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Keysight 关于S参数测量的一些常见问题的问答。
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Q: S参数主要是什么参数?
A: S参数英文是Scattering parameter。是指元器件反射信号和传输信号的特性，因此S参数包含反射参数，如S11，S22等；传输参数S12
Q: 是关于RFID吗?
A: 本次研讨会主要讨论S参数的基础知识。关于RFID的测量应用可以参考我们关于RFID测量的应用文章
3443EN.pdf
Q: 测试PCb上的阻抗时对地端连接有什么要求吗？
A: 如果您PCB上有同轴连接器，网络分析仪电缆连接同轴接头时就接地了，（接头中心导体传输信号，外导体接地）；如果是用探针测量
PCB上的传输线，探针上一般也有传信号的针和接地的针
Q: 用网絡分析儀如何測試驻波比及反射系數
A: 用网络分析仪来测试驻波比和反射系数非常简单，反射系数即是S11，参数设置为S11，格式为log mag即为S11的幅度，将格式设置为
SWR即可直接得出驻波比。将参数设置好，然后进行校准，然后测量，仪器可以直接以图形的方式给出结果
Q: 阻抗测试，是网络分析仪准确，还是TDR测试准确？
A: 理论上说，频域测量和时域测量是完全等效的，能够互相转换。因此在相同的系统上升时间、相同的校准方法的基础上测量的时域阻抗
也是一致的。但在实际应用中，VNA有更精确的校准算法可以去除电缆、接头、PCB夹具的影响，而TDR做这些校准是比较困难的，因此通常
VNA的精度更高一些。
Q: 校准的时候必须校准50ohm阻抗吗？ 是不是校准也要去掉线损，对网份和要测的网络之间的线材有什么要求吗？
A: 如果网分系统阻抗设为50 Ohm，校准件也是50 ohm校准件，那么校准之后网分端口的输出阻抗就是50 Ohm匹配。校准是在电缆端口上进
行的，因此校准过程中会自动去除线损（校准误差项中包含线损和失配）。网分和被测件之间的线材取决于需要测量的频率，频率越高，
线材要求越好。除了线材之外对同轴连接器也有一定的要求。线材常用的有FR4， 高性能的如Rogers4350。连接器普通常见的有SMA接头，
高性能的如西南微波的同轴接头。
Q: simith原图所显示的阻抗是指网络的输入阻抗吗?
A: 没错是网络的输入阻抗。圆图中心点是您设置的网分系统阻抗。圆图上显示的测量曲线是您的被测件在不同频率上的阻抗值
Q: 通常情况下我发现测试低阻抗时测试误差值太大,比如测试1欧姆左右的特性阻抗, 有没有办法提高其精度?
A: 您指的是频域阻抗吗？还是时域阻抗？如果您指的是在测低阻抗时S11的波动很大，这个波动大不一定代表了误差大，可能是测量的真
值。例如在50 Ohm的特性阻抗下，如果负载阻抗是51 Ohm, S11Linear = (51 – 50 ) / (51 + 50) = 0.01, 如果负载阻抗变为52 Ohm，
S11Linear = (52 – 50) / (52 + 50) = 0.02，只变化了0.01；如果特征阻抗是1 Ohm，负载阻抗是2 Ohm时，S11Linear = (2 – 1) /
(2 +1)。网络分析仪测试频域阻抗的原理是从测得的S参数通过计算转换得到Z，从S11转换到Z的过程在系统阻抗附近具有最好的灵敏度。
在现有条件下，可以通过尽量优化S11的精度来尽量得到更好的Z精度，例如减小中频带宽，增加平均都可以减小网络仪的噪声，优化S11精
度，进而尽量得到更好的Z精度
Q: 一般在什么条件改变的时候，就需要重新校准网分？
A: 网分的校准是基于某一个测试状态，包括仪器设置（频率范围，点数，中频带宽等），电缆状态，测试硬件连接，温度等。其中任何一
个因素变化都建议重新进行校准。一般情况下，在环境温度变化较小，仪器设置和硬件连接不变的情况下，可以一天校准一次。如果对测
量精度有更高的要求，需要查阅网分的技术指标，看它的幅度和相位随时间和温度的漂移有多少，来确定你需要多长时间重新校准一次。
Q: How to use VNA to measure the impedance of Differentail Tx Line? Any suggestion for calibration method if freq. is
over 5 GHz?
A: You can use 4-port VNA to do a 4-port calibration and measurement on your Tx line, the 4-port single-ended S-
parameters can be transformed by the VNA or software (like PLTS) to balanced S-parameters (like SDD11, SCC11, etc), then
the VNA (like ENA-TDR) or software (like PLTS) can transform the balanced S-parameters to TDR impedance (TDD11, TCC11,
etc). You can use SOLT or TRL calibration, if you want to remove the fixture effects (coaxial to microstrip adapter) of
your Tx line, TRL calibration is a better choice, or you can use AFR (Automatic Fixture Removal) to characterize the
fixtures and de-embed from your total measurement.
Q: ENA是差分100ohm的设备,当量测不是差分100ohm的待测物时(如差分85ohm),测试夹具要制做成差分100ohm还是差分85ohm?
A: 对您的情况，夹具通常做成85 Ohm。从时域TDR上看，夹具两侧的同轴部分是100 Ohm的，而中间连接DUT部分的阻抗为85 Ohm。
Q: 1.PLTS分析阻抗时，如果只有S11或S22 参数和S11/S22/S21/S12 参数齐全的时候结果有差别吗？ 如果有主要是什么原因造成的？
2.PLTS分析阻抗，如何根据我的线路长度来设定测试频率范围，扫描点数等参数最后才能得到一个比较可信的结果？ 3.能介绍下AFR的原
理和过程以及注意事项吗？
A: 如果有传输参数，PLTS在时域变换时会从传输参数中推算出器件的电长度，从而优化时域变换的起始时间和截止时间，如果只有反射参
数，时域变换的时间范围会有所区别，在不同的时间范围做时域变换，得到的时域响应会稍有差别，但是很小；测量时域阻抗时通常会先
规定一个测量的系统上升时间，上升时间越快，测量的阻抗波动越大，而系统上升时间是由测量带宽决定的，在通常的窗函数系数下，20
GHz带宽的对应了35 ps的系统上升时间，您可以根据您需要的系统上升时间确定测量带宽；从信号与系统理论上讲，频域采样对应了时域
的周期延拓，如果您的传输线长度超过了一个时域周期，一个周期的部分时域响应会和下一周期的时域响应叠加到一起，实际测量时要避
免这种情况。时域周期和频域的频率间隔是倒数关系，因此在某一频率间隔下能测量的最长传输线长度为Range(meters) = (1/Δf) * Vf
* c，其中Δf为测量频率间隔（频率范围 / 点数），Vf为传输线的速度因子，c为光速 PLTS的AFR（Automatic Fixture Removal）功能是
为了解决非同轴测试的夹具移除问题的，它能将一个直通从数学上分成两半，从而得到左右两侧夹具的特性进行去嵌入。直通和夹具可以
是单端的，也可以是差分的。除了从直通提取夹具特性之外，它还能通过PCB上的开路或短路件提取夹具特性。如果是差分夹具，AFR要求
直通尽量上下对称；另外AFR要求直通长度既不能太小（至少5倍系统上升时间），也不能太大（直通插损和回损不能有交叉点）。
Q: 用NA测试线圈的电感值能精确到小数点后几位？通常测试的时候一般小数点后两位就会开始跳动，怎么设置能有更高的精确度
A: 用NA测试电感的原理是先得到S11-&Z-&L。所以L的精度主要由于S11的精度和转换到Z的灵敏度决定，后者是固定的公式。所以可以通过
尽量优化S11的精度来得到更准确的L值。方法是校准正确，减小中频带宽，增加平均
Q: 矢量网络分析仪与网络分析仪的区别？ 如何根据产品的不同来选择不同的校正类型？如Short,open,load,Thur.
A: 网络分析仪有标量和矢量之分，现在的网络分析仪基本都是矢量网络分析仪。校准方法取决于您的器件的接头类型，如果有标准的同轴
接头，如3.5 mm， SMA，N型等，可以直接使用SOLT校准方法，用机械或者电子校准件都可以；如果您的器件的接头类型是非同轴的，如
USB连接器，那么需要考虑TRL校准；或者先校准到同轴，然后提取夹具的效应再做去嵌入
Q: 如果把S参数转换成眼图，同时VNA的测量又更为精确，那样TDR还有什么优势呢?
A: VNA和TDR相比有更大的系统动态范围，更精确的误差修正。TDR的优势是直接时域测量TDR和TDT对数字工程师更加直观。但是数据速率
不断提高，需要测量的频率也越来越高，很多数字工程师也需要综合考虑时域和频域的测量。很多测试规范都 规定了时域阻抗、skew，频
域的插损、串扰等的测试
Q: 如何测试天线连接到PCB上的阻抗?
A: 我理解您的问题是在测量天线阻抗时会受到PCB夹具的影响，如何去除PCB夹具的效应。PNA或PLTS的AFR（Automatic Fixture Removal
）功能能够很方便地提取PCB夹具的特性，有了夹具的S参数之后您只需要对天线测试做去嵌入就可以去掉PCB夹具的影响。
Q: 2-ports E-Cal用来做4-ports测量校准可以吗？精度怎么样？
A: 可以。如果您使用的是ENA，那么请参考
(Electronic_Calibration)/Full_3_Port_and_Full_4_Port_Calibration_using_2_Port_ECal.htm
Q: 网络分析仪器如何测量功率放大器（5W~100w左右）AM 和PM曲线，P1压缩点.
A: 对功放的P1dB测量是通过网分的功率扫描下测量增益完成的，当某个输入功率下的增益相比线性增益下降了1 dB，就是功放的P1dB。您
的功放功率较大，网分本身可能无法提供足够的功率使您的功放进入压缩状态，因此可能需要在测试中外加预放。在P1dB点的压缩增益和
线性增益的比值称为DeltaGain，如果所有频点都达到了1 dB压缩，那么DeltaGain应该显示为-1。DeltaGain变换到相位就是AM to PM曲线
Q: 对于0中频的蓝牙TX电路，由于固有的本振泄漏问题，如何测试通过天线口测试蓝牙频段的S11呢？
A: 可能需要具体探讨一下您的测试方案，最好有结构框图。您可以联系
Q: 有關於剛剛 一點點資料 About TRL Method, please share to us, thanks!
A: 您可以联系索取TRL校准方面的资料
Q: 我想问一下，E-Cal为什么不能集成到设备里面呢？
A: 因为您在设备外面还有加电缆去和被测件相连，为了去除电缆、接头等的效应，需要在电缆端面连接Ecal或机械校准件做校准
Q: NA只能把被测件当成黑匣子测得S参数，原则上说无法 断定其内部出现问题之处，目前测试频率还达不到100GHz，寻找芯片内故障的功
能很有限。而TDR用于微小器件测试，尤其当内部存在多处阻抗不连续处 时，从理论上说，测出的“阻抗”其实已无明显的物理意义。同
时因脉冲上升时间难以做到1ps,存在空间分辨率过低的问题。如何解决这些问题？
A: 您说的问题是存在的，由于TDR没有那么小的系统上升时间，因此很难观察到微小器件的阻抗不连续点。如果您确实需要这么小的时域
上升时间的话，网分是可能达到的，现在网分和探针都有频率高达1.1 THz的系统了
Q: 1. 觀看S參數時主要看的頻率點為何，如何對應高速訊號的Data Rate? 例如PCIE GEN2的Data Rate為5Gbps，想評估PCB走線的SDD21或
SDD11的好壞，要觀看哪一個頻率點的結果呢? 2. 量測S參數時，最高(0.35/Tr?)與最低頻率要取多少，取樣點要取多少(每10MHz取一點?)
，才能有比較合適與正確的結果? 3. 在觀看Crosstalk時，通常取多少dB為標準(-34 B?)，可以認為相鄰的走線兩者間串擾很小可以忽略?
A: a. 通常测量频率范围取数据速率的三倍以上（覆盖三次谐波）。因为时域波形包含了很多频率成分，因此测量频率范围内的所有频率
点的SDD21和SDD11都要评估；b. 高速数字应用通常采用起始频率和频率步进都为10 MHz的设置，这样方便做时域变换测量TDR阻抗。测量
的截止频率取决于您需要的系统上升时间，在标准窗函数下20 GHz测量带宽对应了35 ps的系统上升时间。有了以上三个值您就可以确定测
量点数。当然您还需要确保10 MHz的频率间隔能够满足您器件的长度，器件的长度不能超过Range(meters) = (1/Δf) * Vf * c，其中Δf
为测量频率间隔（频率范围 / 点数），Vf为传输线的速度因子，c为光速；c. 串扰的标准没有统一标准，请参考不同的测试规范，如PCIE
。相邻走线的串扰通常不能忽略，很多规范都规定了远端串扰和近端串扰的测试标准。
Q: 1.S參數在模擬軟件中，S參數的資料點數多寡，會影響仿真的結果，關於這個問題，請問您有甚麼看法或是解決方案呢? 2.承上，S參
數在低頻(&100M)的資料點過少或沒有資料點，也會影響仿真的結果，請問您又有甚麼看法或是解決方案呢?
A: S参数的数据都是频域采样的数据，如以10 MHz为间隔，两个测试点之间的频点的数据是通过相邻的点插值得到的。您在仿真中发现点
数多寡会影响仿真结果，说明您测量的点数可能过于稀疏，某些仿真中用到的频点的数据的插值数据和实测数据有较大差别。建议您在测
量时选择更多的点数。第二个问题，我估计您的仿真中会用低频数据外插得到DC点，低频数据过少会影响外插的DC点的准确性，建议您从
10 MHz开始测量。
Q: PLTS have some reference documents?
A: ，选择资料库
Q: 射频测试&网分的原理以及使用方法
A: 关于原理可以访问Keysight网站下载我们关于网络仪理论基础的相关应用文章，例如
。关于使用方法，请提供您想了解的具体型号。一般可以参阅其使用手册，有的型号例如E5071C ENA网络分析仪是有中文使用手册的
Q: 如何测量差分运放随频率的变化？
A: 可以用4端口网络仪做4端口校准然后测量差分运放的单端S参数，网络仪上的软件能够自动将单端S参数变换到差分S参数。特别注意一
点，如果您关注的是差分运放的非线性区，单端和差分S参数是不能相互转换的，这时您需要真正的差分激励下测量差分S参数，Keysight
的PNA系列网络分析仪有真差分激励的功能。
Q: 想学习下在RF天线方面的测试方法
A: 一般对于Rf天线来说，测得比较多的是S11或驻波比SWR，这是网络分析仪最基本的测试参数。实际行业里多是自己设计夹具，然后对夹
具进行去嵌入来去除夹具误差
Q: 我要校准Switch Box
A: 开关矩阵输入端口接网分端口，将开关矩阵设到您需要的通路，然后在开关矩阵端口电缆上做校准。调用网分的校准功能。
Q: 請問若想將測試平台的影響校準，使用自製校準器件(open, short, load, thru), 是否可行？
A: 如果使用自制的校准件，需要提取这些校准标准件的特性参数，在网分上创建一个校准件定义并输入这些参数。之后您就可以调用网分
的校准向导，使用您自己的校准件做校准了
Q: 如果ADC的输入通道是差分输入，怎么才能准备测量其输入阻抗
A: 用四端口网络仪测量差分S参数并显示史密斯原图，即可测量差分阻抗
Q: 想了解一下RF Switch中insertion loss, isolation loss, harmonic loss, IMD 的测量与表征
A: 插损测量：将开关切换到某一路，用网络仪测量输入到该路输出的S21，其它不用的端口端接负载；隔离测量，测量输入端口到没有连
通的输出端口之间的S21，其它不用的端口端接负载；谐波失真通常指输出信号在谐波（如三次谐波）频率上的功率相比输出基波的功率的
比值（dBc），可以用信号源加频谱仪测基波和谐波功率得到。某些网络仪也具有频谱功能，如Keysight的PNA系列网络仪，可以独立完成
谐波测量；交调测试是在输入端加一个双音信号，测量输出端2f1-f2和2f2-f1频率上产生的交调信号，通常用两台信号源加一台频谱仪完
成，也可由PNA系列网络分析仪独立完成。
Q: 网络分析仪也可以测TDR,想问一下：S参数与TDR之间的联系？
A: 由信号与系统理论可知，时域和频域的信息是完全等效的。根本上说，时域冲激响应做FFT变换可以得到频域S参数；频域S参数做IFFT
可以得到时域冲激响应，时域阶跃响应（TDR波形或阻抗）是时域冲激响应的积分。当然，在具体实现中，仪器会有一些特殊处理。
Q: 驻波比怎么算
A: 假设反射系数幅值为p,那么驻波比VSWR=(1+p)/(1-p)
Q: 校准不是测试的前提吗?
A: 是的，一个比较推荐的测试步骤是（假设系统连接没问题）：1预测试（不校准，直接测量被测件的特性是否正常工作）2设置仪器参数
3 校准 4 测试 5 分析结果
Q: 想了解关于vna的基本原理和测试原理，已经可以使用矢网测量数据，但是还不清楚设备基本原理和测量原理
A: 可以访问Keysight网站下载我们关于网络仪理论基础的相关应用文章，例如
7707E.pdf，等
Q: 想了解网分为什么要校准，仪器不是没有校准也可以用么？
A: 仪器本身就是不完美的，存在系统误差（制作完美的仪器会非常昂贵）；另外用仪器测量器件时需要使用电缆、转接头，都会引入额外
的误差，需要通过校准消除。校准是通过测量一些特性已知的器件（称为校准件）来得到误差模型，然后在测量过程中做误差修正得到被
测件的真正特性。
Q: 在标准窗函数下20 GHz测量带宽对应了35 ps的系统上升时间.....請問 是不是rise time 35ps 的puls 可見的寬帶至20GHz?
A: 可以这么说。不过用网分测试时这个关系是反过来的，测量带宽（如20 GHz )决定了系统上升时间35 ps。网分上还有窗函数可以调整
上升时间的范围
Q: 为什么叫网络分析仪？与网络有什么联系？
A: 在电子工程领域，我们把工作在射频微波频率以上的各种器件都称作网络（network），网络这个词早在1930年代因特网远没有出现之
前就开始被应用于电子工程领域了。从简单的一个电阻、一个晶体管到较为复杂的一个放大器、混频器等，在电路上我们都把它们叫做网
络。分析器件，也即网络，随信号的频率或大小的变化而表现出来的各种特性就是网络分析。
Q: 我想了解如何使用网络分析仪测试阻抗、以及设备端口的反射损耗的。
A: 网络分析仪是通过S参数的测量得到器件的阻抗的。测量S11是通过在已知激励的情况下（R1接收机测量参考信号），通过A接收机测量
器件反射回来的信号，A/R1得到的就是S11反射损耗，或反射系数，通过反射系数和阻抗的关系可以得到阻抗值。
Q: 校准时, SPAN设置太宽会不会影响测试精度?问这个问题的原因是我需要同时测试不同频率, 但是只想做一次校准.
A: span设置太宽对您的影响可能是在相同点数的情况下，测量的频率间隔更加稀疏。您可以增加测量点数，保证需要的测试频率间隔。在
相同频率间隔下，相同的中频带宽下，校准精度是相同的。
Q: 啥时开专题介绍下X参数
A: 可以联系keysight本地技术支持给您介绍
Q: 请问下,这个测试是不是主要针对物理信号的,而对于误码等等信息如何判断的?
A: 我们讲的测试都是在物理层的测试，测量元器件的射频性能。误码率分析需要用其它仪器测量，如J-Bert
Q: 什么是S参数？如何用网络仪测量设备的阻抗、反射损耗？期待？
A: S参数全称Scattering parameter，指的是元器件或网络对于信号的传输和反射特性。如果您想测试时域的阻抗和反射损耗，可以使用
ENA-TDR选件来得到，ENA-TDR选件有设置向导，可以指导您一步一步进行测试
Q: 請問如何量測1W以上PA的S22?
A: 如果是用Keysight的PNA测量，PNA端口输入功率不能超过30 dBm。你的PA输出端需要加一个衰减器避免损坏网分。这个衰减器最好小于
10 dB，否则校准时端口2噪声会非常大。另外在测量时需要把端口2功率设置为0 dBm，不要和网分端口1设置同样的功率。这样才能保证足
够的功率进入B接收机测到端口2的反射信号。
Q: 请问如何用agilent的矢量网络分析仪来测量RFID标签的天线，包括高频和超高频的天线，以及整个RFID标签的性能？谢谢！
A: 关于RFID的测量应用可以参考我们关于RFID测量的应用文章和
Q: 可以用S参数来验证PCB开路和短路吗？
A: 可以。PCB开路和短路的S参数都类似于插损曲线，实际上由于往返的损耗，开路和短路的S11接近二倍插损，只是由于失配的影响，会
有较大的波动；除了频域的观察，您还可以将开路和短路的S11变换到时域TDR，观察其时域响应，它很像一个时域阶跃信号。通过TDR您可
以看到由SMA接头以及走线的阻抗不连续造成的波动，由TDR时域阶跃信号的上升部分中点对应的时间可以得到开路和短路的电长度。您还
可以通过时域Gating的功能获取SMA接头部分的S参数，或者去除SMA接头部分的影响观察剩余走线部分的S参数。
Q: &使用自制的校准件，需要提取这些校准标准件的特性参数&，特性參數是否指的是R, L, C這些？
A: 没错。您如果在网分上去观察一个已有校准件的参数，如85052D，就能看到具体需要设置哪些参数
Q: SPAN應該是Bandwith 設置 記得Agilent 原廠建議1khz
A: span是指测量频率范围，需要根据您具体的测试需求设置。您说的是IFBW(中频带宽），是指网分接收机的中频带宽，通常设为1 kHz足
Q: 请问一下,在哪些产品的测试中需要测这个参数,不了解.
A: 所有的无源和有源器件都可以用S参数表征。无源器件如滤波器、衰减器、隔离器、功分器、环形器等；有源器件如放大器、混频器、
Q: 一个PCB板中的S参数的实际意义是什么？如果PCB上还没有安装器件，能测S参数吗
A: 如果没有安装器件也可以测，这时测到的就是PCB上传输线的特性，如单位长度的插损、阻抗波动等等。这对评估PCB材料、评估PCB加
工工艺、提取夹具特性做去嵌入都有意义。
Q: 请问如何用agilent的矢量网络分析仪来测量射频输出电路的阻抗，做阻抗分析，如何做阻抗匹配？谢谢！
A: 您可以通过测量该电路的反射S参数并通过史密斯原图显示其阻抗特性，设计阻抗匹配电路不是我们的专长。在您设计好阻抗匹配电路
后，可以通过网络分析仪里的Port Matching功能模拟加上阻抗匹配电路之后的结果。
Q: 類似PCB layout 饋入線設計下 de-embanding 在ADS 設計下 需要建置的TRL 校正
A: 如果要获取PCB夹具的特性做去嵌入，一种方法是TRL校准，另一种方法是用PNA或PLTS的AFR功能，可以从一个直通件数学上分成两半，
得到一半夹具的特性
Q: 請問可以讓E5071C 輸出 Impedance 75ohm 量測75ohm PCB上面的無源SMD CHIP
A: 您也可以在50 ohm系统下测量75 ohm的PCB器件，我理解您的PCB同轴端口应该是50 ohm的，PCB上包含50 ohm到75 ohm的转换夹具
Q: 网络分析仪测试有源和无源器件时,对速度和性能的优势有哪些?
A: 如果是测量S参数的话，网络分析仪几乎是唯一的选择。如果是测量有源器件的某些特性，如三阶交调、噪声系数、谐波等，也可以用
信号源、频谱仪、噪声分析仪来完成，但是现代的网路分析仪已经集成了这些功能，可以在一次连接下把所有的特性都测出来。自动化和
集成的程度非常高，可以省去编程控制信号源、频谱仪的过程，测试效率大大提高。
Q: 1、PCB上没有SMA引出，使用5071C，有没有探针形式的方案测量TDR? 2、AFR方式校准引线，请问，引线设计多长比较合适？即2X的长
度，需要校准的是1X的走线。 第2个问题可以提前回复我邮箱么，谢谢。
A: ENA能够使用U1021B探头测量PCB，并通过De-skew的方法去除探头效应。直通的长度既不能太短（必须大于5倍系统上升时间），也不能
太长（保证直通的插损和回损没有交叉点）
Q: 向量分析儀 做LCR 的Zs Rs 分析 應該要靠VBA 工具施行是吧? 不過向量分析儀 頂多檢驗用傳輸線50ohm or 75ohm, 如何確認3GHz以
下 量測的LCR 特性 並保證量測Acc 精確度有在0,8% 之內....
A: ENA系列网络分析仪有VBA程序可以将S参数转换为阻抗或LCR参数。如果是E5061B这个型号，那么它是有专门的阻抗测量选件005可以来
进行测量，典型精度为2%。值得一提的是，不管是5061B还是其他的网络分析仪，他们测试阻抗或者LCR参数都是没有specification的值的
，E5061B也只有典型阻抗精度值，这点跟4982A等LCR表是不一样的
Q: 请问 对于双端口网络,s11定义时候是2端口匹配1端口的反射功率比入射功率.网分测s11时候,2端口接的是网分的port,如何能保证2端
口无反射呢?
A: 这是一个好问题。网分实际测量的时候不会保证a2等于0的情况下测量S11 = b1/a1。而是会做两次独立的测量，求解二元一次方程组：
S11 = (b1a2' - a2b1') / a1a2' - a2a1')
Q: 有沒有方式可以讓E5071c 輸出的阻抗是 75ohm, 如此才可以使用量測傳輸線75ohm 設計的元件特性?Thanks!
Q: 连接器普通常见的有SMA接头，高性能的如西南微波的同轴接头。 西南微波同軸接頭 比 SMA量測的範圍更高端嗎? 例如 10GHz --&
A: 测量的频率范围是由连接器的尺寸决定的。SMA一般能测量到18 GHz, 3.5 mm能到26.5 GHz, 2.4 mm能到50 GHz，1.85 mm能到67 GHz。
西南微波的连接器只是一个例子，他们的质量很好，我们以前做高频验证时用过他们的2.4 mm的连接器。他们也有不同的尺寸覆盖不同频
Q: 所以現在討論量測的精確度 比較於 LCR vs ENA 在 1GHz 下量測 Zs Rs & Q value, 請問劉娜 這邊見解& 分析 Thanks!
A: 您的问题是想了解LCR与ENA在Zs Rs Q上的精度比较是吗？我们有一篇应用文章里面介绍了RF IV和网络分析仪的反射法在测量时的一些
原理与比较，请参考
Q: 請問可以推薦這個連接器廠商給我嗎?
A: 有很多厂家，你可能需要评估一下他们的指标能否满足您的要求。如Amphenol，Molex, Tyco等
Q: 用网络仪来测试TDR的时候，网络仪都测量了什么呢？怎么得到的TDR数据？
A: VNA 测量的是被测件的频率响应，测量的时候给被测器件输入一个正弦波激励信号，然后通过计算输入信号与传输信号 (S21) 或反射
信号(S11) 之间的矢量幅度比得到测量结果。 通过对使用 VNA 获得的反射和传输频率响应特性进行傅立叶逆变换，可以获得时域上的冲
激响应特性。再通过对冲激响应特性进行积分，可得到阶跃响应特性。这和在 TDR 示波器上观察到的响应特性是一样的。
Q: 测试差分损耗的时候需要用到4个端口的网络仪，那是不是代表必须得用四端口的电子校准件来测试呢？能用2端口的吗？
A: 使用ENA-TDR的时候不能使用2端口的电子校准件校准来测试差分损耗。您可以使用4端口的电子校准件，机械校准件，或者TRL校准件进
行全4端口的校准。
Q: 传输跟踪和反射跟踪误差指的是什么意思？
A: 矢量网络分析仪内部一般会有三个测量接收机 R、A 和 B 接收机。其中 R 是用来测量激励源信号的参考接收机，A是测反射信号的，B
是测传输信号的。如果用测量接收机R、A、B分别去测量对于同一个射频信号（幅度、相位和频率），我们不要求它们的测量精度很好，但
是即便是都存在测量误差的情况下，也不管误差有多大，网络分析仪所要求的是A 的测量和B的测量结果要尽量和R的测量结果一致。在一
个频段范围内，无论 R 的测量结果是什么， 如果 A 和 B 的测量结果都能和 R 的测量结果保持一致，就说明 A 和 B 的测量结果能够在
这个频率范围内“跟踪”上 R 的测量结果。如果不一致，就表示有了“跟踪”误差。
Q: ENA-TDR跟示波器TDR相比的优缺点是什么？
A: ENA-TDR跟一般的示波器TDR相比有三个明显的优点 1 由于网络仪能使用较先进的矢量误差校准技术，因此网络仪能够消除掉测试配置
中电缆和连接器等等带来的适配，幅度和相位误差，而一般的示波器只能通过纠偏来消除相位误差，这样会导致系统整体的上升时间会变
长，进而影响系统的测试分辨率。2. 网络仪在前面板的每个端口都配有专利保护的保护电路，可以抵抗高达3000V的静电，而一般的示波
器TDR极易损坏，造成研发和生产的停滞，并带来高额的维护费用 3. ENA-TDR的操作界面为向导式操作，即使对网络仪不熟悉的工程师也
可以很快上手
Q: ENA-TDR跟示波器TDR相比测试的一致性有数据参考吗？
A: Keysight有专门的文章来讨论ENA-TDR的测试结果与示波器结果的一致性，您可以到Keysight官方网站下载：Agilent TDR示波器与VNA
生成时域波形之间的比较.pdf。
Q: 校准是只需要做一次就可以还是需要每次测试之前都重新校准？
A: 校准的目的是通过测量得到测试时那套配置下的误差，这个误差包括了很多因素，包括当时当地的仪器设置和状态，温度，连接配置。
。。其中的任何一项有改变了都最好重新做一下校准。需要尽量使得校准的数据为真实测量时的状态，才能保证好的校准效果。
Q: 是所有的网络分析仪都支持TDR应用吗？
A: Keysight支持TDR应用的ENA系列网络分析仪型号为E5071C，需要单独购买TDR选件的功能。几乎所有的网络分析仪都会支持-010时域测
试的功能，但是这个时域的功能相对于-TDR选件来说要简单的多。
Q: 如何来验证网络仪测量TDR阻抗的精度呢？
A: 您可以用一根NIST标准可以溯源的标准空气线校验件来验证ENA-TDR的阻抗测量精度，在测量之前最好进行一下全端口的校准。经过验
证之后可以发现，ENA-TDR测量阻抗的精度是业内所有TDR设备内最高的。
Q: 对于电缆一致性测试方案比如HDMI/USB这样的标准，您更推荐VNA还是采样示波器的方案？
A: ENA-TDR是我们推荐的方案，因为它是HDMI/USB电缆一致性的认证方案。更多信息请参考
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