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  (1) 万用表的使用方法测场效应管

  场效应管的栅极G输人阻抗很大几近开路,且栅极G和源极S之间存在结电容利用这个特点,很容易测量MOSFET的功能

  方法是:数字表置于二极管挡,对于N沟道型红表笔接栅极G,黑表笔接源极S只要点触一下引脚,结电容即可充电维持约3V以上电压,大多数MOSFET就会导通此时万用表的使用方法保持二极管挡,再红表笔接漏极D黑表笔接源极S,会呈导通状态然后使用短接线将G和S短接一下放掉电荷,复测D、S之间为截止状态

  对于P沟道MOSFET,则加上源极S正、栅极G负的电压才可导通,相应地数字表红表笔接S,黑表笔接G点触一下给G、S之间充电,然后红表笔接S黑表笔接D,呈导通状态

  使用指针表测MOSFET,应将万用表的使用方法置XlOkΩ挡,并注意电流是从黑表笔流出,红表笔流人的,测试时,表笔颜色的位置同数字表刚好相反。

  IGBT可视为MOSFET和三极管的组合它的输入特性同MOSFET,输出特性则与三极管相同,使用万用表的使用方法测试时可以采用完全与MOSFET相同的测试方法。我们可以观察到与MOSFET相比,IGBT完全导通时C、E之间的电压降较之MOSFET完全导通时D、S之间的电壓降要大,约0.3?0.7V之间MOSFET导通时可以测得D、S之间的电阻,可通过电流越大的MOSFET其D、S之间的电阻越小,约零点几欧姆到几欧姆之间

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