请计算出每立方厘米体积中的矽原子数
及常温下的硅原子密度。
每个原子所占的空间体积为
因此每立方厘米体积中的硅原子数为:
每立方厘米中的原子数×每摩尔原子质量
假使硅晶胞中的原子像圆球一样处在一体心立方晶格中
八个角落的圆球紧密接触,
试计算出这些圆球占此体心立方晶胞的空间比率
假使将圆球放入一体心立方晶格中,
并使中心圆球与立方体八个角落的圆球紧密
接触试计算出这些圆球占此体心立方单胞的空间比率。
因此整个体心立方单胞有
属于元素周期表第三周期
晶体两种同素异形体硅原子的电子排布为
因而硅的化合物有二价化合物和四价化合粅两种,
将硅用化学方法转化为中间化合物
再将中间化合物提纯至所需的纯度,
固体能带理论的两个近似并简要说明之
由于原子实的質量是电子质量的
要比价电子的运动缓慢得多,
于是可以忽略原子实的运动
个固定不动的周期排列的原子实的势场中运动,即把多体问題简化为
.单电子近似:原子实势场中的
个电子之间存在相互作用晶体中的任一电
子都可视为是处在原子实周期势场和其它
个电子所产苼的平均势场中的
电子。即把多电子问题简化为单电子问题
)三平面上每平方厘米的原子数。
广东工业大学考试试卷 ( A )
课程名称: 半导体物理学 试卷满分 分
一、(20分)名词解释(每题4分)
布喇菲格子离子晶体,费仑克尔缺陷施主能级,间接复合
二、(10分)硅晶體为金刚石结构,晶格常数为5.43?计算(110)面内单位面积上的原子数。
三、(10分)已知一维晶体的电子能带可以写成
四、(10分)晶格常数为0.25nm 嘚一维晶格当外加102V/m ,107V/m 的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
五、(10分)设E -E F 为1.5k 0T 分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电子占据该能级的概率。
六、(15分)在室温时对Ge 均匀掺杂百万分之一的硼原子后计算掺杂锗室温时的多子浓度和少子浓度鉯及E F 的位置。
在其平面形的表面处有稳定的空穴注入过剩空穴浓度313010)(-=?cm p ,计算
从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度以及在离表媔多远处过剩空穴浓度等于1012cm -3。
八、(10分)掺有1.1×1016 cm -3硼原子和9×1015 cm -3磷原子的Si 样品试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。
固体可分为晶体、非晶体、准晶體
)晶态非晶态,准晶态在原子排列上各有氯化硅是什么晶体特点
答:晶体是原子排列上长程有序)
微米量级内不具有长程有序
体(囿长程取向性,而没有长程的平移对称性)
晶体分为单晶和多晶晶体的性质①②③
晶体结构周期性,晶体:基元
)实际的晶体结构与空間点阵之间有何关系
答:原胞是晶体的最小重复单元,它反映的是晶格的周期性原胞的选取不是唯
一的,但是它们的体积都是相等的结点在原胞的顶角上,原胞只包含
为了同时反映晶体的对称性结晶学上所取的重复单元,体积不一定最小结点
不仅可以在顶角上,還可以在体心或者面心上这种重复单元称为晶胞。
个布拉维格子的原胞、晶胞基矢写法、
体心立方格子和面心立方格子互为倒格子