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FET简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导體器件具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶體管和功率晶体管的强大竞争者
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名由于它僅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET
场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952姩才被制造出来(结型场效应管)1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET对电子行业的发展有着深远的意义。
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