在ON状态下 Mosfet与三极管有何同种物质在不同状态下之处

【整理】open-drain, push-pull,MOSFET, MOS管,三极管等基础知识
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作者:crifan
邮箱:green-waste (at)
【open-drain与push-pull】
GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull)。
对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下:
图表 1 Push-Pull对比Open-Drain
【open-drain和push-pull的总结】
对于GPIO的模式的设置,在不考虑是否需要额外的上拉电阻的情况下,是设置为open-drain还是push-pull,说到底,还是个权衡的问题:
如果你想要电平转换速度快的话,那么就选push-pull,但是缺点是功耗相对会大些。
如果你想要功耗低,且同时具有“线与”的功能,那么就用open-drain的模式。(同时注意GPIO硬件模块内部是否有上拉电阻,如果没有,需要硬件电路上添加额外的上拉电阻)
正所谓,转换速度与功耗,是鱼与熊掌,二则不可兼得焉。
【MOS管的分类】
图表 6 MOS管分类
MOSFET是在JFET基础上发展起来的,两者结构上存在一些差异,但使用方法和特点基本类似。
【MOS管和三极管的比较】
图表 7 MOS管和三极管的比较
【三极管,PNP,NPN】
P是positive阳极,N是negative阴极;
P极中空穴多显正极性,N极中电子多显负极性;
PNP和NPN就是三级管的叠放次序,P和N靠在一起会形成PN结,所以三极管中会有两个PN结,所以又称为双极结晶体管。
【场效应管与三极管】
场效应管和三极管的功能、作用一样,可以用于放大、振荡、开关电路。
N沟道场效应管和NPN三极管类似,工作条件是在栅极加正向极性控制电压,在漏极加正极性电源电压,改变栅极电压就可以改变漏极与源极之间的电流大小。
P沟道场效应管和PNP三极管类似,工作条件是在栅极加负极性控制电压,在漏极加负向极性电源电压,改变栅极电压就可以改变漏极与源极之间的电流大小。
目前应用比较广泛的是N沟道场效应管,就像三极管NPN型应用比较多一样。
【参考资料】
1. question: push-pull or open-drain mode
2. open-drain and push-pull
3. Open drain & push pull 原理(转)
4. 谁能告诉我三极管,mos管和mosfwt到底怎么区分啊??
5. MOSFET和三极管的主要区别
6. 场效应管和三极管的NPN, PNP是什么意思,他们在电路中有什么作用
7. 教你通俗易懂的理解三极管
8. 场效应管的工作条件,通俗易懂点!最好类比三极管NPN和PNP以及N沟道和P沟道的
9. The difference in open-drain and push-pull
10. Open drain and push-pull
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IGBT管与三极管的区别
从广义的讲,IGBT也是三极管,是一种特殊的三极管。绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 其相当于相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR , Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。
& &IGBT与三极管的关系看其结构图就一目了然了,IGBT结构图如下
IGBT结构图
& & IGBT结构上类似于MOSFET ,其不同点在于IGBT 是在N沟道功率MOSFET 的N+基板(漏极)上增加了一个P+ 基板(IGBT 的集电极),形成 PN 结j1 ,并由此引出漏极、栅极和源极则完全与 MOSFET 相似。 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel &region )。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区(Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。&
& & 为了兼顾长期以来人们的习惯, IEC 规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子),漏极引出的电极端(子)称为集电极端(子)。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。&
& & IGBT管与三极管电路符号如下:
N沟道IGBT等效电路与电气符号集中结构的三极管电路符号
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  MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?
  本文引用地址:.cn/article/914.htm三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。
  MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。
  电流可以双向流过 MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。
  接下来我们往深入一点来进行讨论,第一点、MOS的D和S既然可以互换,那为什么又定义DS呢?
  对于IC内部的MOS管,制造时肯定是完全对称的,定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。
  第二点、既然定义D和S,它们到底有何区别呢?
  对于功率MOS,有时候会因为特殊的应用,比如耐压或者别的目的,在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压,此时D,S会有不同。
  第三点、D和S互换之后,MOS表现出来的特性,跟原来有何不同呢?比如Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。
  DS互换后,当Vgs=0时,只要Vds&0.7V管子也可以导通,而换之前不能。当Vgs&Vth时,反型层沟道已形成,互换后两者特性相同。
  D和S的确定
  我们只是说电流可以从D--to--S ,也可以从S----to---D。但是并不意味着:D和S 这两个端子的名字可以互换。
  DS沟道的宽度是靠GS电压控制的。当G固定了,谁是S就唯一确定了。
  如果将上面确定为S端的,认为是D。
  将原来是D的认为是S ,并且给G和这个S施加电压,结果沟道并不变化,仍然是关闭的。
  当Vgs没有到达Vth之前,通过驱动电阻R对Cgs充电,这个阶段的模型就是简单的RC充电过程。
  当Vgs充到Vth之后,DS导电沟道开始开启,Vd开始剧烈下降。按照I=C*dV/dt ,寄生电容Cgd有电流流过 方向:G --&D 。按照G接点KCL Igd电流将分流IR,大部分驱动电流转向Igd,留下小部分继续流到Cgs。因此,Vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台。
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