铜和氧气反应条件加热和高温都昰可以的不过条件不同，得到的反应产物也不同
铜是一种过渡元素，化学符号Cu英文copper，原子序数29纯铜是柔软的金属，表面刚切开时為红橙色带金属光泽单质呈紫红色。延展性好导热性和导电性高，因此在电缆和电气、电子元件是最常用的材料也可用作建筑材料，可以组成众多种合金铜合金机械性能优异，电阻率很低其中最重要的数青铜和黄铜。此外铜也是耐用的金属，可以多次回收而无損其机械性能
二价铜盐是最常见的铜化合物，常呈蓝色或绿色是蓝铜矿和绿松石等矿物颜色的来源，历史上曾广泛用作颜料铜质建築结构受腐蚀后会产生铜绿（碱式碳酸铜）。装饰艺术主要使用金属铜和含铜的颜料
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除在我们以前的文章中已经论述的硬度、密度、堆积密度、粒度组成、韧性、磁性物含量、亲水性、pH值、热膨胀系数、导热系数等物悝性能外色泽和导电性能也是重要的物理性能。
纯碳化硅温度是无色透明的晶体碳化硅温度呈色的原因是杂质掺入。如碳化硼会使晶體呈黑色含氮时晶体呈绿色。碳化硅温度磨料把无色至绿色的归为绿碳化硅温度深蓝至黑色的为黑碳化硅温度。
除晶体本身的色泽外碳化硅温度晶体表面薄膜对自然光还有干涉作用。当碳化硅温度晶体表面的氧化硅薄膜厚度不同或对光线的反射角度不同时反射光是兩相干光。因此碳化硅温度在自然光下表面具有斑驳陆离、绚丽多彩的色泽。
2、碳化硅温度是一种半导体电阻率在10-2~1012Ω·m之间，随晶体中杂质的种类和数量而变化。影响最大的杂质是铝、氮和硼。含铝较多时碳化硅温度导电性显著增大。碳化硅温度的导电性随电场强度的增大而迅速提高具有非线性变化的特点如图1-30所示，可用V=C·Iα表示其中V为电压，C为材料常数α为非线性指数。避雷器阀片就是利用碳化矽温度的这种半导体特性制作的。
碳化硅温度的电阻率随温度而变化温度升高电阻率变小，与金属的温度特性相反如图1-31所示。
本文标簽：碳化硅温度,物理特性,色泽导电性能,
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目前生长碳化硅温度废料晶体的方法包括物理气相传输法（PVT）和化学气相传输法（HTCVD）在国内外晶体的制备方法主要有物理气相传输法。高温化学气相沉积技术是一种新型的准备碳化硅温度废料晶体的方法中具有多年在国外的研究。使用碳化硅温度晶体的高温化学气楿沉积技术（HTCVD）的增长有瑞典Okmetic公司在国外出版该公司开始研究该技术在上世纪90年代，并已申请了该技术在欧洲的专利该方法可以生长高纯度和大尺寸的
单晶的，并且可以有效地降低碳化硅温度废料单晶中的各种缺陷获得高品质的结晶必须精确控制的广泛的晶体生长参數，诸如：淀积温度沉积腔室压力和真空的底部，反应气体分压（比）等
碳化硅温度（碳化硅温度废料）晶体的高温化学气相沉積生长的高温化学汽相沉积的原理是在密闭反应器中，以保持反应室中的温度（000℃-300℃）所需的外部加热将反应气体由H2或的SiH4他加载，途中與C2H4再进入反应器中，反应气体碳化硅温度的高温下分解和粘附基体材料的表面上并在废物沿着材料，残留气体反应的表面不断增长污沝处理厂的处理和排出反应周围低真空下40千帕时，通过控制反应器体积反应温度，压力和气体组合物最好的工艺条件的大小。它主偠包括以下响应：在Si基板上的SiH4C2H4=2的碳化硅温度废料6H2初始CVD生长与成熟的碳化硅温度体单晶生长技术，用6小时-碳化硅温度为基板的生长也引起叻极大的关注6小时-3℃和6小时碳化硅温度废料衬底外延生长-碳化硅温度更少的缺陷，但6小时的价格-碳化硅温度废料衬底非常昂贵；Si和碳化矽温度晶格失配和热膨胀系数失配越大但大面积，Si衬底的高品质是很容易得到目前最有6小时的外延衬底的-碳化硅温度。6小时-碳化硅温喥废料衬底的几乎所有的外延生长用的SiH4-C3H8-H2系统SiH4和C3H8流量一般为0.1SCCM?0.3SCCM，H2流量一般为4升/分在最初的6小时（0001）面-碳化硅温度废料外延面好6小时-碳化硅溫度，温度必须高于1800℃，比温度低可形成的3C-碳化硅温度双
高温化学气相沉积的化学气相沉积反应过程的反应的底物的材料组合的表面上产生的，是一种化学反应它涉及热力学和天然气输送和膜层问题增长，据反应气体尾气分析和频谱分析，衬底材料一般都选择矽或碳化硅温度废料一般表面氧化物，灰尘和其他污物所以你必须要经过严格的清洁生长过程可以继续进行。超声波清洗设备以常鼡的衬底材料。清洗衬底材料后不得直接用手触摸以供日后使用清洁，干燥的容器内
根据工艺要求把在支架上，在中心位置尽鈳能以确保气体流，当存款均匀分布将装载Si和碳化硅温度废料衬底材料之前被清洁清洁密封面，关上了门充电后，测试设备泄漏率當达到较高的背景真空后的设备，关闭设备真空系统不超过0.5帕，如果在1小时系统漏风率一般认为设备系统具有良好的密封性能，能够滿足化学气相沉积工艺的要求
沉积腔室泄漏检测合格的，根据在反应室的加热温度的某些过程的曲线在工作温度，再通SiH4和C3H8到反应氣体到达除了用于加热反应室，该反应源和传输线还希望的加热温度反应气体的温度升高到精确的控制，以保证在根据工艺要求不斷进入反应室，参与化学反应的精确度
当该反应室加热稳定性达到的技术要求后的温度，开始到源气体产生化学反应就开始在基底材料碳化硅温度废料晶体的表面生长。当该过程完成后根据工艺要求，可停止气体供应加热封闭，等待设备自然冷却
晶体生長的高温化学气相沉积过程的效果的化学气相沉积工艺参数是这样的：邻近的高温度，反应气体（SiH4和C3H8）的热分解然后在高温基板表面吸附，解吸相互反应，最后是在基片表面之间的固体产物和原子的扩散导致碳化硅温度废料晶体的生长。可见是影响晶体的质量的主偠工艺参数：沉积温度，背景真空沉积室的压力，使反应气体分压（比）等
沉积温度是重要的参数之一影响生长过程和晶体生长。该研究表明与沉积温度和高温化学气相沉积反应速度，晶体生长速率近似线性关系的增加。高温气相沉积反应温度1800℃300℃。在组织結构分析的不同温度下的晶体生长的结果表明沉积温度过高，过快的沉积速率会引起晶体组松散，粗粮甚至会出现树枝状晶体与此楿反，低的沉积温度和沉积速度慢甚至会出现速度比碳化硅温度硅沉积沉降速度，沉积的晶体多孔结构时与基体和低之间的接合强度，这些都会影响的性能和质量晶体生长
真空泄漏率对碳化硅温度晶体生长的质量有很大的影响，碳化硅温度晶体生长前的真空晶体苼长设备和设备的背景下应该将空气泵入真空状态的第一反应室，一般采用机械泵系列扩散泵或机械泵序列抽取分子泵低真空与电阻調节，电离计测量测量高真空真空度达到1×10-10-帕？123Pa时当该装置的背景真空泵至1×下10-2帕，关停完整真空系统中如果在60分钟内，不超过0.5Pa的系统中的空气泄漏率认为设备具有密封性能好，可满足化学气相沉积工艺的要求
碳化硅温度晶体的负压生长过程高温化学汽相沉積生长中，负压力下增加了气体分子之间的距离，气体浓度的条件下是恒定的提高了沉积效率。此外真空沉积过程中，可以使废气嘚反应产物以尽快排除，有利的是在化学反应中减少对长碳化硅温度晶体的行为的污染。这对于结构紧凑均匀，性能稳定可靠高品质的大直径的晶体，这是非常重要的
反应气体分压（SiH4和C3H8的比例）高的温度和化学沉积技术，通过改变参与不同比例的化学反应的原料气体流中的反应在晶组合物和性能的生长衬底也不同，所以要选择在沉积源气体流量比的过程中最好的反应，是至关重要的生产高性能的碳化硅温度晶体
作为一种新型的半导体材料，碳化硅温度用其优异的性能必将发挥在未来电子信息产业的重要作用。在高温下的化学气相沉积制备的高纯度的碳化硅温度材料（HTCVD）工艺优于物理气相运输（PVT）用于碳化硅温度废料材料制备的绝缘是非常有利嘚。物理气相传输（PVT）具有相对的化学气相沉积（HTCVD）增速的优势快技术比较成熟。但化学气相沉积技术的发展潜力是更大需要主要用於高频率，高功率航空航天设备的高纯度碳化硅温度（碳化硅温度废料）衬底材料的制备。以及如何获得大尺寸低缺陷密度的碳化硅溫度废料单晶的成本低，为碳化硅温度废料元件提供物质支持仍然是我们现在面临的问题，也是我们长期的目标要实现这个目标有仍囿许多问题等待我们去解决。
