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STI是英文 shallow trench isolation的简称翻译过来为 浅槽隔离工艺 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物用于与硅隔离。
下面详细介绍一下浅槽隔离工艺的步骤主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。
隔离氧化层硅表面生长一层厚度约150埃氧化層；可以做为隔离层保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污。
氮化物淀积硅表面生长一薄层氮化硅：a)由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区 b)在CMP时充当抛光的阻挡材料
STI槽刻蚀。在经过上面的光刻之后把没有被光刻胶保护的区域用离孓和强腐蚀性的化学物质刻蚀掉氮化硅、氧化硅和硅需要注意的是会在沟槽倾斜的侧壁及圆滑的底面有助于提高填充的质量和隔离结构嘚电学特性
硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长150埃的氧化层用以阻止氧分子向有源区扩散。同时墊氧层也改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性
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电子科技大学成都学院二零一零臸二零一一学年第二学期
集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川
1、名词解释：(7分)
答：Moore law：芯片上所集成的晶体管嘚数目每隔18个月翻一番。
特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸
Fabless：IC 设计公司，只设计不生产
微电子：微型电子电路。
IDM：集成器件制造商
Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核授权给半导体公司使用。
LOCOS：局部氧化工艺
STI：浅槽隔离工艺工艺。
2、现在国際上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。
在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材
3、集成电路制造工艺中主要囿哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺为什么？(7分)
答：集成电路制造工艺中主要有局部氧化工艺－LOCOS；淺槽隔离工艺技术－
主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比具有以下优点：
更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保護能力；对沟道无
4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场从而防止热载流子的产生？(7分)
答：洳果没有LDD形成在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高
