半成都易明半导体体公司

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-09-04 08:12 标签： 半导体照明网
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第三代半导体前景广阔 多家上市公司积极布局
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原标题：第三代半导体前景广阔 多家上市公司积极布局 国内光电龙头公司三安光电正加速布局第三代半导体产
原标题：第三代半导体前景广阔 多家上市公司积极布局
国内光电龙头公司三安光电正加速布局第三代半导体产业，或预示这个细分领域进入爆发前夜。最近两天，在昆山举办的“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。
有业内人士分析认为，随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已积极布局。英飞凌（Infineon）方面预计，未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。
第三代半导体脱颖而出
5G时代，一部手机可能就需要16颗PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大规模天线（Massive MIMO）、滤波器等，这给第三代半导体带来发展机遇。在“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，多位与会嘉宾聚焦5G与化合物半导体发展前景。
“锐迪科在射频前端市场厚积薄发，今年营收将再次回到1亿美元，预计2018年至2019年将继续高速增长。”锐迪科助理副总裁贾斌在论坛上介绍。锐迪科主要生产移动电话通讯支持芯片，包括功率放大器、转换器和接收器等。
第三代半导体的节能效果尤其值得称道。据苏州能讯技术副总裁裴轶介绍，如果采用GaN功放，就会较传统的LDMOS效率提升10%。这意味着每个基站可节电50瓦，全国基站每年可节电130亿度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳选择。
QYResearch的市场研究报告显示，2016年全球射频前端市场规模为125亿美元，预计到2022年将达到259亿美元，年复合增长率为12.9%。
多家A股公司已布局
“在第三代半导体方面，三安光电将利用安芯基金，在RF射频、光通信、滤波器、电力电子等方面进行布局，目标是建设面向下一代无线通信GaN器件平台。”在本届高峰论坛上，三安光电RF市场总监陈文欣明确指出了公司具体布局方向。
作为光电龙头，三安光电早就大手笔布局第三代半导体。2015年6月，三安光电引入国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”），意在推动以III—V 族化合物半导体为重点的集成电路业务进一步做大做强。此后，公司联合福建省、大基金等共同设立了规模500亿的福建省安芯产业投资基金合伙企业（简称“安芯基金”，首期规模75.1亿元）。
在今年半年报里，三安光电披露，子公司厦门市三安集成电路有限公司（承担第三代半导体业务）已向47家公司提交样品，其中11颗芯片进入微量产，此外还布局了光通讯芯片、滤波器等领域。据悉，三安光电目前在第三代半导体业务上首先聚焦移动终端，产品已实现小规模量产，每月订单近百片wafer（晶圆），预计2018年至2019年将对公司业绩产生贡献。
除三安光电外，扬杰科技、海特高新、国民技术等多家上市公司均已涉足第三代半导体业务。
扬杰科技在近期接受机构调研时表示，其碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。早在2015年7月，扬杰科技即锚定第三代半导体，定增募资不超过10亿元，用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目。公司在半年报中表示，持续推进第三代半导体项目的研发及产业化，针对650V/1200V碳化硅JBS产品，开发并改进可与硅线相互兼容的生产工艺，以增强产能结构实时调整的能动性。
国民技术则刚刚开始进入这个领域。公司8月15日披露，其全资子公司深圳前海国民公司与成都邛崃市人民政府签订《化合物半导体生态产业园项目投资协议书》，由前者组织资金，以第二、三代化合物半导体外延片材料为核心基础，在邛崃市打造化合物半导体产业链生态圈，项目总投资将不少于80亿元，预计三年初具规模。
此外，海特高新通过其子公司海威华芯建设6英寸的第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线。中车时代电气（中国中车子公司）在高功率SiC器件方面处于国内领先。
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真的会做到5nm吗？ 半导体制造的那些明争暗斗
当今的半导体行业竞争激烈，而晶圆制造作为关键的环节，厂商之间的竞争也是空前激烈，特别是英特尔（Intel）、台积电（TSMC）、三星（Samsung）和格罗方德（GlobalFoundries）这几个行业大佬，在争取大客户方面更是用尽浑身解数，明争暗斗得不可开交。
　　当今的半导体行业竞争激烈，而晶圆制造作为关键的环节，厂商之间的竞争也是空前激烈，特别是英特尔（Intel）、台积电（TSMC）、三星（Samsung）和格罗方德（GlobalFoundries）这几个行业大佬，在争取大客户方面更是用尽浑身解数，明争暗斗得不可开交。总的来说，眼下的半导体制造之争，主要表现在两方面：一是工艺技术，即FinFET和SOI；二是工艺节点，即16/14nm、10nm和7nm。　　工艺技术之争　　1. FinFET为主流　　目前，FinFET（Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）是所有大型晶圆制造厂商采用的主流先进工艺。在传统晶体管结构中，控制电流通过闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面架构。在FinFET架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D结构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。　　　　2. SOI崛起　　上世纪80年代，业界就有人提出了SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）工艺设想，当时，伯克利的胡正明教授也指出，当摩尔定律走到极限的时候，能够推动半导体产业继续向前发展的技术会有两种，一是FinFET，另外一个就是SOI。　　SOI是CMOS工艺的特殊版本，二者最大的不同在于衬底，CMOS的衬底是导电的，而SOI采用绝缘体硅工艺，其衬底是不导电的，而导热性又比较好，因此，可以利用这一特性，通过特殊方法，弥补其在击穿电压特性上的不足，从而实现高功率电路。　　特殊结构使SOI电路具有较高的跨导、低寄生电容、减弱的短沟效应和较为陡直的亚阈斜率。SOI技术的另一特性是耐高温，在高温环境下，SOI器件性能明显优于体硅器件，这是因为高温下与体硅器件相比，SOI器件的源和漏结面积小，可使漏电流降低很多。FD-SOI（全耗尽绝缘硅）工艺在射频（RF）和物联网芯片方面的优势明显。　　虽然SOI工艺成功之路历经坎坷，但目前已经渗透入主流市场。苹果的iPhone 6s就采用了SOI工艺射频芯片，此外，Intel和IBM也正使用SOI工艺来推动硅光子技术的发展。　　　　相比FinFET工艺，FD-SOI晶体可节省20%的管芯成本和50%的氧化埋层成本　　目前，格罗方德是SOI工艺的主要推进者，该公司声称，其FD-SOI（全耗尽绝缘硅）在未来4年内的销售量将超过FinFET。为此，格罗方德推出了22nm的&22FDX&SOI平台，并表示这项工艺在能实现更低功耗的同时，还具有与28nm工艺相似的成本优势，并且性能可与FinFET技术相媲美。　　格罗方德的22nm FD-SOI项目于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产，为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持，宣布将会采纳该工艺。　　以前按照摩尔定律，大家总认为芯片成本会不断降低，但是在28nm以后，如果采用FinFET工艺，单个晶体管的成本不降反升，所以，是成本让摩尔定律出现了危机！而这正是&22FDX&SOI平台要解决的问题，该技术最有价值的一点就是它提供的性能和功耗堪比FinFET，但成本却与28nm相当。　　　　FinFET可以做到10nm和7nm级别，FD-SOI也具有相同的能力，并且成本更低。格罗方德认为，22FDX正好处于14LPP/LPE和10LLD之间，该公司的下一个目标是实现与10nm FinFET相对应的性能，但是可以降低20%~30%的芯片成本。
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