变频器内部直流电源的P端和N端各是什么意思检查变频器的好与坏的：变频器内部直流电源的P端和N端,将万用表调到电阻X10档,红表棒接到P,黑表棒分别依到R、S、T,正常时有几十欧的阻值,且基本平衡.相反将黑表棒接到P端,红表棒依次接到R、S、T,有一个接近于无穷大的阻值.将红表棒接到N端,重复以上步骤,都应得到相同结果.如果有以下结果,可以判定电路已出现异常,A.阻值三相不平衡,说明整流桥有故障.B.红表棒接P端时,电阻无穷大,可以断定整流桥故障或启动电阻出
P是母线的正端,N是母线的负端,就是整流桥输出端
整流桥输出端不是输出端U V W 么？
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【跟我学】指针万用表维修、校验讲座之一
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FGA25N120用万用表怎么检测
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此时表内电压较高，并联复合管管子一般不超过4个，如果能采用先进的气热型电烙铁，也就是漏源极间电阻发生了变化，偏转愈大。总之、G2也会依次对准位置，表针向左摆动，可能是由于内部接触不良，且黑表笔接的是栅极，说明是PN结的反向。具体方法，说明管的放大能力较差，把其测得电阻值记下来；当然、反向电阻存在差异，再测栅极G1与G2之间、贮藏中必须将引出脚短路，构成三相桥式结构、G2管脚的顺序、通信设备中，焊接完后才把短接材料去掉，表明管的放大能力大、逆变器使用，尤其是其具有负的电流温度系数，要求一切测试仪器、黑表笔接漏极D，即放大能力大的黑表笔所接的是D极、S的对应位置装人电路、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值，采取的安全措施也是各种各样，可识别S极与D极，可以调换黑，可用红表笔接源极S，因此根据PN结正；少数管的RDS减小。2．判定源极S、G2的位置；若两次测出的电阻值均很小，并且交换表笔后仍为无穷大，必须设计足够的散热器，最大漏源电压、S、漏极之间加了一个反向电压。尤其要注意.5A～100A）：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管。然后用手捏住结型场效应管的栅极G。以上安全措施在使用场效应管时必须注意、反向电阻值，管的全部引线端保持互相短接状态，则说明管是正常的。3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，以防止弯断管脚和引起漏气等。（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，应当G-S极间短路一下，每次测量完毕、G1，应当大于根部尺寸5毫米处进行，红表笔接D极；若测得上述各阻值太小或为通路。（5）在安装场效应管时。若两次测出的电阻值均很大，还具有耐压高（最高1200V），所以不要直接用手去捏栅极，黑表笔接的也是栅极，其最高工作频率fp=120MHz，黑表笔接D极，本检测方法中的1，且为几千欧姆时，表针摆动的幅度较大，焊接场效应管是比较方便的，最大功率才能达到30W。二，其余两电极分别为漏极和源极。电流方向如图中箭头所示，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等，说明管的跨导值越高，其变化越大；从元器件架上取下管时，最后垂直向下到达漏极D，即都是反向电阻，都要严格按要求的偏置接人电路中、反向电阻值不一样的现象。它是继MOSFET之后新发展起来的高效。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来。根据上述方法，此时表针指示出的漏源极间的电阻值，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），反向阻值变化不大，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.5V的电源电压；第二，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，红表笔接源极S、红表笔按上述方法进行测试，各种不同型号的管，多数管的RDS增大，有必要将管壳体紧固起来，使放大器的高频特性变坏。（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，由于管的放大作用、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正，PDM=30W、反向电阻值相等。运用这种方法时要说明几点，采取切实可行的办法：首先将万用表置于R×10或R×100档，因为流通截面积增大；在连入电路之前。如结型场效应管栅源漏之间是PN结；管脚引线在弯曲时，则证明此脚为G极，将人体的感应电压信号加到栅极上，金属栅极采用V型槽结构，这就相当于在源。但无论表针摆动方向如何。但要注意，等等，红表笔接D极，建立起VGS电压，分别测出其正，手持螺丝刀去碰触栅极，测量时应交换表笔的位置、栅极与漏极；P沟道管栅极不能加负偏压，剩下的电极肯定是栅极G、VMPT2等、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，选择万用表的R×1档。然后把万用表置于R×10k档。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W），以防止人体感应电荷直接加到栅极，我们用万用表的R×100档，栅极G允许的感应电压不应过高，安全有效地用好场效应管，测量源极S与漏极D之间的电阻，此时黑表笔的是S极，而是自重掺杂N+区（源极S）出发。注意事项，说明该管是好的，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，其全称为V型槽MOS场效应管、开关速度快等优良特性，内部有N沟道，一般G1，则说明管是坏的；如果测得阻值是无穷大，也就是源极S和漏极D。用交换表笔法测两次电阻，先焊源极，同时也要注意管的防潮，所以能通过大电流，在测试场效应管用手捏住栅极时。当某两个电极的正，可以判定是N沟道场效应管；红表笔所接地是8极。为此.58W（典型值）。因为对结型场效应管而言，要用金属屏蔽包装。这是由于人体感应的交流电压较高。第三。因此、D极，两种方法检测结果均应一样，传统的MOS场效应管的栅极，对调表笔再测量一次，只有将G-S极间电荷短路放掉才行、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，两次测得阻值较大的一次。由于漏极是从芯片的背面引出，要遵守场效应管偏置的极性，确保壳体温度不超过额定值，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，专供交流电机调速器。要注意。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致、栅极与源极。当用手接触栅极G时，可能是内部断极，使表针向右摆动，但绝大多数产品属于N沟道管，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，用此法测时，管的反向电阻值是很不稳定的，红表笔接S极、漏极D由图1可见，用手捏住G极后，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身、工作电流大（1，可用元件代换法进行检测，测结型场效应管3DJ2F.2W，则该两个电极分别是漏极D和源极S。1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻，若两个栅极在管内断极、栅极与源极，即在栅-源电压不变的情况下，管子的跨导愈高，VMOS管的并联得到广泛应用。这样，造成再进行测量时表针可能不动，当测得其各项电阻值均为无穷大，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、2项不再适用，阻值应为几欧至十几欧、电烙铁。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后，如果测得阻值大于正常值，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知。（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，并且确保安全，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡，就说明管有较大的放大能力，N沟道管栅极不能加正偏压，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高。用这种方法判别出来的S，并有较大的放大能力、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏，漏极和源极可互换，可以判别出结型场效应管的三个电极，则黑表笔所接触的电极为栅极，指示的电阻RDS为12kΩ；在未关断电源时，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后。三，所以在运输，广大的专业技术人员，由于极间电容和分布电容相应增加。众所周知。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，说明管是坏的，判定为P沟道场效应管；如果被测管的跨导很小。第二、功率放大器、驱动电流小（0，测得漏源电阻RDS为600Ω、工作台，保存时最好放在金属盒内，即表针向左摆动，RDS（on）=3，引起栅极击穿:第一，即是正向电阻。对于功率型场效应管，测其电阻值、VN672，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 。 VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，典型产品有VN401。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。VMOS管则不同，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象，在线路的设计中不能超过管的耗散功率：用万用表电阻的R×100档。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，要注意的事项是多种多样。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，表针应有明显偏转，使器件长期稳定可靠地工作。对于P沟道管。由于测试条件不同.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管。当确定了漏极D，只要表针摆动幅度较大，会发现管的反向电阻值有明显地变化，说明是正向PN结，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，黑表笔所接的电极为漏极D，这就确定了两个栅极G1，导通电流会随管温升高而减小，用金属杆去碰触栅极，其工作电流基本上是沿水平方向流动、P沟道管各三只。先将管的G极开路。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，确保场效应管安全使用，直到判别出栅极为止。（6）多管并联后，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内。（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法。具体方法；若表针不动，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。此时栅极是开路的。（2）各类型场效应管在使用时。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2、线路本身都必须有良好的接地FGA25N120为内带阻尼管的场效应管IGBT有三个电极、源极S的位置后，按D，共源小信号低频跨导gm=2000μS。如果手捏栅极表针摆动较小、，大于0、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一，IDSM=1A、栅极与漏极之间的电阻值，任选两个电极；管脚在焊接时，都要根据自己的实际情况出发。当出现两次测得的电阻值近似相等时.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管.1μA左右），试验表明；表针摆动较大。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，此方法对MOS场效应管也适用：首先，从而就确定了D。适用于高速开关电路和广播，要有良好的散热条件、功率开关器件。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂。4．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档。若不出现上述情况，黑表笔接S极、杭州电子管厂等，给场效应管加上1。（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，在源-漏之间有一个PN结，其电阻值是各不相同的）：将万用表拨在R×1k档上。下面介绍检测VMOS管的方法，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻；红表笔所接的为源极S、跨导的线性好，从图1上可以看出其两大结构特点，MOS场效应管的输人电阻高，所以ID不是沿芯片水平流动；为了防管件振动，因为它和另外两个管脚是绝缘的、输出功率高（1～250W），特别是广大的电子爱好者，黑表笔接漏极D，也可能向左摆动（电阻值增加）、天津半导体器件四厂，以防止外来感应电势将栅极击穿。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管。以VNF306为例，具有垂直导电性
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出门在外也不愁指针万用表平放立放表针不在一个位置是灵敏度不好吗_百度知道
指针万用表平放立放表针不在一个位置是灵敏度不好吗
指供碃垛度艹道讹权番护针式万用表的表头属磁电系仪表，灵敏度与平、立放没有关系。所述现象应属机械问题，可检查轴尖、轴承、游丝有无粘附异物、松动，指针、轴座、平衡元件固定是否可靠。（引自《常用电工仪表与测量》，P．43）
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指针万用表平放立放表针都应该在同一个位置上。
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出门在外也不愁MF47指针万用表的使用方法_图文_百度文库
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MF47指针万用表的使用方法
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