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摘要 场致发射显示板继承了传统CRT嘚优良显示性能是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。 在平板显示领域特别是军事领域,FED有其固有的许多优势但是与LCD和PDP相比较,FED 还有一些问题需要解决包括器件寿命、隔离体、亮度,电子发射均匀性调制电压范围、驱动方 法以及低成本的器件制备技术等。 本攵的研究内容主要包括基于Hopping效应设计出一种新型三极结构FED;主要采用厚膜工 艺制各这种新型结构FED;用光刻工艺制备栅极通道孔;新型结構FED的制备流程;封装过程中遇 到的问题和解决办法。 本文提出了采用HOP Spacer作为CNT-FED器件的调制极并设计了相应的结构。理论分析和 实验结果表明方案具有相当的可行性新型结构FED能够明显降低厚膜CNT-FED器件的调制电压 范围。 为了以低成本研制出新型结构FED相应的厚膜制备工艺也被详细提出,主要是采用丝网印刷 工艺制备前后基板和新型栅极结构中的电子发射材料、银电极、荧光粉和绝缘介质并获得了适用 于制备新型結构FED的工艺参数。由于喷砂法制备的HOP Spacer机械性能较差本文采用光刻技 术制备栅极通道孔并获得成功,这使得在栅极基板上制备银电极和介質层成为可能 新型结构FED的前处理还包括:对ChIT进行了一些处理以提高其电子发射性能;利用银浆的 渗透提高栅极的调制能力;用电子束蒸發法在栅极表面和通道孔中制备MgO;选用合适的材料作为 隔离体.由于新型结构FED中栅极基板易在高温环境下破裂,所以封接和排气是本论文嘚难点经 过反复试验,我们摸索出一套成品率比较高的工艺步骤和参数经过老练提高阴极的电子发射性能 后,器件的制各成功完成 朂终我们成功研制出新型带HOP结构的FED三极器件,亮度可以达到400cd/m2调制电压范 围仅为80V。 关键词:场致发射显示碳纳米管,Hopping效应丝网印刷,光刻 Abstract traditionalCRTsand

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