说明为什么激光焊接深度过程中产生的光致等离子体具有周期性

A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固體激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖提箌光纤以SiO2为材料的主要是由于( ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好 激光调制器( ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光調制器 D.压光调制器 电光晶体的非线性电光效应主要与( )有关 A.加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 激光调制按其调制的性质有( ) A.連续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光调制 光电探测器( ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 CCD 摄像器件的信息是靠( )存储 A.载流孓 B.电荷 C.电子 D.声子 LCD显示器,可以分为( ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 =0.5 B. =1 C. =1.5 D. =2 33.硅光二极管主要适用于[D] A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光譜区 34.硅光二极管主要适用于[D] A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区 35.光视效能K为最大值时的波长是(A ) A.555nm B.666nm C.777nm D.888nm 36. 對于P型半导体来说以下说法正确的是 (D) A 电子为多子 B 空穴为少子 C 能带图中施主能级靠近于导带底 D 能带图中受主能级靠近于价带顶 37. 下列光電器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压 (C) A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管 38. 对于光敏电阻,下列说法不正确的是: (D) A 弱光照下光电流与照度之间具有良好的线性关系 B 光敏面作成蛇形,有利于提高灵敏度 C 光敏电阻具有前历效应 D 光敏电阻光谱特性的峰值波长低温时向短波方向移动 39. 在直接探测系统中, (B) A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频 率和相位 B 探测器只响應入射其上的平均光功率 C 具有空间滤波能力 D 具有光谱滤波能力 40. 对于激光二极管(LD)和发光二极管(LED)来说,下列说法正确的是(D) A LD只能连續发光 B LED的单色性比LD要好 C LD内部可没有谐振腔 D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽 41. 对于N型半导体来说以下说法正确的是 (A) A 费米能级靠近导带底 B 空穴为多子 C 电子为少子 D 费米能级靠近靠近于价带顶 42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: (D) A 光电二极管 B 光电三极管 C 光电倍增管 D 光电池 43. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系且 动态范围较大。适当偏置是 (D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 44. 有关热电探测器, 下面的说法哪项是不正确的(C) A 光谱响应范围从紫外到红外几乎都有相同的响应 B 响应时间为毫秒级 C 器件吸收光子嘚能量, 使其中的非传导电子变为传导电子 D 各种波长的辐射对于器件的响应都有贡献 45. 为了提高测辐射热计的电压响应率下列方法中不

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