[据Sciencedaily网站2018年12月18日报道]在微电子器件中禁带宽度的计算公式是决定材料导电性能的主要因素。禁带宽度的计算公式很大的物质通常不能导电被称为绝缘体。禁带宽度嘚计算公式较小的物质被称为半导体超宽禁带宽度的计算公式半导体材料是一种新型的半导体材料，与传统的硅基小禁带宽度的计算公式材料相比具有更高的工作温度和功率。超宽禁带宽度的计算公式材料半导体基片通常由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料制成

Physics》上，佛罗里达夶学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员对最有前途的超宽禁带宽度的计算公式材料氧化镓（Ga2O3）的性质、性能、目前的限制和未來的发展提出了详细的展望

氧化镓具有4.8eV的超宽禁带宽度的计算公式，超过了SiC和GaN的3.3eV而硅却只有1.1eV。超宽的禁带宽度的计算公式使得氧化镓能够承受比硅、碳化硅、氮化镓更强的电场此外氧化镓还能够承受更高的电压。这使得它在制造小型化、高效化大功率晶体管方面非常具有价值

“氧化镓为半导体制造商提供了一种非常适用于微电子器件的材料”佛罗里达大学材料科学与工程教授、论文作者Stephen Pearton表示。“这種化合物非常适合用于给电动汽车充电的配电系统以及将电力传输到电网的转换器。”

Pearton和他的同事还研究了氧化镓作为金属氧化物半导體场效应晶体管（MOSFET）材料的可能性Pearton表示“传统上，微小的电子开关是由硅制成的用于笔记本电脑、智能手机和其他电子产品。但对于電动汽车充电系统需要更高功率级别的MOSFET设备，这将会是氧化镓材料的优势”

为了实现这些先进的MOSFET，作者需要改进栅极介质以及更有效的热处理方法。Pearton总结说氧化镓材料不会取代SiC和GaN成为第四代半导体材料，但是它更有可能在高功率、高电压器件方面发挥作用Pearton讲，氧囮镓材料最有前途的应用可能是作为电动汽车和光伏太阳能系统的高压整流器（工业和信息化部电子第一研究所 李茜楠）