(对叔丁基苯氧基)酞菁铜】生长速度为1AIQ生长速度为20A／mira最后，蒸镀LiF和Al，制作OLED。ITO在测试波段的透过率大于80％。另一种是以2(3)，16(17)一二．(对叔丁基苯氧基)酞菁铜为发光层的器件结构为：20nm)／Pe(30nm)／BCP(20nm)／A1Q(30nmyLiF(0．5nm)／AZ(1nm)。／TO为阳ITO／NPB(30A／minl法，把有机材料依次蒸镀到清洗过的ITO玻璃衬底上，其中NPB生长速度为20A／minlBCP生长速度为15Pc[2(3)，16(17
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