原标题：可与氮化镓媲美东微超级硅用了什么黑科技？

半导体功率器件在电力电子行业有着非常广泛的应用特别是近几年来，随着社会电子产业化及万物互联的应用需求更进一步加速了电子化水平的进程；也对电力电子系统提出了更高的要求和挑战，如：高效率、高频化、高密度、小体积、高可靠性及长寿命等方面

东微半导体的GreenMOS系列产品是国内最早量产并进入工业级应用的高压超级结产品系列，在国产品牌中占有领先地位广泛應用于充电桩模块，通讯电源等大功率应用领域为了满足高密度快充的需求，东微半导体于近期推出了全新的超级硅MOSFET（Super-Silicon）系列产品该系列采用成熟的硅基材料及工艺，可以确保在雷击、高温等极限工况下的长期可靠性以及稳定性同时，超级硅系列将GreenMOS的开关性能推向极致可达到1MHz以上的开关频率，完全可以替代氮化镓器件在高压侧的应用

在系统应用中的效率方面，以65W PD为例超级硅系列在软开关有源钳位（ACF）拓扑中体现出优异的效率：

该方案中用到的OSS65R340JF, 属于超级硅系列，其效率基本与选用了氮化镓(GaN)的方案一致完全可以满足高能效要求。尤其在更高频率400KHz条件下效率依然与GaN保持一致体现了此系列产品极低的驱动损耗和开关损耗的特性，以下为效率对比图：

图3. 超级硅与GaN效率對比

在功率密度方面同样用65W的PD为例，基于东微超级硅系列的MOS做的Demo方案, 最大功率密度可达1.38W/cm?，直接对标氮化镓方案：

图4. 超级硅与GaN体积对比

茬产品成本方面由于超级硅系列采用成熟的硅基材料，与GaN特殊的材料和生产工艺相比具有巨大的成本优势尤其在消费领域，如：手机通讯类、电子产品适配器的应用器件成本大概为同等规格GaN器件25-50%，同时驱动超级硅功率器件的控制芯片可选择性广泛更避免了GaN驱动复杂嘚设计导致额外系统成本的增加。

图5. 超级硅与GaN特性对比

超级硅系列已有量产规格包含耐压600、650和700V三档最低Rdson为80mR，静态电流30A对应功率段50-600W。

图6. 超级硅系列产品推荐规格

东微半导体还有全系列中低压高速器件适用于不同快充方案的同步整流输出。

综上所述在对成本、功率密度偠求与日俱增的今天，超级硅系列可完美满足要求目前，超级硅系列已在联想等多个主流客户端量产