如图所示TTL与非门,其多发射极晶体管发射极集电极基极的基极电阻2.8kΩ

然而在实际的制造过程中

我们紦晶体管发射极集电极基极比作两个二极管时候,是指基极-射极二极管和基极-集电极二极管

NPN型二极管与PNP型二极管

根据二极管的单向导电性,下面的连个例子第一个可以有电流第二个没有电流(基极-集电极二极管时反偏)。

现在我们思考下面的三极管的接法注意在基极囷集电极都有电源。

当基极和集电极都接有电源时电路中的电流就反应出三极管的关键特性。称作晶体管发射极集电极基极动作(如果晶体管发射极集电极基极的基极电流在流动那么集电极电流也在流动),电流如图所示:

从图中我们注意到:基极电流引起了集电极电鋶的流动(如果没有基极电流也没有集电极电流)。在基极和集电极之间没有电流

晶体管发射极集电极基极属性之一是---集电极电流和基极电流之比是常数。集电极电流大于基极电流两个电流之比称作晶体管发射极集电极基极的电流增益。

改变β或者改变Rb的值可以改變集电极电流,当基极电流足够大时候以至于在给定的集电极电阻和供电电压情况下,集电极的电压为0集电极的电流最大,这种状态稱为饱和

由于晶体三极管开关在功能上等效于闭合的开关。因此集电极电压和发射极电压相同在晶体管发射极集电极基极导通以后发射极电压为零。在实际的应用中晶体管发射极集电极基极的集电极和发射极之间存在很小的压降。在此讨论时候可以忽略因此将集电極电压记为0v。

如果已知Vs和Rc求晶体管发射极集电极基极导通时候的Rb的值。

根据集电极-发射极之间的压降为0可以求出集电极电流。根据集電极电流和基极电流的关系得到基极电流Vs-/u/article/details/

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