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Tips-Pentacene OTFT电极接触电阻的研究
优质期刊推荐Evidence for spin injection and transport in solution-processed TIPS-pentacene at room temperature | (2012) | Mooser |
Publications | Spie
Proceedings Paper
Author(s): S.
M J. F. K. C K. K. B ;
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Paper Abstract
Recently, there has been growing interest in the field of organic spintronics, where the research on organic semiconductors (OSCs) has extended from the complex aspects of charge carrier transport to the study of the spin transport properties of those anisotropic and partly localized systems.1 Furthermore, solution-processed OSCs are not only interesting due to their technological applications, but it has recently been shown in 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) thin film transistors that they can exhibit a negative temperature coefficient of the mobility due to localized transport limited by thermal lattice fluctuations.2 Here, spin injection and transport in solution-processed TIPS-pentacene are investigated exploiting vertical CoPt/TIPSpentacene/AlOx/Co spin valve architectures.3 The antiparallel magnetization state of the relative orientation of CoPt and Co is achieved due to their different coercive fields. A spin valve effect is detected from T = 175 K up to room temperature, where the resistance of the device is lower for the antiparallel magnetization state. The first observation of the scaling of the magnetoresistance (MR) with the bulk mobility of the OSC as a function of temperature, together with the dependence of the MR on the interlayer thickness, clearly indicates spin injection and transport in TIPS-pentacene. From OSC-spacer thickness-dependent MR measurements, a spin relaxation length of TIPS-pentacene of (24&6) nm and a spin relaxation time of approximately 3.5 &s at room temperature are estimated, taking the measured bulk mobility of holes into account.
Paper Details
Date Published: 9 October 2012PDF: 12 pagesProc. SPIE 8461, Spintronics V, 84611J (9 October 2012); doi: Show Author AffiliationsS.
Mooser, Cavendish Lab., Univ. of Cambridge (United Kingdom)J. F. K. Cooper, Cavendish Lab., Univ. of Cambridge (United Kingdom)K. K. Banger, Cavendish Lab., Univ. of Cambridge (United Kingdom), Hitachi Cambridge Lab. (United Kingdom)Institute of Physics ASCR, v.v.i. (Czech Republic), Cavendish Lab., Univ. of Cambridge (United Kingdom)Published in SPIE Proceedings Vol. 8461: ; ; , Editor(s)Acceleration of Ultrafast Singlet Fission in Aza-Derivative of TIPS-Pentacene - Springer
Academic edition
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Acceleration of Ultrafast Singlet Fission in Aza-Derivative of TIPS-PentaceneT. BuckupAffiliated withPhysikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universit?t Heidelberg, J. HerzAffiliated withPhysikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universit?t Heidelberg, M. MotzkusAffiliated withPhysikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universit?t Heidelberg
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一种基于聚合物绝缘层的TIPS-pentacene晶体管性质研究
优质期刊推荐有机薄膜晶体管的研究--《江南大学》2014年硕士论文
有机薄膜晶体管的研究
【摘要】：有机半导体材料凭借成本低、工艺简单、可实现大面积加工以及与柔性基底兼容等优点，在发光二极管、有机薄膜晶体管以及有机太阳能电池等领域具有极大的商业前景。有机半导体材料中，有机聚合物易溶于有机溶剂，可以使用溶液法等低成本工艺制备，但是迁移率较低；有机小分子材料具有较高的迁移率，但是需要真空蒸镀等制备工艺，成本太高。Tips-Pentacene是一种易溶于有机溶剂的小分子材料，由于兼具聚合物的低成本和小分子的高迁移率的优势，受到了广泛关注。
本文利用空间电荷限制电流法研究了工艺参数对Tips-Pentacene薄膜的电学性能的影响，主要工作有：
(1)通过使用PEDOT修饰电极，在电极和Tips-Pentacene薄膜间形成欧姆接触。
(2)使用1wt%Tips-Pentacene的溶液制备薄膜，用373K、383K和393K退火，发现383K退火的薄膜具有最大的电流密度。
(3)在383K下对Tips-Pentacene进行不同时间的退火，发现Tips-Pentacene具有不同的电流传输特性，在退火时间为2h和5h的条件下，随偏置电压的增加，双对数J-V曲线存在斜率依次为2，大于3以及2的不同区域，而在退火时间达到8h后，低电压下斜率为2的区域消失。根据空间电荷限制电流模型，分析了不同区域的电流传输机理，并提取了陷阱密度和空穴的迁移率。在退火时间超过8h后，材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4cm2/(V·s)，其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小。
(4)使用2wt%Tips-Pentacene的溶液制备薄膜，发现薄膜需要退火10h性能才能达到最好。使用1wt%和2wt%溶液制备相同厚度的薄膜，通过比较最大迁移率和最小陷阱态密度的值，发现2wt%的溶液的薄膜性能提高的不明显。这是因为高浓度的溶液制备较薄的薄膜需要较快的旋涂速度，而这会导致溶剂挥发太快，薄膜没有足够的时间结晶。
(5)对2wt%Tips-Pentacene的溶液使用不同转速涂膜，得到不同厚度的薄膜，薄膜较厚时，迁移率的大小随电场变化，我们使用Poole-Frenkel公式描述这种变化，并提取了公式的参数因子。
(6)使用基于空间电荷限制电流理论的导纳谱，初步研究了Tips-Pentacene薄膜的载流子传输。
最后，将最优工艺制备的Tips-Pentacene薄膜用于底栅顶接触OTFT的制备，使用旋涂法制备PVP绝缘层，喷墨打印机打印电极，得到了全溶液法制备的OTFT。计算得到的场效应迁移率为0.0093cm2/(V·s)，阈值电压为-6.7V，开关比为341。
【关键词】：
【学位授予单位】：江南大学【学位级别】：硕士【学位授予年份】：2014【分类号】：TN321.5【目录】：
摘要3-4Abstract4-8第一章 绪论8-14 1.1 有机电子学8 1.2 有机半导体材料8-12
1.2.1 有机半导体材料的简介8-10
1.2.2 有机半导体材料的应用10-12 1.3 有机薄膜晶体管的研究进展12-13 1.4 本论文的工作13-14第二章 OTFT 及相关理论的介绍14-23 2.1 有机薄膜晶体管14-18
2.1.1 有机薄膜晶体管的结构14-15
2.1.2 有机薄膜晶体管的材料15-17
2.1.3 有机薄膜晶体管的工作原理17-18 2.2 有机半导体载流子传输18-21
2.2.1 小极化子模型19
2.2.2 跳跃模型19-20
2.2.3 多重捕获和释放模型20
2.2.4 多晶晶界陷阱模型20-21 2.3 有机半导体材料的注入机制21-22
2.3.1 隧穿模型21
2.3.2 理查德森-肖特基模型21-22
2.3.3 空间电荷限制电流模型22 2.4 本章小结22-23第三章 溶液法制备 Tips-Pentacene 薄膜的传输特性23-43 3.1 实验材料、仪器和制备工艺23-26
3.1.1 实验的材料和仪器23-25
3.1.2 实验器件的制备工艺25-26 3.2 利用空间电荷限制电流研究薄膜的电流传输特性26-39
3.2.1 器件的制备和测试27-28
3.2.2 空间电荷限制电流理论28-30
3.2.3 PEDOT 空穴缓冲层的引入30-31
3.2.4 退火温度对 Tips-Pentacene 电流传输的影响31-32
3.2.5 退火时间对 Tips-Pentacene 电流传输的影响32-35
3.2.6 Tips-Pentacene 质量分数比对 Tips-Pentacene 电流传输的影响35-37
3.2.7 薄膜厚度对 Tips-Pentacene 电流传输的影响37-39 3.3 利用导纳法研究薄膜的传输特性39-42 3.4 本章小结42-43第四章 Tips-Pentacene 有机薄膜晶体管的制备43-47 4.1 材料和仪器43 4.2 器件的制备43-44 4.3 OTFT的性能参数44-46
4.3.1 迁移率45-46
4.3.2 开关比46
4.3.3 阈值电压46 4.4 本章小结46-47第五章 主要结论与展望47-49 5.1 主要结论47-48 5.2 展望48-49致谢49-50参考文献50-54附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文54
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【参考文献】
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陶春兰;[D];兰州大学;2009年
【共引文献】
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陈鹤平;毕红;吴卫林;杜乐意;;[J];安徽大学学报(自然科学版);2006年05期
陈二柱,梁平治;[J];半导体光电;2005年03期
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陈建新;吴楠;史辰;杨维明;;[J];北京工业大学学报;2007年10期
张明;;[J];大功率变流技术;2012年01期
赵凤艳;张季;汪超;;[J];长春大学学报;2011年12期
毋玉芬;文玉梅;李平;张鑫;李恋;尹飞;;[J];传感技术学报;2008年06期
姜洪义,张联盟;[J];材料导报;2002年03期
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聂万远;张永生;;[A];第九届中国CAE工程分析技术年会专辑[C];2013年
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许洁;[D];长春理工大学;2010年
马淑芳;[D];太原理工大学;2011年
潘新花;[D];浙江大学;2010年
张彩珍;[D];兰州大学;2011年
陈雪;[D];南京理工大学;2010年
鲁林峰;[D];南京航空航天大学;2010年
朱美光;[D];华东师范大学;2011年
袁兆林;[D];电子科技大学;2012年
黄安平;[D];北京工业大学;2004年
岳爱文;[D];武汉大学;2004年
中国硕士学位论文全文数据库
钟鑫;[D];西安电子科技大学;2011年
王凯;[D];西安电子科技大学;2011年
种彦利;[D];华东师范大学;2011年
李苗苗;[D];北京有色金属研究总院;2010年
丁正;[D];北京有色金属研究总院;2011年
申开盛;[D];兰州大学;2011年
沙磊;[D];内蒙古大学;2011年
范俊义;[D];太原科技大学;2011年
梅卫平;[D];中南大学;2011年
吴京京;[D];郑州大学;2011年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
华中一;[J];微纳电子技术;2002年07期
蓝碧健,刘春明,吕银祥,张骅,徐伟,华中一;[J];复旦学报(自然科学版);2005年04期
王伟,石家纬,郭树旭,全宝富,刘明大,张宏梅,梁昌,张素梅,游汉,马东阁;[J];中国激光;2005年09期
;[J];Chinese Science B2002年18期
邱勇,胡远川,董桂芳,王立铎,谢俊锋,马亚宁;[J];科学通报;2003年09期
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王晓鸿;徐琼;夏亮;吕国强;邱龙臻;;[J];现代显示;2010年10期
雷小丽;;[J];西安邮电学院学报;2011年05期
张霖;钟建;;[J];强激光与粒子束;2012年07期
;[J];机械工程师;2014年02期
王小龙;;[J];黑龙江科技信息;2014年01期
;[J];功能材料信息;2014年01期
;[J];复旦学报(自然科学版);2014年01期
耿延候;田洪坤;;[J];分子科学学报;2005年06期
中国重要会议论文全文数据库
张学辉;王磊;崔占臣;;[A];2009年全国高分子学术论文报告会论文摘要集（下册）[C];2009年
孙艳明;刘云圻;马永强;狄重安;王鹰;吴卫平;于贵;胡文平;朱道本;;[A];中国化学会第二十五届学术年会论文摘要集（上册）[C];2006年
袁广才;徐征;赵谡玲;张福俊;黄金昭;黄豪;黄金英;徐叙瑢;;[A];第11届全国发光学学术会议论文摘要集[C];2007年
刘颖;王鹰;刘云圻;于贵;邱文丰;;[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年
狄重安;高希珂;刘云圻;朱道本;;[A];中国化学会第28届学术年会第5分会场摘要集[C];2012年
张英超;史作森;崔占臣;;[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题G：光电功能高分子[C];2013年
李尧;史作森;崔占臣;;[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题G：光电功能高分子[C];2013年
王迎;冯翔;邱龙臻;;[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题G：光电功能高分子[C];2013年
林广庆;李鹏;邱龙臻;;[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题F：功能高分子[C];2013年
陈杜刚;韩康;兰凌燕;钟成;秦金贵;;[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
中国重要报纸全文数据库
王小龙;[N];科技日报;2014年
徐征?田雪雁
张福俊;[N];计算机世界;2008年
沈慧;[N];经济日报;2014年
遥远;[N];吉林日报;2012年
闫东航;[N];中国电子报;2007年
罗茵茵;[N];江苏科技报;2014年
颜维琦;[N];光明日报;2014年
韩晓蓉　通讯员
周扬清;[N];东方早报;2014年
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张学辉;[D];吉林大学;2010年
胡伟;[D];吉林大学;2007年
聂国政;[D];华南理工大学;2011年
张楠;[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2013年
孙钦军;[D];北京交通大学;2011年
陈跃宁;[D];北京交通大学;2014年
张春裕;[D];吉林大学;2013年
袁广才;[D];北京交通大学;2009年
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