第六章 pn结二极管：I-V特性_图文_百度文库
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第六章 pn结二极管：I-V特性
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半导体物理 第七章 金半接触
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电子科技大学微电子器件习题
导读：由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，非平衡电子浓度降到原来的（），21、从器件本身的角度，当外加正向电压时空穴电流远大于电子电流，第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（）和（）。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。
第二章 PN结
1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为（
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（
）电荷，N区一侧带（
）电荷。内建电场的方向是从（
）区指向（
3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（
）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（
4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（
），内建电场的最大值就越（
），内建电势Vbi就越（
），反向饱和电流I0就越（
），势垒电容CT就越（
），雪崩击穿电压就越（
5、硅突变结内建电势Vbi可表为（
），在室温下的典型值为（
6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（
），势垒区的势垒高度会（
7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（
），势垒区的势垒高度会（
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为（
）。若P型区的掺杂浓度NA=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（
9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（
）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（
10、PN结的正向电流由（
）电流、（
）电流和（
）电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（
）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（
）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（
13、PN结扩散电流的表达式为（
）。这个表达式在正向电压下可简化为（
），在反向电压下可简化为（
14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（
）电流为主；当电压较高时，以（
）电流为主。
15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（
）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（
）浓度远小于该区的（
）浓度，因此该区总的多子浓度中的（
）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（
）浓度远大于该区的（
）浓度，因此该区总的多子浓度中的（
）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是PN结的（
）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（
）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（
19、扩散电容反映的是PN结的（
）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（
）；少子寿命越长，则扩散电容就越（
20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大
的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（
）区中的（
）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（
22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（
23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（
）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（
24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（
问答与计算题
1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。
2、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？
3、什么叫突变结？什么叫单边突变结？什么叫线性缓变结？分别画出上述各种PN结的杂质浓度分布图、内建电场分布图和外加正向电压及反向电压时的少子浓度分布图。
4、PN结势垒区的宽度与哪些因素有关？
5、写出PN结反向饱和电流I0的表达式，并对影响I0的各种因素进行讨论。
6、PN结的正向电流由正向扩散电流和势垒区复合电流组成。试分别说明这两种电流随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主？当正向电压较大时以什么电流为主？
7、什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。
8、在工程实际中，一般采用什么方法来计算PN结的雪崩击穿电压？
9、简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。
10、当把PN结作为开关使用时，在直流特性和瞬态特性这两方面，PN结与理想开关相比有哪些差距？引起PN结反向恢复过程的主要原因是什么？
11、某突变PN结的ND=1.5×1015cm-3, NA=1.5×1018cm-3，试求nn0, pn0, pp0和np0的值，并求当外加0.5V正向电压和（-0.5V）反向电压时的np(-xp)和pn(xn)的值。
12、某突变PN结的ND=1.5×1015cm-3, NA=1.5×1018cm-3，计算该PN结的内建电势Vbi之值。
13、有一个P沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为ND=1.5×1015cm-3，另一个N沟道MOSFET的衬底掺杂浓度为NA=1.5×1018cm-3。试分别求这两个MOSFET的衬底费米势，并将这两个衬底费米势之和与上题的Vbi相比较。
14、某突变PN结的ND=1.5×1015cm-3, NA=1.5×1018cm-3，试问Jdp是Jdn的多少倍？
15、已知某PN结的反向饱和电流为Io =10 -12A，试分别求当外加0.5V正向电压和（-0.5V）反向电压时的PN结扩散电流。
16、已知某PN结的反向饱和电流为Io =10 -11A，若以当正向电流达到10 -2A作为正向导通的开始，试求正向导通电压VF之值。若此PN结存在寄生串联电阻Rcs= 4Ω，则在同样的测试条件下VF将变为多少？
17、某硅单边突变结的雪崩击穿临界电场 EC=3.5×105Vcm-1，开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度xdB= 8.57μm，求该PN结的雪崩击穿电压VB。若对该PN结外加|V|=0.25VB的反向电压，则其耗尽区宽度为多少？
18、如果设单边突变结的雪崩击穿临界电场eC与杂质浓度无关，则为了使雪崩击穿电压VB提高1倍，发生雪崩击穿时的耗尽区宽度xdB应为原来的多少倍？低掺杂区的杂质浓度应为原来的多少倍？
19、某突变PN结的Vbi = 0.7V，当外加-4.3V的反向电压时测得其势垒电容为8pF，则当外加-19.3V的反向电压时其势垒电容应为多少？
20、某突变结的内建电势Vbi = 0.7V，当外加电压V= 0.3V时的势垒电容与扩散电容分别是2pF和2×10-4pF，试求当外加电压V= 0.6V时的势垒电容与扩散电容分别是多少？
21、某硅突变结的nA= 1× 1016cm-3，nD= 5×1016cm-3，试计算平衡状态下的
(1) 内建电势Vbi；
P区耗尽区宽度xp、N区耗尽区宽度xn及总的耗尽区宽度xD；
(3) 最大电场强度εmax。
22、某单边突变结在平衡状态时的势垒区宽度为xD0，试求外加反向电压应为内建电势Vbi的多少倍时，才能使势垒区宽度分别达到2xd0和3xd0。
23、一块同一导电类型的半导体，当掺杂浓度不均匀时，也会存在内建电场和内建电势。设一块N型硅的两个相邻区域的施主杂质浓度分别为nD1和nD2，试推导出这两个区域之间的内建电势公式。如果nD1= 1× 1020cm-3，
nD2= 1×1016cm-3，则室温下内建电势为多少？
24、试推导出杂质浓度为指数分布N= N0exp(-x/l)的中性区的内建电场表达式。若某具有这种杂质浓度分布的硅的表面杂质浓度为 1018cm-3，λ= 0.4μm，试求其内建电场的大小。再将此电场与某突变PN结的耗尽区中最大电场作比较，该突变PN结的nA= 1018cm-3，nD= 1015cm-3。
25、图P2-1所示为硅PIN结的杂质浓度分布图，符号I代表本征区。
(1) 试推导出该PIN结的内建电场表达式和各耗尽区长度的表达式，并画出内建电场分布图。
(2) 将此PIN结的最大电场与不包含I区的PN结的最大电场进行比较。设后者的P区与N区的掺杂浓度分别与前者的P区与N区的相同。
26、某硅中的杂质浓度分布如图P2-2所示，施主杂质和受主杂质的浓度分别为ND(x)=10 16exp(-x/ 2×10 -4)cm-3和NA(x)= NA(0)exp(-x/10 -4)cm-3
(1) 如果要使结深xJ= 1μm，则受主杂质的表面浓度nA(0)应为多少？
(2) 试计算结深处的杂质浓度梯度A的值。
(3) 若将此PN结近似为线性缓变结，设Vbi= 0.7V，试计算平衡时的耗尽区最大电场εmax，并画出内建电场分布图。
27、试证明在一个P区电导率σp远大于N区电导率σn的PN结中，当外加正向电压时空穴电流远大于电子电流。
28、已知nI2= NCNVexp(-eG/kT) = CkT3exp(-eG0/kT)，式中nC、nV分别代表导带底、价带顶的有效状态密度，eG0代表绝对零度下的禁带宽度。低温时反向饱和电流以势垒区产生电流为主。试求反向饱和电流I0与温度的关系，并求I0随温度的相对变化率(dI0/dT)/I0，同时画出电压一定时的I0~ T曲线。
29、某P+N-N+结的雪崩击穿临界电场εc为32V/μm，当N-区的长度足够长时，击穿电压VB为144V。试求当N-区的长度缩短为3μm时的击穿电压为多少？
30、已知某硅单边突变结的内建电势为0.6V，当外加反向电压为3.0V时测得势垒电容为10pF，试计算当外加0.2V正向电压时的势垒电容。
31、某结面积为10 -5cm2的硅单边突变结，当（Vbi-V）为1.0V时测得其结电容为1.3pF，试计算该PN结低掺杂一侧的杂质浓度为多少？
32、某PN结当正向电流为10mA时，室温下的小信号电导与小信号电阻各为多少？当温度为 100°C时它们的值又为多少？
33、某单边突变P+N结的N区杂质浓度nD= 1016cm-3，N区少子扩散长度Lp= 10μm，结面积A= 0.01cm2，外加0.6V的正向电压。试计算当N区厚度分别为100μm和3μm时存储在N区中的非平衡少子的数目。
第三章 双极结型晶体管
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白光LED要几伏电压驱动
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最近搞到几支白光的LED,挺值钱的没肯试.
电源币：0 | 主题帖：14 | 回复帖：60
你是把它当做宝还是要把此宝当做样品?
电源币：0 | 主题帖：14 | 回复帖：60
其实LED生产主要还是看电流(当然电压也是很重要的),主要在于:
1、色温要一至
2、通过的电流使其LED工作温度不能太高(一般是控制在50℃以内)
3、至于电压一般也只是控制在2.5V—3.2V
以上仅作为参考
电源币：0 | 主题帖：68 | 回复帖：181
谢谢!看来要做的恒流电路了.
电源币：0 | 主题帖：0 | 回复帖：612
你别做什么横流电路了,用我们的吧.照明用发光二极管的驱动及其专用驱动电源变换器
半导体照明是未来照明领域重要的发展方向.发光二极管作为一种新型照明光源正在获得越来越广泛的应用.
发光二极管是一种单向电流驱动的半导体器件,是一个伏安特性不成固定比例的非线性器件,存在一个3v左右的势垒电势,形成了低正向电压时不导通的死区.导通时管压降具有负的温度系数.要用发光二极管做照明,必须根据发光二极管的特点解决好电源变换问题.
实际应用中驱动发光二极管的原始电源有许多种,但大体上可以分为市电驱动和直流驱动两大类.
由于世界各地供电标准的差别,市电有220V和110V两种交流电压值,但对于发光管来说,都属于交流高电压.用于这类电源的发光二极管驱动电源变换器要解决整流和降压的问题.
市电发光二极管驱动电源变换器分为隔离驱动和不隔离驱动两类,隔离驱动安全性好,不隔离驱动具有最低的成本和最高的变换效率,并且更容易实现大功率驱动.
直流驱动情况比较复杂,根据电压值的不同大体上分为低压驱动、过渡驱动和高压驱动三种类型.
低电压驱动:低电压是指电源的电压值始终低于发光二极管的势垒电势,不能直接使发光二极管导通发光的原始电源.如一节干电池或者一节镍镉/镍氢电池.这种情况下变换电路必须升高电源电压才能驱动发光二极管.典型的应用领域如使用一节普通电池供电的手电、台灯、应急灯等.
过渡驱动:过度驱动是指电源的电压值在发光二极管势垒电势附近变动的原始电源,如一节锂电池,满电时电压值在4.2V以上,电压值高于发光二极管的势垒电势.电池快用尽时电压值在2.7V以下,电压值低于发光二极管的势垒电势.用过渡电源驱动发光二极管电源变换器既要能够升高电压又要能够降低电压.典型的应用如使用单节锂电池供电的矿灯、手电、台灯、应急灯.
高电压驱动:高电压是指电源的电压值始终高于发光二极管势垒电势的原始电源.如6V、12V、24蓄电池.典型的应用如机动车的灯光系统,应急灯、工作灯等.
对于这几种不同的直流电源,必须要有不同的技术方案应对.
从输出端来看,给到发光二极管上的驱动电流可以是直流电流,也可以是单向脉冲电流.
直流驱动法容易理解,使用的比较普通,实现的技术手段有两种:一种是直接用恒流电源给发光管提供所需要的电流.另一种是使用电压源供电,再用外部元件限流实现恒流给发光管供电.但不论哪一种方法,一般来讲电源变换器的结构都比较复杂,体积大,成本高.
脉冲驱动法是专门针对发光二极管的特点提出的一种驱动方式.技术上比较先进,电源变换器的电路结构简洁,体积小,可靠性高,成本低,应用前景广阔.
下面介绍几种目前技术上比较先进的脉冲输出的峰值电流驱动器,供大家制作LED应用系统时参考.
脉冲输出型峰值电流驱动器分为市电输入型和直流输入型两种,但不论哪种其核心技术都是控制发送到发光二极管上的每一个电流脉冲的峰值,使发光管在比较高的光电转换状态下工作,不会因为电流失控而造成发光管损坏.
市电输入型峰值电流驱动器:
LED-AP-A系列是隔离型市电输入峰值电流驱动器,有1瓦、3瓦和5瓦输出三种规格.分别用于驱动1瓦、3瓦、5瓦的大功率发光二极管.
LED-AP-B系列是不隔离型市电输入峰值电流驱动器,用于驱动1—10瓦功率范围以内的多只Φ5发光二极管,驱动多只发光二极管时,要多只串联然后再并联使用.每一串发光管要串联一个20Ω的电阻以均衡各组电流.
市电输入型峰值电流驱动器使用比较简单,两根黄色输入线接交流市电,输出线红线接发光管正极,黑线接发光管负极.下图是一个不隔离型市电输入峰值电流驱动器驱动100只Φ5发光管的应用实例.
直流输入型峰值电流驱动器:
LED-DP-BM是一种降压型峰值电流驱动器,使用12伏电池供电可以串联驱动3只1瓦的发光管,驱动效率大于83%.这是一种为无人职守的太阳能LED照明系统配套的多功能驱动器,除了完成峰值脉冲电流控制功能以外,还有电池电压低关闭功能,保护电池不会过放电损坏.还有一个控制端,用此控制端可以实现遥控、光控、调光等功能.共有5根引线,红线接电池正极,黑线接电池负极,黄线接发光管正极,白线接发光管负极,蓝线是控制线,下图是这个控制器在太阳能LED照明系统中的应用实例.
在这个系统中,LED-DP-M峰值电流控制器、SUN-B-12太阳能充电控制器、蓄电池、太阳能电池板组成无人值守太阳能照明系统.太阳能电池板有电时,LED-DP-M峰值电流控制器关闭,发光管灭.在SUN-B-X充电控制器的控制下,太阳能电池板向蓄电池充电.天黑时,太阳能电池板没有电,峰值电流控制器开启,发光管亮.若连续放电使电池电压降低到10.8V,峰值电流驱动器关闭.
该控制器在一般低压供电系统中的应用如下图所示.图中电位器可用来调光.如不需要调光,蓝色引线悬空或者接地即可.
LED-DP-B是该系列控制器的一种简化型产品,只有四根引线,两根接电池,两根接发光管.没有电池电压低关闭功能和外部控制端,使用更简单.实际应用如图所示:
LED-DP-G是一种高效率驱动器,用于驱动1瓦或者3瓦的发光管.用单节锂电池供电时变换效率可达85%以上.用在矿灯等产品中可以延长照明时间.此驱动器只有三根引线,红线接电池正极,黑线接电池负极,黄线接发光管正极,发光管负极直接接到电源线上.应用如图所示:
LED-DP-J是一种最简结构的带有调光功能的峰值电流驱动器,用于驱动1只1瓦的发光管或者并联驱动20只Φ5的发光管.用单节普通碱性干电池或者镍氢/镍镉电池供电,1.2V输入电压时供电效率约70%.由于电路结构简单,电池电压下降时发光管的亮度会有所降低.但体积最小,价格最低.此驱动器有4根引线,红线接电池正极,黑线接电池负极,黄线接发光管正极,发光管负极和电源负极线接,蓝线是控制线,在蓝线和电源正极之间接一个10K的电位可以实现连续调光.如不需要调光,蓝线直接和电源正极相连.应用如图所示,
以上产品都制成了固态模块,适合在高粉尘、高湿度、强振动等环境下使用.
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这么多的明堂
电源币：0 | 主题帖：14 | 回复帖：60
请将资料传一份给我
我的邮箱:
电源币：0 | 主题帖：1 | 回复帖：8
请传一份资料给我,好吗?
电源币：20 | 主题帖：15 | 回复帖：41
说了这么多,传几个芯片资料过来看看吗,小弟是做LED装饰,很想找一些大功率高效率的驱动电路,我的邮箱是
电源币：0 | 主题帖：14 | 回复帖：60
谢谢你!资料已经收到
电源币：1 | 主题帖：10 | 回复帖：72
白光led的点亮电压大概在2.7v左右,正常工作大概在2.8-3.2v之间.
现在白光led很常见的,楼主为什么会觉得挺值钱不肯试啊?
电源币：0 | 主题帖：68 | 回复帖：181
谢谢!以前都玩一般的LED,没有玩过白光的,等一接1.5V以后才发现不会点亮.
电源币：0 | 主题帖：1 | 回复帖：28
我有英国ZETEX公司白光LED驱动方案,1W,3W,5W,30W等,还可提供驱动器样片,如需请与我联系.hk&&,021-田生
电源币：0 | 主题帖：0 | 回复帖：7
在下做LED應用開發,有用到在功率LED 驅動,如有相關資料煩寄來,
zhouyuwei-
电源币：0 | 主题帖：32 | 回复帖：112
我司主要做国产电源管理IC,有专门用于1~3W的LED驱动IC,已经发资料到你邮箱,请查收,如需样品,请来电罗勇
电源币：0 | 主题帖：33 | 回复帖：45
可不给你发给我一下!我要的降压形.4.5~6VDC 入; 3.8VDC/750mA出
电源币：0 | 主题帖：32 | 回复帖：112
你好,资料已发到你邮箱,请查收,如需样品请来电,谢谢!
电源币：0 | 主题帖：33 | 回复帖：45
你好!!有没有散装的C310.617有请电.我要1K做样品
电源币：0 | 主题帖：21 | 回复帖：63
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二．大功率晶体管GTR...
。设计采用耦合 环的单平衡混频结构，具有结构简单、性能优良的特点。设计的微波下变频器变频损耗小于 8dB，信号-本振隔离度大于 30dB。 关键词：K 波段 微波下变频器 耦合环1. 引 言微波下变频器广泛应用于微波接收机、雷达、射电天文等系统中。微波下变频器作为低 噪声前置放大器的后续级，它的性能如噪声特性、变频损耗（或变频增益）等对整个微波系 统有十分重要的影响[1]。本设计采用肖特基表面势垒...
&&&&&&&&肖特基势垒整流器一般用在单晶硅和多晶硅光伏（PV）电池板的旁路二极管中，在热点出现低分流阻抗和高分流阻抗的情况下保护光伏电池（参见文档中图1）。在旁路应用中，肖特基整流器具有低正向压降的优点，而且比普通P-N结整流器的功率耗散更小。然而，这种器件的缺点是反向电压击穿特性较低，很容易因ESD（静电放电...
本书主要介绍设计抗辐射微波半导体电路所必需的基础知识。书中较详细地讨论了器件物理和电路的工作原理,并绘出了决定半导体器件性能的宏观参数。并讨论辐射是如何影响这些宏观参数的。书中还讲述了肖特基(Schottky)势垒二极管等十二类微波半导体器件及其电路的辐射效应,并将理论计算与实验结果作了比较。...
肖特基势垒二极管及制造方法 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，
由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚眈亚胶层等，故
不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，
不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分
的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n
型及n+ 型离子注入区域形成动作区域，不再需要
设置台面及聚眈亚胶层，可实现化合物半导体的平
面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本...
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，其功率处理能力开始降低；右图所示为硅器件HMC1118，即使低到1 MHz范围，其功率处理仍然非常好。低频端涵盖 9 kHz工作频率，这使得硅器件非常适合系统测量应用。
PK——硅工艺&砷化镓技术 本人小白,请教一下:砷化镓是否有毒?
全硅电路可设计成 0.9V 供电。
[font=楷体,楷体_GB2312]发射结正向势垒是 BJT饱和压降的关键，硅基极双异质架构可让BJT尽得...
大师，请问能否详细指点一下，怎么个加法呢？您说的输入是指天线还是哪里？
远了可以通讯，近了不能通讯，说明信号过强了，使输入放大级阻塞， -------------
只是怀疑。
将输入点与地并联二极管，并两个方向相反的。可以将输入信号限制在二极管势垒电压内。
[quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid...
雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对...
三极管是模拟型的有源器件，拿它做开关不是不行，你得要持续地施以足量的驱动才会持续地完全开通，
跟一般的开关用三极管相比，四层晶体管在开关方面所需的各项性能指标的优化更深更全，而线性度则更形忽略。
晶体三极管的原理，是势垒的控制，BJT的功率流穿越结面，势垒无法完全消隐，FET的功率流从结旁经过，没有饱和压降，但因沟道电阻受制于芯材，通常比BJT要大，
如果沟道能受到电导调制，阻力即...
PIN二极管就是这么回事，而那个I层其实并非真本征而是痕量掺杂，掺杂虽微不足道，成结无望，但导电能力却有可观的改善；普通PN结的分界可认为是零厚度，而PIN管的本征层厚度再薄也不会是零，纤薄的本征层本身耐压极其有限，但反偏时，势垒充满整个本征层及两边结面，就像轮胎鼓足了气，能承受的电压比同规格的普通二极管更高。
安卓佳 发表于
两层导体夹着一层...
方便的方法是：二极管检波，这个前提是信号强度要大于检波二极管的势垒电压，并且越大越好，越大，非线性失真就越小；各种频率之间的调制（混频）就越小。
chunyang 发表于
采样频率别忘了奈奎斯特采样定律，而且那只是理论下限，实际应用要留取适当余量。24位分辨率倒未必是必须，这要看信号幅值变化区间，要充分利用ADC的量程。
考虑nyquist，2MHz正弦...
什么是肖特基二极管？肖特基二极管是一种利用肖特基势垒工艺的二极管，和普通的PN结二极管相比，其优点：更快的反向恢复时间，很多称之为0反向恢复时间。虽然并不是真的0反向恢复时间，但是相对普通二极管要快非常多。其缺点：反向漏电流比较大，所以没法做成高压的二极管。目前的肖特基二极管,基本都是200V以下的。虽然有些公司可以提供高压的肖特基硅二极管，但是也是将几个二极管串联之后封装在一起。当然...
，提高开关电源的频率，则电源（&&）；& && &A 同体积时，增大功率 B功率减小，体积也减小 C功率增大，体积也增大 D效率提高，体积增大4 )& &（&&）二极管适合小电压大电流整流；& &A& &肖特基势垒& && ...
6楼xuyiyi 的帖子 论坛里面能学到很多东西
这个嘛，老师是这么说的，好像解释过，忘啦
看你导通状态了，如果一直导通而且在毫安级别变化，一般在0.6+-0.1V变化，在放大状态的三极管的BE导通电压电流关系和二极管的ID电流关系差不多，可以用那个公式估算，一般使用的器件和一般应用场合（毫安级别）一般可认为在0.6V。
因为PN结形成的过程会出现一个叫做势垒区的东西,你可以认为正负两边中间给...
中的中等偏低频率。电视机的中频都比10MHz高几倍。
谢谢！！ 回复 沙发leang521 的帖子 恩~我想做一个检波通过ad采样获取，最大频率大概10M,幅度范围大概是50mv到2V Vpp~ 回复 板凳dontium 的帖子 同上~谢谢 回复 4楼maychang 的帖子 先做个二极管检测器吧，这个简单，信号最小幅度要大于二极管的势垒电压。
时间常数，一般能满足 t& ...
势垒二极管视频
势垒二极管创意
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