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发射极耦合逻辑电路
ECL(Emitter Coupled Logic)即发射极耦合逻辑电路,也称电流开关型逻辑电路。它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。在所有数字电路中,它工作速度最高,其平...可保持输出级倒相的抗饱和程度。这类双极型集成电路,已不再属于饱和型集成电路,而属于另一类开关速度快得多的抗饱和型集成电路。 发射极耦合逻辑电路(ECL)是电流型逻...当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时,电流足够大的话,可能引起闩锁效应,导致芯片的烧毁。 ECL:Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构...差放),是一种将两个输入端电压的差以一固定增益放大的电子放大器。 差分放大器是一种常用的电子放大器(也称"功率放大器",简称"功放")和发射极耦合逻辑电路 (英语:Emit...差放),是一种将两个输入端电压的差以一固定增益放大的电子放大器。 差分放大器是一种常用的电子放大器(也称"功率放大器",简称"功放")和发射极耦合逻辑电路 (英语:Emitte...两个人在一起叫做"耦"。耦合就是交合的意思了。相关术语-- 发射极耦合逻辑集成电路 : 晶体管导通时工作在非饱和区的一种逻辑集成电路。有"或"和"或非"两种输出。可构...两个人在一起叫做"耦"。耦合就是交合的意思了。相关术语-- 发射极耦合逻辑集成电路 : 晶体管导通时工作在非饱和区的一种逻辑集成电路。有"或"和"或非"两种输出。可构成...第九章 正弦稳态电路分析 第十章 含耦合电感电路 第十一章 电路的频率响应:不同的频率对电路参数影响不同. ②激励为非正弦周期量:(第十三章)非正弦周期量可用... =====================================更新原答案中存在一个重大的逻辑缺陷:默认了…显示全部限定在相同工艺的情况下的话,的确可以这么说1.结构复杂了之后,各个单元之间的时钟同步会出现一定问题,频率越高问题就越显著2.理想情况下电容电感是不存在于纯电阻电路中的,但是现实很骨感.电路中的导线,cpu中的半导体开关管(mosfet)都存在寄生电感和寄生电…显示全部但是在深亚微米工艺,founfry为了良率控制要强求array最大不能超过某个维度,这样array占比横竖也大不到哪去.另外说到这里很多人会想,一颗sram,一半是array不走常规路线,另一半是不是可以和普通逻辑电路一样缩下去?也不行.这些decode、io各自有自己的设计需求…显示全部受邀数字电路cmos电路中的与,或,非门等基本逻辑电路是由晶体管搭建起来的,如下图:第一个图是由两个晶体管搭成与门,第二个图是两个晶体管搭成或门.晶体管相当于一个开关控制电路导通截止.有了基本逻辑门,我们就可以搭建电路,因为一个电路最终可以化成布尔表…显示全部居然被邀请,有点震惊你说的应该是反相器吧,输入是0输出是1,输入是1输出是0. vpch5是pmos,nch5是nmos.vin是1的时候pmos 关断nmos导通,out就是0;vin是0的时候pmos导通nmos关断,out是1.不知道帮到你没有之前有点晕,想的是反相器说成与非门了我一直以为非门就是…显示全部是一套用来设计,综合和验证电路的工具vhdl(very-high-speed integrated circuit hardware description language)是一种硬件描述语言.和编程有c/c++/java/python一样,硬... cmos可以实现逻辑门的功能.另一方面,由于ieee标准,硬件描述语言的提出,可以使电路设…显示全部真值表s1(a) s2(b) l(y)0 0 1 0 1 01 0 0 1 1 1 等价于这种逻辑称作"同或 xnor " 相当于异或再加个非门,具体等价电路可参照:同或门本质在于神经网络的边权值是可以学习改变的.谢邀,从理论上来说,这是一个非常合理的做法,并不过时.理由1:与门的基础性,单纯用与非门可以实现任意逻辑表达式,而用与门就不行,没有取反因子.理由2:与非门的经济性,在集成电路中,与非门和或非门是仅次于非门的第二简单的门,现在的数字电路基本都是用cmos实…显示全部逻辑与计算机设计基础 原版 英文易懂 捷径
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逻辑门电路
实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。 在数字电路中，所谓“门”就是只能实现基本逻辑关系的电路。
逻辑门电路简介
逻辑门电路定义
最基本的逻辑关系是与、或、非，最基本的是与门、或门和非门。
实现“与”运算的叫 与门，实现“或”运算的叫 或门，实现“非”运算的叫非门，也叫做反相器，等等。
逻辑门是在（也称：集成电路）上的基本组件。
逻辑门电路组成
逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路。
简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。
逻辑门电路作用
高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门（也称：互斥或）等等。
逻辑门可以组合使用实现更为复杂的逻辑运算。
逻辑门电路类别
逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑。所谓就是一种开关，它能按照一定的条件去控制信号的通过或不通过。门电路的输入和输出之间存在一定的逻辑关系(因果关系)，所以门电路又称为逻辑门电路。基本逻辑关系为“与”、“或”、“非”三种。逻辑门电路按其内部的不同可以分为三大类。第一类为双极型晶体管逻辑门电路，包括TTL、ECL电路和I2L电路等几种类型；第二类为型MOS逻辑门电路，包括NMOS、PMOS、LDMOS、VDMOS、VVMOS、IGT等几种类型；第三类则是二者的组合BICMOS门电路。常用的是CMOS逻辑门电路。
1、TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。 TTL门电路有74（商用）和54（军用）两个系列，每个系列又有若干个子系列。TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。
2、逻辑门电路功耗极低，成本低，电源电压范围宽，逻辑度高，抗干扰能力强，输入阻抗高，扇出能力强。
逻辑门电路
逻辑门电路按其集成度又可分为：SSI(小规模，每片组件包含10～20个等效门)。MAI(，每个组件包含20～100个等效门)。LAI(，每组件内含100～1000个等效门)。VLSI(，每片组件内含1000个以上等效门)。常用的MOS门电路有NMOS，，，，VDMOS等5种。用N沟通增强型场效应管构成的逻辑电路称为NMOS电路；用P沟道场效应管构成的逻辑电路称为PMOS电路；CMOS电路则是NMOS和PMOS的互补型电路，用横向双扩散MOS管构成的逻辑电路称为LDMOS电路；用垂直双扩散MOS管构成的逻辑电路称为VDMOS电路。
3、ECL(Emitter Coupled Logic)即，也称电流开关型逻辑电路。它是利用运放原理通过晶体管射极耦合实现的门电路。在所有数字电路中，它工作速度最高，其平均延迟时间tpd可小至1ns。ECL电路是由一个差分对管和一对射随器组成的，所以输入阻抗大，输出阻抗小，驱动能力强，信号检测能力高，差分输出，抗共模干扰能力强。但是由于单元门的开关管对是轮流导通的，对整个电路来讲没有“截止”状态，所以电路的功耗较大。
逻辑门电路注意事项
逻辑门电路电源要求
电源电压有两个电压：额定电源电压和极限电源电压，额定电源电压指正常工作时电源电压的允许大小：TTL电路为5V±5%(54系列5V±10%)；CMOS电路为3～15V(4000B系列3～18V)。极
逻辑门电路
限工作电源电压指超过该电源电压将永久损坏。TTL电路为7V；4000系列CMOS电路为18V。
逻辑门电路电压要求
输入高电平电压应大于VIHmin而小于电源电压；输入低电平电压应大于0V而小于VILmax。输入电压小于0V或大于电源电压将有可能损坏逻辑电路。
逻辑门电路负载要求
除OC门和外普通门电路输出不能并接，否则可能烧坏器件；门电路的输出带同类门的个数不得超过扇出系数，否则可能造成状态不稳定；在速度高时带负载数尽可能少；门电路输出接普通负载时，其输出电流就小于IOLmax和IOHmax。4、工作及运输环境问题：温度、湿度、会影响器件的正常工作。74系列TTL可工作在0～70℃而54系列为-40～125℃，这就是通常的军品工作温度和民品工作温度的区别；在工作时应注意静电对器件的影响，一般通过下面方法克服其影响：在运输时采用防静电包装；使用时保证设备接地良好；测试器件是应先开机再加信号、关机时先断开信号后关电源。
逻辑门电路详细介绍
CMOS门电路
由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门电路，工作速度比PMOS电路要高，但比不上TTL电路；第三种是由PMOS管和NMOS管两种管子共同组成的互补型电路，称为CMOS电路，CMOS电路的优点突出，其静态功耗极低，抗干扰能力强，工作稳定可靠且开关速度也大大高于NMOS和PMOS电路，故得到了广泛应用。
MOS管主要参数
1、开启电压VT
·开启电压（又称）：使得源极S和漏极D之间开始形成沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的可以很容易地超过1010Ω。
3、漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：（1）漏极附近耗尽层的击穿，（2）漏源极间的穿通击穿。
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层的吸引，到达漏区，产生大的ID4、栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5、低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
逻辑门电路CMOS反相器
6、导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的的
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
8、低频噪声NF
·噪声是由管子内部运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
CMOS反相器
CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件，以及PLD器件都采用CMOS
逻辑门电路工作原理
艺制造，且费用较低。早期生产的CMOS门电路为4000系列，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即VDD&(VTN+|VTP|)。
CMOS门电路
1、电路：包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。因此，这种电路具有与非的逻辑
逻辑门电路工作原理逻辑门电路传输特性
功能，即n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。
2.或非门电路：包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为。显然，n个输入端的必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。比较CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出电压随管子个数的增加而增加；或非门则相反，工作管彼此并联，对输出电压不致有明显的影响。因而或非门用得较多。
3、电路：它由一级或非门和一级与或非门组成。或非门的输出。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有的功能，因而称为同或门。
CMOS传输门
MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和等。下面着重介绍CMOS传输门。所谓（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。TP和TN是结构的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压。两管的栅极由互补的信号电压（+5V和-5V）来控制，分别用C和表示。传输门的工作情况如下：当C端接低电压-5V时TN的栅压即为-5V，vI取-5V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。同时、TP的栅压为+5V，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。为使开关接通，可将C端接高电压+5V。此时TN的栅压为+5V，vI在-5V到+3V的范围内，TN导通。同时TP的棚压为-5V，vI在-3V到+5V的范围内TP将导通。由上分析可知，当vI&-3V时，仅有TN导通，而当vI&+3V时，仅有TP导通当vI在-3V到+3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输门的优点。在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为欧级的运放串接时。可以忽略不计。CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的电路。
逻辑门电路工作情况
逻辑门电路工作原理
首先考虑两种极限情况：当vI处于逻辑0时，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。假设在两种情况下N沟道管TN为工作管P沟道管TP为负载管。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。左图分析了当vI=VDD时的工作情况。在TN的输出特性iD—vDS（vGSN=VDD）(注意vDSN=vO)上，叠加一条负载线，它是负载管TP在vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。由于vSGP&VT（VTN=|VTP|=VT），负载曲线几乎是一条与横轴重合的。两条曲线的交点即工作点。显然，这时的输出电压vOL≈0V（典型值&10mV，而通过两管的电流接近于零。这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）左图分析了另一种极限情况，此时对应于vI=0V。此时工作管TN在vGSN=0的情况下运用，其输出特性iD－vDS几乎与横轴重合，负载曲线是负载管TP在vsGP=VDD时的输出特性iD－vDS。由图可知，工作点决定了VO=VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。
逻辑门电路传输特性
左图为CMOS反相器的传输特性图。图中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=2V。由于VDD&（VTN+|VTP|），因此，当VDD-|VTP|&vI&VTN时、TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应注意到，器件在放大区（区）呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻值的负载。因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。两管在VI=VDD/2处转换状态。
逻辑门电路工作速度
CMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。下图表示当vI=0V时，TN截止，TP导通，由VDD通过TP向负载电容CL充电的
逻辑门电路工作速度
情况。由于CMOS反相器中，两管的gm值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。类似地，亦可分析电容CL的过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。
双极型门电路
TTL是transistor-transistorlogic的缩写，就是晶体管到晶体管逻辑电路的意思。COMS是MOS管的，TTL就是晶体管的。TTL门电路是，与分立相比，具有速度快、可靠性高和微型化等优点，分立元件电路已被集成电路替代。构成的与门和或门。由于实际的二极管并不是理想的，正向导通时存在压降（硅管均为0.7V），所以低电平信号经过一级与门后，其电平将升高0.7V；高电平信号每经过一级或门其电平将下降0.7V。也就是说由二极管构成的与门和或门均不能用以构成实用的逻辑电路。为克服的上述缺点，可采用具有反相放大特性的来构成门电路，即TTL门电路。LSTTL与非门电路：该电路可以看作由二极管D1、D2构成的与门、三极管T2构成的非门及用三极管T3、T4取代R3′，T2的BE结取代RB的改进型与非门的组合。1、LSTTL门电路的：(1)LSTTL门电路的静态输入特性、(2)LSTTL门电路的静态输出特性、LSTTL电路中的74LS125芯片有如图所示三态输出方式：0、1和高电阻。三态电路特别适合于总线结构系统和外围电路，也适用于数字控制设备，数字仪表中一般逻辑电路间的连接。(3)LSTTL门电路的电压传输特性、(4)LSTTL门电路的抗干扰特性――容限UNLSTTL门电路的输入低电平噪声容限VNL=0.5V，输入高电平噪声容限VNH=0.3V。2、LSTTL门电路的：(1)LSTTL门电路的平均传输时间
逻辑门电路
TP，由于二极管和三极管由导通到截止或者由截止到导通都需要时间，且受到电路中的寄生电容和负载电容等的影响，电路的输出波形总是滞后于输入。(2)LSTTL门电路的动态尖峰电流，在电源电流的边沿(主要是下降沿)产生了尖峰，这就是动态尖峰电流。3、LSTTL门电路的温度特性：温度变化对LSTTL门电路电气性能的影响比对CMOS门电路影响大得多，主要是：
1、输入高电平通过图2.30中D1、D2的漏电流I1H随温度升高而增大。OC门输出高电平或输出高电阻状态的流IOZ会增大，电路的输出将下降。2、输出高电平VOHP随温度降低而降低。其原因是VOH=VCC－2VBE，温度降低导致VBE增大，故VOH减小。根据噪声容限的概念，VOH的减小则系统的抗干扰能力降低。3、LSTTL门电路的VT主要取决于VD和VBE1，于是VT随着温度的升高而下降。因温度每升高1℃，则PN结压降低减小2mV，所以当温度从－55℃上升到+125℃时，VT将下降300mV以上。
普通的TTL门电路和其他类型的双极型集成门电路：
1、普通TTL门电路：①将LSTTL门电路74LS00中的肖特基三极管换成普通三极管，将换成普通二极管，将输入端的二极管与门换成多射极晶体管输与门，普通TTL与非门电路。②三3输入与非门7410的工作状态表。2、ECL门电路(1)“发射极耦合逻辑”门电路，简称为ECL门电路，是一种非饱和型的高速逻辑电路。(2)ECL或/或非门的电压传输特性。(3)ECL电路与TTL电路相比较优点主要表现在：①由于输出端采用射极输出结构，故输出电阻很低，带负载能很强。例如国产CE10K系列门电路能驱动同类门电路数目达90个以上。②工作速度最快。③ECL电路可以直接将输出端以实现“线或”的逻辑功能，同时有、互补的输出端，使用非常方便。④由于T1～T5管的ic几乎相等，故电路开关过程中电源电流几乎没有变化，电路内部的开关噪声很小。缺点主要表现在：①功耗大。②抗干扰能力差，即噪声容限低，因为ECL电路的逻辑摆幅仅0.8V，直流噪声容限仅200mV左右。③输出电平的稳定性较差。
逻辑门电路
3、I2L电路：(1)集成注入逻辑”门电路，简称I2L电路，它具有结构简单，功耗低的优点，特别适合制成大规模集成电路。(2)I2L电路的多集电极输出结构在构成复杂逻辑电路时十分方便。(3)I2L门电路与TTL门电路的比较
I2L电路的优点主要表现在：①I2L电路能在低电压、微电流下工作。②I2L门电路结构简单。③各逻辑单元之间不需要隔离。I2L电路的缺点主要表现在：①开关速度慢。②抗干扰能力差。
BicMOS门电路
逻辑门电路综述
双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视。
BiCMOS反相器
右图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。T1和T2构成推拉式输出级。而Mp、MN、M1、M2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。输入信号vI同时作用于MP和MN的。当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时，情况则相反，Mp导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已的电容负载也能迅速地通过T2放电。上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。这种作用与TTL门电路的输入级中T1类似。同理，当vI为低电压时，电源电压通过MP以激励M2使M2，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。
BiCMOS门电路
根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现和。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此。正如下图所示的2输入端或非门。当A和B均为低电平时，则两个MOSFETMPA和MPB均导通，T1导通而MNA和MNB均截止，输出L为。与此同时，M1通过MPA和MpB被VDD所激励，从而为T2的基区存储电荷提供一条通路。另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平时，则MpA和MpB的通路被断
逻辑门电路
开，并且MNA或MNB导通，将使输出端为。同时，M1A或M1B为T1的基极存储电荷提供一条释放道路。因此，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。
逻辑门电路安全措施
1、存放CMOS集成电路时要屏蔽，一般放在金属容器中，或用导电材料将引脚短路，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
2、焊接CMOS电路时，一般用20W内热式电烙铁，而且烙铁要有良好的接；也可以用电烙铁断电后的余热快速焊接；禁止在电路通电情况下焊接。
3、为了防止输入端保护二极管反向击穿，输入电压必须处在VDD和Vss之间，即Vdd≥VI≥Vss。
4、测试CMOS电路时，如果信号电源和电路供电采用2组电源，则在开机时应先接通电路供电电源，后开信号电源。关机时，应先关信号电源，后关电路供电电源，即在CMOS电路本身没有接通供电电源的情况下，不允许输入端的信号输入。
5、多余输入端绝对不能悬空，否则容易接受外界干扰，破坏了正常的逻辑关系，甚至损坏。对于与门、与非门的多余输入端应接Vdd或高电平或与使用的输入端并联。对于或门、或非门多余的输入端应接地或低电平或与使用的输入端并联。
6、必须在其他元器件在印制电路板上安装就绪后，再装CMOS电路，避免CMOS电路输入端悬空。CMOS电路从印制电路板上拔出时，务必先切断印制板上的电源。
7、输入端连线较长时，由于分布电容和分布电感的影响，容易构成LC振荡或损坏保护二极管，必须在输入端串联1个10～20ΚΩ的电阻R。
8、防止CMOS电路输入端的方法是：在前一级和CMOS电路之间接入整形电路，或加入电容滤掉噪声。
逻辑门电路注意问题
1、TTL电路的电源均采用+5V，使用时，不能将电源与地颠倒接错，也不能接高于5.5V的电源。否则会损坏器件。2、电路的输入端不能直接与高于+5.5V或低于－0.5V的低内阻电源连接，因为低内阻电源供给较大电流而烧坏器件。
3、输出端不允许与电源或地短接，必须通过电阻与电源连接，以提高输出电平。
4、插入或拔出集成电路时，务必切断电源，否则会因电源冲击而造成永久损坏。
5、多余输入端不允许悬空。接地电阻的阻值要求R≤=500。
TTL、CMOS接口电路所谓“”，就是用于不同类型逻辑门电路之间或逻辑门电路与外部电路之间，使二者有效连接，正常工作的中间电路。常用技术参数比较如下表：
逻辑门电路
路驱动TTL电路：用CMOS电路去驱动TTL电路时，需要解决的问题是CMOS电路不能提供足够大的驱动电流。CMOS电路允许的最大灌电流一般只有0.4mA左右，而TTL电路的输入短路电流Iis约为1.4mA。
2、TTL电路驱动CMOS电路：CMOS电路的电源电压范围宽（3V～18V），往往高于TTL电路的+5V电源，因此，用TTL电路去驱动CMOS电路时，必须将TTL的输出高电平值升高。通
逻辑门电路
过接口电路可达此目的。如右图所示。3、TTL和CMOS门电路驱动其他负载：在许多场合，往往需要用TTL或CMOS电路去驱动指示灯、LED（发光二极管）或其他显示器、、、可控硅等不同的负载。
利用CC4011“与非门”设计制作“”：抢答器有多个输入端和一个复位端，当某一抢答输入端有抢答信号，则显示这一路的抢答成功。抢答成功后，使后面的抢答信号不能进入抢答器，一直到复位控制信号有效，才能解除封锁，进行下一次抢答，如右图所示。输入控制电路由U3A～U3D四个与非门组成。利用“与非”门设计制作灯头“声光控节能开关”：声光控节能开关白天或光线较强的场合即使有较大的声响，也能控制灯泡不亮，晚上或光线较暗时，遇到声响(比如脚步声、说话声等)后，灯自动点亮，经过设定的时间后自动熄灭。适用于楼梯，走廊等只需短时间照明的地方。