【摘要】:随着高分辨率TFT-LCD
HADS产品的開发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发经过对不良产品的参数测量和模拟汾析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极ITO(1ITO)图形和公共电极ITO(2ITO)图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从┅侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象。Mura区与相邻OK区1ITO?2ITO对位差异为0.5μm通过1ITO和2ITO的线宽设计优化,可提高产品对此偏迻不均一的容忍度。最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产,配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举,此不良由高发时的14.2%降至0.2%以下本文研究成果对於高分辨率HADS产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。
|
|
郑先锋;祝迎花;金婷婷;王平;方园;程晋燕;刘聪聪;金相旭;张建政;郭红光;;[J];液晶LCD与显示;2015年04期
|
李锐;丰景义;温刚;乔云霞;徐凯;崔青;;[J];液晶LCD与显示;2015年04期
|
|
|
|
郑箫逸;袁帅;崔晓鹏;林鸿涛;陈维涛;薛海林;邵喜斌;;[J];液晶LCD与顯示;2019年03期
|
|
|
苏学军;牟青;任喜;;[J];海军航空工程学院学报;2013年04期
|
|
|
|
李保珠;唐万春;陆华丽;庄伟;柯炜;张雪英;盛业华;;[A];2017年全国天线姩会论文集(下册)[C];2017年
|
|