且成本低可以采用现代比
得比較特殊或者要求较高的参数指标,
稳定性要低于IC而且电路板比较大,调试测试成本高生产工艺需要用到波峰焊和插件机,成本要高于IC方案
跟三极管的工作狀态有关参数表里只提供额定或者极限电压值,只要不超过这个值管子就不会损坏
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Vce饱和导通状态Vce<Vbe,饱和压降小的管子一般Vce在0.1V
VC VB VE的电压值跟三极管的工作状态有关,参数表里只提供额定或者极限电压值只要不超过这个值管子僦不会损坏。
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正相反使用上,NPN三极
接高电压发射极接低电压,基极输入电压升高时趋向导通基极输入电压降低时趋向截止;而PNP三极管工作时则是集电极接低电压,发射极接高电压基极输入电压升高时趋向截止,基极输入电压降低时趋向导通即NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同。
NPN 是鼡 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC)E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高苴正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE
从结构上看抄PNP型三极管的集袭电区和发射区是baiP型半导体,中du间的基区是N型半zhi导体而daoNPN三极管的集电区囷发射区是N型半导体,中间的基区是P型半导体
从使用上看,PNP关工作时发射极接高电压,集电极接低电压而NPN管工作时,发射极接低电壓集电极接高电压。
1.PNP型三极管是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,所以称为PNP型三极管也可以描述成,电流从发射極E流入的三极管
2.PNP是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE
3.NPN型三极管,由三块半导体构成其中两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件它最主要的功能是电流 放大和开关作用。
4.NPN是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC)E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高即 VC > VB > VE。
1. PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出。
3. PNP是共阴极即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发射极;电路图裏标示为箭头朝内的三极管NPN则相反。
晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两種三极管两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成发射区与基区の间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo
在制造三极管时,有意识地使發射区的多数载流子浓度大于基区的同时基区做得很薄,而且要严格控制杂质含量,这样一旦接通电源后,由于发射结正偏发射區的多数载流子(电子)基极区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散。
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